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题名光阻回刻工艺缺陷与改善方法研究
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作者
阚琎
苏良得
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机构
上海华力集成电路制造有限公司
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出处
《集成电路应用》
2024年第5期62-65,共4页
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文摘
阐述在金属栅极(例如AL)半导体芯片制造工艺中通常需要引入一段特有流程用来去除多晶硅(Poly)并进行金属再填充。光阻回刻工艺作为该流程中的关键步骤,主要目的是去除Poly顶端的硬质掩膜,便于后道工艺对Poly进行刻蚀。因为NMOS和PMOS的硬质掩膜存在高度差异,以及光阻在不同图形密度区域厚度不同,导致工艺窗口紧张,实际生产维护困难,容易出现包括多晶硅残留在内的多种缺陷,严重影响产品最终良率。为此,通过对缺陷进行分类,探究形成机理,提出对应在线监控方式,能够降低缺陷发生率,并尝试对工艺条件进行优化,提升整体工艺窗口。
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关键词
集成电路制造
金属栅极
光阻回刻工艺
缺陷分析
工艺窗口改善
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Keywords
integrated circuits manufacturing
metal gate
PREB(Photo Resistor Etch Back)
defect analysis
process window improvement
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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