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基于故障电流变化率的大功率本安电源设计 被引量:1
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作者 康骞 许春雨 +1 位作者 田慕琴 宋建成 《工矿自动化》 北大核心 2021年第2期6-12,共7页
针对现有本安电源存在的输出功率小、保护效果差、动态响应速度慢等问题,设计了一种基于故障电流变化率的大功率本安电源。将本安电源等效为电势电容(EC)电路,分析了EC电路短路故障特性:短路初始阶段火花放电电流迅速上升,电流变化率会... 针对现有本安电源存在的输出功率小、保护效果差、动态响应速度慢等问题,设计了一种基于故障电流变化率的大功率本安电源。将本安电源等效为电势电容(EC)电路,分析了EC电路短路故障特性:短路初始阶段火花放电电流迅速上升,电流变化率会发生突变。通过检测短路故障后电路中故障电流变化率的值,可以提前预知故障状态,在故障电流达到传统电流保护方法所设置的保护阈值之前便触发保护功能,并在短路故障的初始阶段切断输出回路,提高本安电源的输出功率。大功率本安电源包括开关电源和本安保护电路2个部分:开关电源采用反激变换结构,其控制电路以UC3842为核心,反馈电路以光耦与三端稳压器TL431为核心;本安保护电路基于故障电流变化率来限制火花放电的能量,主要包括故障检测电路、比较电路、自恢复电路、软启动电路、驱动电路。本安电源样机性能测试结果表明,交流输入电压在90~265 V波动时,本安电源功率因数不小于0.96,输出直流电压纹波在20 mV以内,电源效率在85%以上。短路实验结果表明,本安电源在发生短路故障后的瞬态输出能量为65μJ,满足设计要求。 展开更多
关键词 大功率本安电源 故障电流变化率 电势电容 开关电源 本安保护电路 反激变换 EC电路
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基于故障电流变化率的本安短路保护电路设计 被引量:5
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作者 康骞 许春雨 +1 位作者 田慕琴 宋建成 《煤炭工程》 北大核心 2022年第3期22-25,共4页
针对目前矿用本安电源存在的保护反应速度慢、输出功率小,无法满足井下用电需求、制约井下集成化和智能化生产的问题,设计了一种基于故障电流变化率的本安短路保护电路。本文将本安电源等效为电势电容电路并进行短路故障特性分析,发现... 针对目前矿用本安电源存在的保护反应速度慢、输出功率小,无法满足井下用电需求、制约井下集成化和智能化生产的问题,设计了一种基于故障电流变化率的本安短路保护电路。本文将本安电源等效为电势电容电路并进行短路故障特性分析,发现短路后故障电流迅速上升并发生突变;设计了基于故障电流变化率的本安短路保护电路,能够快速准确检测本安电源短路故障;本质安全性能测试结果表明:在发生短路故障后瞬态输出能量为80.667μJ,自恢复和软启动性能稳定,满足设计要求。 展开更多
关键词 电势电容 故障电流变化率 本安短路保护 本质安全
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电势电容电路短路火花放电影响因素分析 被引量:4
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作者 康骞 许春雨 +1 位作者 田慕琴 宋建成 《工矿自动化》 北大核心 2020年第8期38-43,63,共7页
现有针对容性电路电火花放电和大功率本安电源研究的模型和方法大多只考虑了储能元件在放电过程中的放电特性,没有考虑电源电势对容性电路放电特性的影响;在分析容性电路放电特性时都是在空载情况下进行的,没有考虑实际应用中带载的情... 现有针对容性电路电火花放电和大功率本安电源研究的模型和方法大多只考虑了储能元件在放电过程中的放电特性,没有考虑电源电势对容性电路放电特性的影响;在分析容性电路放电特性时都是在空载情况下进行的,没有考虑实际应用中带载的情况。针对上述问题,在分析容性电路短路火花放电特性的基础上,将本安电源等效为电势电容(EC)电路,引入电源电势与外部负载,建立其火花放电等效数学模型,推导在电路发生故障时火花放电电流、放电电压和放电功率的数学表达式,并结合数学模型和Matlab进行了仿真研究,分析了电源电势、滤波电容、短路回路电阻及短路前负载电流对短路故障时火花放电电流、放电电压及放电功率的影响。理论分析和仿真结果表明,EC电路短路时火花放电电流与火花放电功率在起始阶段迅速上升到最大值,后缓慢下降,火花放电电压迅速下降到最小值;EC电路短路时,不改变其他电路参数,随着电源电势增大,火花放电电流明显增大,火花放电功率也明显增大,对电路本质安全性能威胁较大;随着滤波电容增大,火花放电电流尖峰增大,火花放电功率增大,需要考虑输出电压纹波与本质安全性能,合理选择滤波电容的容值;随着短路时的回路电阻增大,火花放电电流明显减小,火花放电功率也明显减小,能够有效提升电路本质安全性能;随着短路前负载电流增大,火花放电电流与火花放电功率有所增大,但增大不明显,对电路的本质安全性能影响不大。 展开更多
关键词 大功率本安电源 电势电容 EC电路 容性电路 火花放电 短路故障 电源电势 本质安全
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RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变现象 被引量:5
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作者 钟庆东 王艳珍 +2 位作者 李红蕊 M.Rohwerder M.Strattman 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期85-90,共6页
