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强流金属离子注入分布的模拟计算 被引量:1
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作者 姬成周 王安民 张通和 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第3期323-328,共6页
给出了一个计算强束流离子注入下杂质浓度分布的数学模型.利用有限差分法,给出了该模型的数值解及计算程序.用该程序对Mo,W等注入离子的浓度分布进行了数值计算,给出了部分结果并同实验结果进行了比较.
关键词 浓度分布 离子注入 MEVVA源
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强流金属离子注入分布计算中的几个参数 被引量:1
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作者 王安民 姬成周 张通和 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第4期492-496,共5页
利用强束流离子注入过程中杂质扩散的数学模型,研究了部分对浓度分布影响较大的参数、试图分析和理解用MEVVA源注入金属的复杂过程。发现靶温是影响杂质分布及穿透深度的主要因素,化学反应有正效应和负效应之分;相关系数是一个重要的物... 利用强束流离子注入过程中杂质扩散的数学模型,研究了部分对浓度分布影响较大的参数、试图分析和理解用MEVVA源注入金属的复杂过程。发现靶温是影响杂质分布及穿透深度的主要因素,化学反应有正效应和负效应之分;相关系数是一个重要的物理量,它跟原子-靶材料的组合有关。 展开更多
关键词 浓度分布 增强扩散 离子注入
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离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成
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作者 杨熙宏 毛思宁 +3 位作者 陈坚 刘家瑞 杨锋 许天冰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第11期846-852,共7页
本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10^(14)到8.1×10^(16)Ar/cm^2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结... 本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10^(14)到8.1×10^(16)Ar/cm^2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献. 展开更多
关键词 离子束混合 稀土金属 硅化物 SE
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MeV Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响
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作者 卢武星 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第4期485-490,共6页
1.0MeV208Pb离子在非晶Si中的投影射程RP和射程偏差ΔRP作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定.注量的变化范围为5×1013~7×1014cm-2.注入是在室温和t=-120℃下完成的.由由实... 1.0MeV208Pb离子在非晶Si中的投影射程RP和射程偏差ΔRP作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定.注量的变化范围为5×1013~7×1014cm-2.注入是在室温和t=-120℃下完成的.由由实验所确定的投影射程,射程偏差与注量或温度无关,并且分别等于295和72.2nm.与TRIM86的计算结果相比较,发现RP的偏离为18%,而ΔRP的偏离为36%.RP和ΔRP二者与注量及温度的无关性,排除了所观察到的与TRIM的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。 展开更多
关键词 射程偏差 离子束混合 非晶硅 铅离子 射程偏差
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SiO_2水玻璃微球辐射增强扩散研究
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作者 何小海 宋建明 +2 位作者 唐永建 林理彬 李波 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期194-197,共4页
激光惯性约束聚变使用的玻璃微球经中子辐照后,产生辐射增强扩散效应,Ar在玻璃微球中的扩散性能显著改善,获得了常规加热加压扩散方式无法得到的扩散效果。而带电离子辐照玻璃微球后Ar的扩散性能却没有明显改善。研究了中子和其它带电... 激光惯性约束聚变使用的玻璃微球经中子辐照后,产生辐射增强扩散效应,Ar在玻璃微球中的扩散性能显著改善,获得了常规加热加压扩散方式无法得到的扩散效果。而带电离子辐照玻璃微球后Ar的扩散性能却没有明显改善。研究了中子和其它带电粒子辐射增强扩散效应的差异。 展开更多
关键词 辐射增强扩散 玻璃微球 中子辐照 重离子辐照
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Ar在玻璃微球中的辐照增强扩散效应研究 被引量:3
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作者 宋建明 何小海 +2 位作者 李波 黄宁康 林理彬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期415-418,共4页
为满足惯性约束聚变实验诊断的需求,需要在空心玻璃微球内充入DT燃料气体的同时充入一定量的Ar诊断气体,由于Ar原子尺寸较大,一般热扩散技术难以实现对玻璃微球充Ar。为解决充Ar问题,研究了不同反应堆中子注量对玻璃微球的改性作用。测... 为满足惯性约束聚变实验诊断的需求,需要在空心玻璃微球内充入DT燃料气体的同时充入一定量的Ar诊断气体,由于Ar原子尺寸较大,一般热扩散技术难以实现对玻璃微球充Ar。为解决充Ar问题,研究了不同反应堆中子注量对玻璃微球的改性作用。测试结果表明:当中子注量达到1×1018cm-2时,在500℃和室温情况下都可以向玻璃微球内充入Ar。辐照增强扩散后的扩散系数高于3.6×10-13cm2/s。 展开更多
关键词 辐射增强扩散 玻璃微球 中子
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Fe-Cr合金晶界偏析及辐照加速晶界偏析的相场模拟 被引量:3
