DX-200中波发射机射频功率放大器工作原理 被引量：2

1

作者 胡东奇 《电视技术》 2023年第6期104-107,111,共5页

数字化调幅发射机由音频信号+直流信号+72 kHz超音频三角波产生复合信号,经过模/数(A/D)转换,变化成12 bit的数字化信号,经过调制编码板编码后去控制224个射频放大器通断,产生调幅波。DX系列发射机的设计是积木化的,各种型号发射机的不... 数字化调幅发射机由音频信号+直流信号+72 kHz超音频三角波产生复合信号,经过模/数(A/D)转换,变化成12 bit的数字化信号,经过调制编码板编码后去控制224个射频放大器通断,产生调幅波。DX系列发射机的设计是积木化的,各种型号发射机的不同之处在于射频功率放大器模块的总数和单块模块的输出功率不同,从而可以产生出不同的功率等级。基于此,以DX-200数字化中波发射机为例,介绍射频功率放大器的工作原理。对于其他功率等级的发射机,可以举一反三。 展开更多

关键词 射频功率放大器 调制器 场效应管

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吸尘器电源的场效应管失效分析与改进

2

作者 关卫斌 古琛琛 高家材 《电动工具》 2023年第3期25-27,共3页

电子产品高质量发展的核心任务是提高产品的可靠性,对电子元器件的失效分析成为半导体技术的研究热点。以某吸尘器电源控制板故障为例,对场效应管进行失效分析,提出相应的改进方案。

关键词 电源故障 失效分析 场效应管 产品可靠性

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方波交流高频焊接电弧特性

3

作者 任永元 王偲偲 陈樟海 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1993年第5期296-300,共5页

论述以功率场效应管作为逆变元件的方波交流高频弧焊电源，讨论了方波交流高频电弧特性与规律，提出了方波交流高频弧焊电源是由正半波方波高频脉冲焊与负半波方波高频脉冲焊的组合．

关键词 方波交流焊接 电弧 逆变电源 焊接

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MLE20/MJD20在甲类功率放大器中的应用

4

作者 王东起 《电子科技》 2014年第11期120-122,127,共4页

针对传统甲类功率放大器电路复杂、电路稳定性较差的缺点,设计开发了一种新的基于全对称互补差分放大电路的甲类功率放大器。该放大器采用MLE20/MJD20绝缘栅型场效应管作为电流放大管,通过对差分输入级、电压放大级、功率输出级中各元... 针对传统甲类功率放大器电路复杂、电路稳定性较差的缺点,设计开发了一种新的基于全对称互补差分放大电路的甲类功率放大器。该放大器采用MLE20/MJD20绝缘栅型场效应管作为电流放大管,通过对差分输入级、电压放大级、功率输出级中各元件参数的合理设计,降低了功率放大器的输出内阻,提高了电路的驱动能力及电路的稳定性。 展开更多

关键词 甲类功率放大器 场效应管 音频放大器 MLE20/MJD20

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后摩尔时代大规模集成电路器件与集成技术 被引量：19

5

作者 黎明 黄如 《中国科学：信息科学》 CSCD 北大核心 2018年第8期963-977,共15页

本文梳理了微纳电子器件技术从等比例缩小的技术路线发展到以功耗降低为核心的后摩尔时代技术路线的过程,阐述了从等比例缩小到功耗缩小的微纳电子器件技术发展趋势,并对后摩尔时代大规模集成电路的新器件与工艺技术,包括Fin FET、围栅... 本文梳理了微纳电子器件技术从等比例缩小的技术路线发展到以功耗降低为核心的后摩尔时代技术路线的过程,阐述了从等比例缩小到功耗缩小的微纳电子器件技术发展趋势,并对后摩尔时代大规模集成电路的新器件与工艺技术,包括Fin FET、围栅晶体管、新型隧穿器件、单片三维集成工艺等进行了较为系统的分析,试图为大规模集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点. 展开更多

