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纳米电子器件中的噪声及其应用研究
被引量:
2
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作者
张志勇
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2003年第6期6-15,共10页
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双...
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。
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关键词
纳米电子器件
散粒噪声
单电子晶体管
电荷噪声
双势垒共振隧穿二极管
碳纳米管
量子点器件
热噪声
下载PDF
职称材料
题名
纳米电子器件中的噪声及其应用研究
被引量:
2
1
作者
张志勇
王太宏
机构
中国科学院物理所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第6期6-15,共10页
文摘
对多种纳米材料和纳米器件的噪声进行了比较详细的研究,对纳米器件中几种常用的噪声测量方法进行了探讨。讨论了利用噪声(主要是散粒噪声)进行介观电学机制探测的方法,并提出了用于解决单电子晶体管中背景电荷噪声的有效方法,揭示了双势垒共振隧穿二极管在负微分电阻区的散粒噪声大于Poisson值的本质。
关键词
纳米电子器件
散粒噪声
单电子晶体管
电荷噪声
双势垒共振隧穿二极管
碳纳米管
量子点器件
热噪声
Keywords
shot
noise
1/f
noise
single-electron
transistor
carbon
nanotube
quantum
dot
de
-
vice
resonance
tunneling
de
vice
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
TN32
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作者
出处
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被引量
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1
纳米电子器件中的噪声及其应用研究
张志勇
王太宏
《微纳电子技术》
CAS
2003
2
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