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浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究 被引量：1
1
作者 刘振旺 刘岐 +2 位作者 刘文宝 肖磊 李清 《质量与可靠性》 2020年第6期17-22,共6页
对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议。
关键词 NAND Flash存储器 擦写耐久 数据保持 试验方法
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