关键词 集成电路 等比例缩小 低功耗 微电子器件 FINFET 围栅晶体管 隧穿晶体管 单片三维集成 摩尔定律

原文传递

功率器件功率循环测试技术的挑战与分析 被引量：7

6

作者 邓二平 严雨行 +4 位作者 陈杰 谢露红 王延浩 赵雨山 黄永章 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第13期5132-5150,共19页

功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验,尤其是碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的快速发展,是近几年的研究热点。与其... 功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验,尤其是碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的快速发展,是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是,功率循环测试原理虽然简单,但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉,处理不当将得到错误的结论。文中基于功率循环测试基本原理,从测试技术、测试方法和数据处理3个大方面对其存在的挑战进行深入分析,并提出相应的解决方案。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点,电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性,数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件SiC MOSFET的相关测试方法,其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命,需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发,探究测试样本数量和对测试结果的修正,以得到准确的测试结果。该文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定一定理论和方法基础,为功率循环测试和数据分析提供一些借鉴。 展开更多

关键词 功率器件 碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管 功率循环测试 挑战与分析

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高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究 被引量：11

7

作者 游海龙 蓝建春 +2 位作者 范菊平 贾新章 查薇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期485-491,共7页

高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中... 高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知,HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态,热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化.MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致,验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型. 展开更多

关键词 高功率微波 n型金属.氧化物-半导体场效应晶体管 热载流子 特性退化

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基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源 被引量：5

8

作者 陈静 陈敏德 《信息与电子工程》 2008年第3期230-232,共3页

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开... 为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。 展开更多

关键词 “过”驱动 功率MOS型场效应管 纳秒 高压 宽脉冲

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一种电力电子变换器功率MOSFET阈值电压在线监测方法 被引量：5

9

作者 任磊 龚春英 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第15期3627-3634,共8页

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的健康监测技术对于保障电力电子装置的可靠性具有重要意义。对于功率MOSFET来说,阈值电压发生偏移是其门极氧化物发生衰退或其结温发生变化的重要标志,因而实现阈值电压的实时在线监测具有... 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的健康监测技术对于保障电力电子装置的可靠性具有重要意义。对于功率MOSFET来说,阈值电压发生偏移是其门极氧化物发生衰退或其结温发生变化的重要标志,因而实现阈值电压的实时在线监测具有重要意义。传统的阈值电压监测,需要同时监测功率MOSFET的栅源极电压以及漏极电流。监测漏极电流时,电流测量量程需要设置得足够宽以覆盖电路的正常工作电流范围,否则会导致监测开启电流波形时发生畸变。但是,若量程设置得足够宽,这又会导致量化误差的增大,以至于无法精确监测开启电流。该文利用电力电子电路中的寄生电感,提出了一种简单易实现的阈值电压在线监测方法,该方法无需电流传感器,能够实现对阈值电压的在线精确跟踪。最后,仿真和实验结果验证了所提测量方法的有效性。 展开更多

关键词 状态监测 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 结温 在线监测

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30V条件下功率MOSFET器件应力波理论与试验研究 被引量：5

10

作者 何赟泽 邹翔 +5 位作者 李孟川 周雅楠 赵志斌 黄守道 佘赛波 白芸 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第16期5683-5692,共10页

功率金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)在电磁热机等物理场相互作用下产生的应力波,对器件的可靠性设计和状态监测有重要意义。根据理论分析可知,功率MOSFET开通或关断可以产... 功率金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)在电磁热机等物理场相互作用下产生的应力波,对器件的可靠性设计和状态监测有重要意义。根据理论分析可知,功率MOSFET开通或关断可以产生瞬态电磁场,器件中的带电粒子在磁场中所受洛伦兹力,因此产生机械应力波。在30V低压条件下,采用脉冲测试电路并对功率MOSFET进行试验,应用声发射测量平台采集试验过程中功率MOSFET器件产生的瞬态电磁场和机械应力波。对不同电气参数下得到的声发射信号进行处理和分析,发现器件漏源电压导致高频电磁波的产生,而栅源电压和漏源电压共同影响低频机械应力波,为功率MOSFET器件产生声发射现象提供理论依据。 展开更多