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作者 杨朝曦 柳文波 +5 位作者 张璁雨 贺新福 孙正阳 贾丽霞 师田田 恽迪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期198-207,共10页
基于WBM相场模型对热力学条件和辐照条件下Fe-Cr合金晶界处Cr元素偏析行为进行了模拟.模拟结果表明温度对Fe-Cr合金晶界处Cr元素的偏析有很大影响:当温度低于500℃时,晶界处的偏析量很小;而当温度高于500℃时晶界处的偏析量增加明显.基... 基于WBM相场模型对热力学条件和辐照条件下Fe-Cr合金晶界处Cr元素偏析行为进行了模拟.模拟结果表明温度对Fe-Cr合金晶界处Cr元素的偏析有很大影响:当温度低于500℃时,晶界处的偏析量很小;而当温度高于500℃时晶界处的偏析量增加明显.基体中Cr元素含量对晶界Cr元素的相对偏析量也有显著影响:随着基体中Cr元素含量的增加,相同模拟条件下晶界处Cr元素的相对浓度增量降低.辐照条件下,晶界处Cr元素的相对偏析量比热力学条件下的相对偏析量有明显增加;随着辐照剂量率的提高,晶界中心处Cr元素浓度增量变大;相同辐照条件下,随着Cr元素含量的增加,晶界处Cr元素的相对浓度增量也降低. 展开更多
关键词 相场模拟 FE-CR合金 晶界偏析 辐照加速扩散
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Theoretical prediction of radiation-enhanced diffusion behavior in nickel under self-ion irradiation 被引量:2
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作者 Xiao-Ya Chen A-Li Wen +5 位作者 Cui-Lan Ren Cheng-Bin Wang Wei Zhang He-Fei Huang Zhi-Wen Chen Ping Huai 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2020年第8期53-63,共11页
The enhanced diffusion in materials under irradiation plays an important role in the long-term microstructural evolution. In this work, the self-ion irradiation in nickel was used as a model system to study the effect... The enhanced diffusion in materials under irradiation plays an important role in the long-term microstructural evolution. In this work, the self-ion irradiation in nickel was used as a model system to study the effect of radiation-enhanced diffusion on the implanted ion profiles. Initially, the depth profiles of vacancies and implanted ions for nickel self-ion irradiation with ion energies up to 15 MeV were computed by the high-efficiency Monte Carlo code IM3D(Irradiation of Materials in 3 D). The results are in good agreement with those predicted by SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter).Then, diffusion coefficients as functions of temperature and damage rate were obtained, and the depth-dependent diffusion coefficients at various temperatures and damage rates were also illustrated. For this purpose, we used a temperature-dependent effective sink concentration for nickel, which was estimated from the available experimental investigations on the damage structures of irradiated nickel. At length, case studies on the time evolution of implanted ion profiles under the condition of nickel selfirradiation were performed and discussed based on Fick’s second law. The results help to understand the fundamental diffusion properties in ion irradiation, especially under higher-dose irradiation. 展开更多
关键词 Self-ion irradiation in nickel Implanted ions radiation-enhanced diffusion Monte Carlo simulation
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离子束引起的在Al/Cr双层薄膜界面处的原子混合
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作者 吴美珍 刘惠珍 +1 位作者 寿焕根 侯明东 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期2006-2011,共6页
用600keV的Kr^+离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10^(15)-2.5×10^(16)Kr^+/cm^2。用2.0MeVa粒子对... 用600keV的Kr^+离子轰击Al/Cr双层薄膜样品进行界面原子反应及相互混合的研究。实验样品是在单晶硅上蒸镀约500nm厚的铝膜,相继再蒸上所需厚度的铬膜而制成的。轰击剂量为2.0×10^(15)-2.5×10^(16)Kr^+/cm^2。用2.0MeVa粒子对轰击前后的样品进行了卢瑟福背散射(RBS)分析,发现界面处有明显的原子混合存在;当轰击剂量≥1.0×10^(16)Kr^+/cm^2时,RBS谱出现有明显的坪台,经拟合计算和x射线衍射(XRD)测量证实确有化合物Al_(13)Cr_2存在;还分别得到了原子混合量及混合效率与轰击剂量的关系;最后对界面处的原子混合机制进行了讨论。 展开更多
关键词 离子束 薄膜 Al/Cr 原子 混合 界面
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