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CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
被引量：
2
1
作者
何宝平
陈伟
+1 位作者
张凤祁
姚志斌
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期232-236,共5页
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、10...
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围为0．65～0．76eV和0．75～0．95eV；25-250℃等时退火的激发能范围在0．5～1．1eV之间，峰值位于0．81eV。
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关键词
辐照后
cmos
器件
等时退火
等温退火
激发能
下载PDF
职称材料
题名
CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
被引量：
2
1
作者
何宝平
陈伟
张凤祁
姚志斌
机构
西北核技术研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期232-236,共5页
文摘
对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100℃等温和25-250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围为0．65～0．76eV和0．75～0．95eV；25-250℃等时退火的激发能范围在0．5～1．1eV之间，峰值位于0．81eV。
关键词
辐照后
cmos
器件
等时退火
等温退火
激发能
Keywords
post
-
irradiation
cmos
transistor
isochronal
annealing
isothermal
annea-
ling
activation
energy
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定
何宝平
陈伟
张凤祁
姚志斌
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
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参考文献
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