关键词 功率金属–氧化物半导体场效应晶体管 声发射 高频电磁波 机械应力波 可靠性 状态监测

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6.5kV高压全SiC功率MOSFET模块研制 被引量：5

11

作者 金晓行 李士颜 +4 位作者 田丽欣 陈允峰 郝凤斌 柏松 潘艳 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1753-1758,共6页

该文报道6.5kV、25A及100A两款全碳化硅(silicon carbide,SiC)功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块制备及测试结果。两款模块所采用的6.5kV SiC MOSFET及SiC肖特基二极管芯片均采用自主研制的高压Si... 该文报道6.5kV、25A及100A两款全碳化硅(silicon carbide,SiC)功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块制备及测试结果。两款模块所采用的6.5kV SiC MOSFET及SiC肖特基二极管芯片均采用自主研制的高压SiC芯片,充分显示了在SiC材料外延、器件制备及模块封装领域国产化方面的巨大进展。该文报道6.5kV、25A和100A两款模块动静态性能表征结果,并与国际研究报道水平做对比分析。室温下,两款模块导通能力分别大于25A和100A;栅源短接,在漏极电压6.5kV时,模块漏电流分别为2.0μA和8.77μA。对6.5kV、25A模块动态参数、开关波形进行测试,以表征单管芯MOSFET动态性能特性。在工作电压3.6kV、导通电流25A下,对模块进行动态测试,结果表明,SiC MOSFET具有快速的开关特性,其中开通时间(开通损耗)和关断时间(关断损耗)分别为140ns(12.3m J)和84ns(1.31m J)。测试结果表明,研制的全SiC模块具有优越的动静态性能,相对传统硅6.5kV绝缘栅双极晶体管芯片在开关速度及开关损耗方面具有巨大优势,该款6.5kV SiC功率模块在智能电网、电能转换及配电网络领域具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 碳化硅 碳化硅功率金属场效应晶体管模块 6.5kV 开关时间 开关损耗

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功率VDMOSFET单粒子效应研究 被引量：4

12

作者 段雪 郎秀兰 +6 位作者 刘英坤 董四华 崔占东 刘忠山 孙艳玲 胡顺欣 冯彬 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期573-576,共4页

阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS... 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。 展开更多

关键词 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源

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隧穿场效应晶体管的研究进展 被引量：3

13

作者 陶桂龙 许高博 +1 位作者 殷华湘 徐秋霞 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第10期707-718,共12页

隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器... 隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器件的优化进行了分析。并综述了隧穿场效应晶体管的研究进展，包括基于传统Ⅳ族材料、Ⅲ-Ⅴ族材料以及GeSn材料等的隧穿场效应晶体管，并对基于负电容效应的铁电隧穿场效应晶体管进行了简要分析与介绍。然后，对隧穿场效应晶体管的改良与优化方向进行了简单总结，研究表明采用新材料或新结构的器件可极大地改善隧穿场效应晶体管的电学性能。 展开更多

关键词 低功耗器件 隧穿场效应晶体管(TFET) 开态电流 开关电流比 亚阈值摆幅

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空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计 被引量：2

14

作者 张鹏飞 齐铂金 +1 位作者 郑敏信 张伟 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1102-1107,共6页

针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0～20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场... 针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0～20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的功耗,提高了恒流源的效率.测试结果表明：恒流源输出电流0～10 A连续可调,霍姆赫兹线圈中心磁感应强度能达到20 Gs的设计要求,电流稳定度优于0.1%,磁场稳定度优于1%. 展开更多

关键词 霍姆赫兹线圈 恒流源 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 比例积分微分(PID)控制 磁感应强度

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垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计 被引量：1

15

作者 杨嘉颖 利健 +3 位作者 黄昊 郑子阳 吴健华 贺威 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期359-364,共6页

主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺... 主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺杂浓度、漂移层的厚度、鳍宽度分别为5×10^(15)cm^(-3)、10μm、0.2μm时,得到高击穿电压为1150 V、低导通电阻为1.01 mΩ·cm^(2)、高Baliga优值为1.31 GW/cm^(2)。结果表明,通过本文方法优化的垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管可用于大功率和高压场合。 展开更多

