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GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
1
作者 马玉麟 郭祥 丁召 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期25-37,共13页
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。 展开更多
关键词 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜 多量子阱材料 量子点材料 MBE MOVPE
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2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器 被引量：3
2
作者 陈高庭 柏劲松 +5 位作者 张云妹 耿建新 方祖捷 李爱珍 郑燕兰 林春 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期1069-1072,共4页
报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。
关键词 中红外波段 激光器 量子阱材料 MBE生长
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极化子理论研究史概况 被引量：1
3
作者 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 北大核心 2013年第1期77-83,共7页
极化子研究是凝聚态物理学领域的一个重要课题.论述了极化子的概念及种类,详细介绍了半导体体材料和量子阱材料中极化子理论的研究概况,说明极化子为物理学提供了一个简单而实际的例子,即费米子与玻色场的相互作用,并且对了解离子晶体... 极化子研究是凝聚态物理学领域的一个重要课题.论述了极化子的概念及种类,详细介绍了半导体体材料和量子阱材料中极化子理论的研究概况,说明极化子为物理学提供了一个简单而实际的例子,即费米子与玻色场的相互作用,并且对了解离子晶体和极性半导体的光学性质和电学性质有重要意义. 展开更多
关键词 体材料 量子阱材料 极化子
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InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究
4
作者 丁国庆 《光通信研究》 北大核心 1999年第4期55-59,共5页
介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型；报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱；计算几种常用应变多量子阱结构材料的临界弹性应变量；指出非应变盖层可提高阱层临界应变量；
关键词 应变量子阱材料 能量平衡模型 晶格驰豫 异质结构材料 INGAASP 磷化铟薄膜
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张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究
5
作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期54-58,共5页
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变... 给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。 展开更多
关键词 张应变 光荧光谱 量子阱材料 半导体材料
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粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 被引量：1
6
作者 林理彬 黄万霞 孔梅影 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期248-,共1页
Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束... Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器件在空间技术中应用的稳定性 ,由于人造卫星运行所穿透的宇宙范·艾伦辐射带中核辐射主要来自电子束及质子束 ,因此本工作以电子、质子辐照为主研究其引入的深能级缺陷。采用传统的分子束外延 (MBE)方法在GaAs衬底上生长具有量子阱的AlGaAs/GaAs材料 ,包括单量子阱(SQW )和多量子阱 (MQW )样品。用静电加速器对样品进行电子束辐照实验 ,电子束能范围为 0 .4～ 1.8MeV ,注量为 1× 10 13～ 1× 10 16 cm- 2 。用高压倍加器进行质子束辐照 ,质子束能量范围为 2 0～ 130MeV ,注量为 1× 10 11～ 1× 10 14 cm- 2 。为进行深能级瞬态谱 (DLTS)的测量 ,以样品n+ GaAs衬底上的铟作为欧姆接触 ,在样品正面蒸上50 0 μm左右的金点作为肖特基势垒 ,使用IBMPC计算机作为数据采集和处理系统的匈牙利Semitrap公司生产的高灵敏度锁相深能级瞬态谱仪DLS 82F进行DLTS测试 ,测量灵敏度为△C/C～ 10 - 5,测量的温度范围为 77～380K ,采用温度和频率扫描二种途径并通过Arrheninsplots验证有关深能级位置 ,而能级的俘获截面则通过改变样品上所加的脉冲宽度来获得。辐照前后的样品均经过深能级? 展开更多
关键词 量子阱材料 辐照 深能级陷阱 缺陷
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长波量子阱红外探测器材料技术研究 被引量：4
7
作者 周旭昌 谭英 +5 位作者 杨春章 李艳辉 苏栓 齐航 高丽华 李东升 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第8期463-466,共4页
针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料... 针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器材料 分子束外延 表征
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x射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析 被引量：1
8
作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期50-54,共5页
介绍了ｘ射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Ｐｅｎｄｅｌｓｕｎｇ现象，给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数。较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆曲线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。
关键词 X射线双晶衍射 计算机模拟分析 化合物半导体
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实时全息干涉计量术的发展近况和趋势 被引量：10
9
作者 熊秉衡 王正荣 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期3-7,共5页
本文综述了实时全息干涉计量术的发展近况。介绍了实时全息干涉计量术的某些新方法，新装置及其所依据的原理，并论述了其发展趋势。
关键词 全息干涉计量术 衬比度 位相调制度 光折变晶体
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光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性数值模拟 被引量：1
10
作者 华玲玲 杨阳 +1 位作者 宋晏蓉 张鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B06期20-26,共7页
为了深入研究光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性，以InGaAs／OaAs应变量子阱系统为例，建立了将带隙、带边不连续性计算和带结构计算系统结合起来的完整体系，考虑在应变影响下能带及波函数的混合效应。利用有限差分法对含6×6L... 为了深入研究光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性，以InGaAs／OaAs应变量子阱系统为例，建立了将带隙、带边不连续性计算和带结构计算系统结合起来的完整体系，考虑在应变影响下能带及波函数的混合效应。利用有限差分法对含6×6Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程精确求解，得到了InGaAs／GaAs应变量子阱导带、价带的能带结构和包络函数，然后选用Lorentzian线形函数，数值模拟了量子阱的材料增益谱和自发辐射谱。最后讨论了阱宽、载流子浓度、温度等因素对量子阱材料增益的影响，为光抽运垂直外腔面发射激光器的优化设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 激光器 应变量子阱 能带结构 材料增益 自发辐射谱
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