为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3... 为了了解RTV涂膜在电解质液膜下的半导体转变规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了室温硫化(RTV)涂膜在质量分数为5%的硫酸钠溶液中的导电行为。研究发现,RTV涂膜表现为极弱的p型半导体特征,电子受体密度NA约为1019m-3。随着浸泡时间的延长,RTV涂膜的导电行为从初期的p型半导体转变为绝缘体,RTV涂膜的空间电荷层电容CSC变化不大。随着测试频率的增加,RTV涂膜的CSC则逐渐减小。这一现象对RTV涂料的应用有一定指导意义。 展开更多
关键词 电位-电容法 Mott-Schottky分析 RTV涂膜 半导体转变 P型 N型
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ZnO-Bi_2O_3二元陶瓷粉体电化学行为研究 被引量:3
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作者 王艳珍 钟庆东 +1 位作者 巫欣欣 施利毅 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第15期1743-1748,共6页
采用电化学阻抗谱和电位-电容测试及Mott-Schottky分析技术研究了ZnO-Bi2O3粉体电极在0.5mol/LNaCl溶液中的电化学行为.研究表明,ZnO-Bi2O3粉体表现为n型半导体;随着Bi2O3含量的增加或混合时间的延长,粉体的阻抗增大,空间电荷层电容Csc... 采用电化学阻抗谱和电位-电容测试及Mott-Schottky分析技术研究了ZnO-Bi2O3粉体电极在0.5mol/LNaCl溶液中的电化学行为.研究表明,ZnO-Bi2O3粉体表现为n型半导体;随着Bi2O3含量的增加或混合时间的延长,粉体的阻抗增大,空间电荷层电容Csc减小,载流子浓度ND减小;经高温烧结成二元压敏陶瓷,随着混合时间的延长,电阻片综合电性能越好.该方法可有效评价二元陶瓷粉体混合均匀性. 展开更多
关键词 电化学阻抗谱 电位-电容法 Mott-Schottky分析 载流子浓度
原文传递
Modeling and Simulations in Symmetrical Supercapacitors Using Time Domain Mathematical Expressions
6
作者 Antonio Paulo Rodrigues Fernandez Elio Alberto Périgo Rubens Nunes de Faria Júnior 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2022年第10期3083-3100,共18页
This study presents the deduction of time domain mathematical equations to simulate the curve of the charging process of a symmetrical electrochemical supercapacitor with activated carbon electrodes fed by a source of... This study presents the deduction of time domain mathematical equations to simulate the curve of the charging process of a symmetrical electrochemical supercapacitor with activated carbon electrodes fed by a source of constant electric potential in time ε and the curve of the discharge process through two fixed resistors. The first resistor R<sub>Co</sub> is a control that aims to prevent sudden variations in the intensity of the electric current i<sub>1</sub>(t) present at the terminals of the electrochemical supercapacitor at the beginning of the charging process. The second resistor is the internal resistance R<sub>A</sub> of the ammeter used in the calculation of the intensity of the electric current i<sub>1</sub>(t) over time in the charging and discharging processes. The mathematical equations generated were based on a 2R(C + kU<sub>C</sub>(t)) electrical circuit model and allowed to simulate the effects of the potential-dependent capacitance (kU<sub>C</sub>(t)) on the charge and discharge curves and hence on the calculated values of the fixed capacitance C, the equivalent series resistance (ESR), the equivalent parallel resistance (EPR) and the electrical potential dependent capacitance index k. 展开更多