关键词 氮化镓 鳍式功率场效应晶体管 击穿电压 导通电阻 Baliga优值

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C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管

16

作者 王福臣 陈克金 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期89-93,共5页

采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹... 采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹配电路，制成了Ｃ频段内匹配功率场效应晶体管。在大于５００ＭＨｚ的带宽内，１ｄＢ增益压缩输出功率达１８Ｗ，１ｄＢ压缩增益为８．３ｄＢ，功率附加效率达３０％。 展开更多

关键词 内匹配 砷化镓 功率 场效应晶体管

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碳化硅功率器件技术综述与展望 被引量：91

17

作者 盛况 任娜 徐弘毅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页

碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶... 碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。 展开更多

关键词 碳化硅 功率器件 二极管 结型场效应晶体管 金氧半场效晶体管 绝缘栅双极型晶体管 门极可断晶闸管

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中波广播发射机射频功放模块的故障检测与维修经验 被引量：14

18

作者 许力 陈福东 +1 位作者 徐秀红 唐庆滨 《中国有线电视》 2022年第9期42-45,共4页

简述中波广播发射机使用数量最多的功放模块构成、基本工作方式、故障判断方法,对功放模块中易损场效应管的几种检测方法及在存取、更换环节应注意事项进行说明。

关键词 射频功放模块 场效应管 导通

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一种半桥LLC高压电源设计与实现

19

作者 刘期辉 高文雷 +2 位作者 刘银川 郝保良 陈银杏 《现代电子技术》 北大核心 2024年第4期103-108,共6页

设计一种基于半桥LLC谐振变换器的高压电源,其基本结构包括逆变电路、谐振电路、倍压整流电路和反馈控制电路,可用于微波功率模块集成电源。为实现高压电源的高效率,详细分析了半桥LLC谐振电路中场效应管零电压开启的实现条件,并给出了... 设计一种基于半桥LLC谐振变换器的高压电源,其基本结构包括逆变电路、谐振电路、倍压整流电路和反馈控制电路,可用于微波功率模块集成电源。为实现高压电源的高效率,详细分析了半桥LLC谐振电路中场效应管零电压开启的实现条件,并给出了实现该条件所需电路关键参数的计算方法。通过计算机仿真辅助优化电路参数,降低了场效应管和变压器的损耗。最后,研制了一台高压电源原理样机,其输出电压为-3000 V,满载输出功率为300 W,在245~300 V输入电压范围内效率大于96%,峰值效率为97.5%。 展开更多

关键词 高压电源 半桥LLC谐振变换器 软开关 谐振电路 场效应管 仿真优化

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激光引信可调高频窄脉冲驱动电源设计 被引量：5

20

作者 徐孝彬 张合 张祥金 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第S1期23-28,共6页

针对激光近炸引信周向探测系统中高发射频率和高精度的难点问题,设计了激光引信可调高频窄脉冲驱动电源.通过对激光引信周向探测系统的介绍以及激光驱动电源放电回路建模与理论分析,应用FPGA中PLL锁相环及相移倍频法提高计时时钟频率,... 针对激光近炸引信周向探测系统中高发射频率和高精度的难点问题,设计了激光引信可调高频窄脉冲驱动电源.通过对激光引信周向探测系统的介绍以及激光驱动电源放电回路建模与理论分析,应用FPGA中PLL锁相环及相移倍频法提高计时时钟频率,实现可调高频脉冲触发信号,并经过高速整形电路与衰减电路控制信号幅值.运用场效应晶体管驱动器加速MOSFET管的导通,在电路中产生瞬时大电流.加工制作PCB板进行实验验证,实验结果表明:脉冲激光发射频率在0~30kHz可调,脉冲上升沿时间为10ns,脉宽20~40ns可调,激光峰值功率达到69.8 W.本设计可为激光近炸引信脉冲驱动电源设计提供参考. 展开更多

关键词 激光引信 脉冲激光 高速开关 驱动电源 场效应晶体管 窄脉冲 高频

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