关键词 Symmetrical Supercapacitors Electrical Circuit Modeling potential Dependent capacitance Simulation of Charge and Discharge Curves Time Domain Mathematical Equations
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碳钢/醇酸涂层在5% NaCl溶液中的极化及半导体行为 被引量:2
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作者 王超 盛敏奇 +2 位作者 钟庆东 周国治 鲁雄刚 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期709-715,共7页
采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了碳钢/醇酸涂层在5% NaCl溶液侵蚀下腐蚀失效过程中的极化及半导体行为.浸泡2h,电极形成了MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)结构,涂层半导体为n型导电,半导体载流子密度为4.99×10... 采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了碳钢/醇酸涂层在5% NaCl溶液侵蚀下腐蚀失效过程中的极化及半导体行为.浸泡2h,电极形成了MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)结构,涂层半导体为n型导电,半导体载流子密度为4.99×109cm-3,腐蚀仅受水和离子在涂层中的扩散控制;浸泡1d和2d时,涂层在电场下发生偶极极化,偶极电场阻碍载流子的迁移,偶极弛豫效应使微分电容随外加电位绝对值增大而减小,并造成电位-电容行为的频率依赖性;浸泡7~17d涂层发生空间电荷极化,碳钢与涂层形成了金属/半导体接触,随着浸泡时间延长,涂层载流子密度逐渐增加,平带电位正移,功函数逐渐减小,对电子束缚能力减弱,随外加电位的增加,金属/醇酸涂层界面势垒升高,空间电荷层成为阻挡层,电极载流子输运受涂层孔隙电阻、空间电荷层、金属基底反应动力学三重控制. 展开更多
关键词 电位-电容测试 Mott—Schottky分析 半导体 腐蚀 极化
原文传递
纳米TiO_2对RTV硅橡胶涂膜导电的影响 被引量:1
8
作者 钟庆东 李红蕊 +1 位作者 王艳珍 王超 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2107-2112,共6页
为了解纳米二氧化钛(TiO2)对室温硫化(RTV)硅橡胶涂膜半导体导电行为影响的规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了在硫酸钠的质量分数w(Na2SO4)=5%的硫酸钠溶液中纳米二氧化钛对RTV硅橡胶涂膜的导电行为的影响。研究发现... 为了解纳米二氧化钛(TiO2)对室温硫化(RTV)硅橡胶涂膜半导体导电行为影响的规律,采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术研究了在硫酸钠的质量分数w(Na2SO4)=5%的硫酸钠溶液中纳米二氧化钛对RTV硅橡胶涂膜的导电行为的影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体后,RTV硅橡胶涂膜的空间电荷层电容Csc减小,该涂膜的空间电荷层厚度增加。随着浸泡时间的延长,涂膜的空间电荷层电容Csc逐渐增加,表明涂膜的空间电荷层厚度随浸泡时间延长而有逐渐减小的趋势。添加纳米二氧化钛粉体,可促进RTV硅橡胶涂膜的导电行为由n型半导体导电特征转变为p型半导体导电特征,当所添加的纳米二氧化钛的质量分数w(TiO2)=2%时,RTV硅橡胶涂膜转变为绝缘态。 展开更多
关键词 电位-电容法 Mott-Schottky分析 纳米二氧化钛 RTV硅橡胶涂膜 半导体转变 N型 P型
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纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响
9
作者 钟庆东 李红蕊 +1 位作者 王艳珍 施利毅 《中国粉体工业》 2008年第4期5-10,共6页
本文研究目的是了解纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响规律。本文采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术,研究了纳米二氧化钛对RTV涂膜在5%硫酸钠溶液中的导电行为影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体,RTV涂膜Csc减小,其... 本文研究目的是了解纳米二氧化钛对RTV涂膜半导体导电行为的影响规律。本文采用电位-电容法结合Mott-Schottky分析技术,研究了纳米二氧化钛对RTV涂膜在5%硫酸钠溶液中的导电行为影响。研究发现,添加纳米二氧化钛粉体,RTV涂膜Csc减小,其涂膜空间电荷层厚度增加。随着浸泡时间的延长,涂膜空间电荷电容Csc逐渐增加,表明涂膜中空间电荷层厚度随浸泡时间延长有逐渐减小趋势。添加纳米二氧化钛粉体,可促进RTV涂膜的导电行为由n型半导体导电特征转变为p型半导体导电特征,在添加量达2%时,转变为绝缘态。提出了RTV涂膜失效的半导体转变模型,纳米二氧化钛的作用正好与之相反。 展开更多
关键词 电位-电容法 Mott-Schottky分析 纳米 二氧化钛 RTV涂膜 半导体转变 N型 P型
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