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硅基发光材料研究进展 被引量:14
1
作者 鲍希茂 宋海智 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期601-611,共11页
硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展,已实现了硅基光电子集成,随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓。与此同时,在新的理论认识与技术条件下,硅材料改性,... 硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展,已实现了硅基光电子集成,随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓。与此同时,在新的理论认识与技术条件下,硅材料改性,杂质发光,缺陷工程和硅基异质外延也呈现出新的发展趋势。硅基发光材料的发光波段已覆盖了从红外,可见到紫外的宽阔范围,正在为全色显示和光电子集成奠定材料和技术基础。 展开更多
关键词 发光材料 光电子学 多孔硅 低维材料
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用电化学方法制备多孔硅 被引量:13
2
作者 田斌 胡明 张之圣 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期823-826,共4页
为了深入了解多孔硅的特性,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层.结果发现,在本试验控制条件下,p+掺杂的硅比n+的容易腐蚀,而且孔的分布也比较均匀.轮廓仪的分析表明,电化学方法形成的多孔硅表面和内部结构比... 为了深入了解多孔硅的特性,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层.结果发现,在本试验控制条件下,p+掺杂的硅比n+的容易腐蚀,而且孔的分布也比较均匀.轮廓仪的分析表明,电化学方法形成的多孔硅表面和内部结构比较规则,而且深度比较大,可在MEMS技术中得到广泛应用.对试验中出现的龟裂现象进行了分析,认为这是由于孔内液体挥发产生的毛细应力多孔硅氧化过程中因晶格膨胀和易位形成的应力联合作用的结果. 展开更多
关键词 多孔硅 电化学方法 形貌 龟裂
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纳米复合含能材料的研究进展 被引量:19
3
作者 郁卫飞 黄辉 +3 位作者 聂福德 张启戎 李海波 李金山 《含能材料》 EI CAS CSCD 2005年第5期340-343,共4页
对纳米复合材料的研究进展进行了综述,例举多种纳米复合材料的制备方法:sol-gel法、溶剂/非溶剂法、高能研磨法、多孔金属/填充物复合法。对这些制备方法及制品的性能进行了分析,认为纳米复合材料提供了研究含能材料的新角度,改进了纳... 对纳米复合材料的研究进展进行了综述,例举多种纳米复合材料的制备方法:sol-gel法、溶剂/非溶剂法、高能研磨法、多孔金属/填充物复合法。对这些制备方法及制品的性能进行了分析,认为纳米复合材料提供了研究含能材料的新角度,改进了纳米粉体含能材料储存使用过程的安全性,减轻了粒子团聚现象,有利于充分发挥材料的纳米特性。纳米复合含能材料的制备技术、制备工艺参数及制品结构对其性能的影响规律研究还处在探索阶段,今后还需理论和实践两个方面进行更加深入地分析、探讨。 展开更多
关键词 材料科学 含能材料 纳米科技 溶胶凝胶 多孔硅 综述 纳米复合材料 含能材料 SOL-GEL法 制备工艺参数 制备方法 非溶剂法 多孔金属 纳米粉体 团聚现象
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微拉曼光谱技术及其在微结构残余应力检测中的应用 被引量:12
4
作者 邱宇 雷振坤 +3 位作者 亢一澜 胡明 徐晗 牛红攀 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期389-392,共4页
多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂... 多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂。微拉曼光谱法 (micro Ramanspectroscopy ,MRS)是近些年来在化学、物理、材料和力学等学科领域迅速发展的光学测量方法。文中对这一方法进行介绍 ,并且用来测量化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力 ,发现随着孔隙率的增加 ,多孔硅表面的拉伸应力逐渐增大。特别对某一样品出现裂纹区的拉曼测量表明 ,在裂纹区的残余应力急剧上升 ,达到了 0 .92GPa。使用金相显微镜观察不同孔隙率的多孔硅薄膜表面的微观形貌 ,这种不同程度的微观孔穴结构与残余应力的分布存在着紧密的联系。 展开更多
关键词 残余应力 拉曼光谱法 孔隙率 裂纹 多孔硅
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纳米硅/氧化硅体系光致发光机制 被引量:14
5
作者 秦国刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期165-173,共9页
实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望... 实际研究的多孔硅几乎都是氧化程度不同的氧化多孔硅,它与另一大类硅基发光材料纳米硅镶嵌氧化硅有相似的结构和发光特徵.两者都是由大量为氧化硅所包裹的纳米硅组成,可统称为纳米硅/氧化硅体系.它是当前研究最多并被普遍认为很有希望的硅基发光材料体系.本文主要讨论纳米硅/氧化硅体系光致发光的机制,文中扼要介绍了我自己所在的研究小组近十几年来的一些相关研究工作. 展开更多
关键词 纳米硅 氧化硅体系 光致发光 发光机制 半导体
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多孔硅及其应用研究展望 被引量:6
6
作者 王清涛 李清山 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期301-304,317,共5页
介绍了多孔硅的形成机制、光致发光机制 。
关键词 多孔硅 量子线 量子限制效应 形成机制 光致发光机制 Beale耗尽模型 扩散限制模型
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多孔硅的表面碳膜钝化 被引量:9
7
作者 李宏建 彭景翠 +2 位作者 颜永红 瞿述 向建南 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期104-108,共5页
报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果。红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si—C.Si—N和Si—O键所覆盖;荧光光谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4~4.5倍.且发光峰位明显蓝... 报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结果。红外吸收光谱表明,经钝化处理样品的表面由Si—C.Si—N和Si—O键所覆盖;荧光光谱表明,经钝化处理的样品较未处理的样品发光强度提高4~4.5倍.且发光峰位明显蓝移;存放实验显示,经钝化处理的样品发光强度稳定、发光峰位不变。这些结果表明,正丁胺可以在多孔硅表面形成优良的钝化碳膜,是一种十分有效的多孔硅后处理途径。 展开更多
关键词 多孔硅 碳膜 表面钝化 荧光光谱
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电化学制备薄黑硅抗反射膜 被引量:13
8
作者 刘光友 谭兴文 +2 位作者 姚金才 王振 熊祖洪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期514-518,共5页
采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm.利... 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果. 展开更多
关键词 多孑L硅 折射率 抗反射膜 黑硅
原文传递
粗糙表面的可控润湿性研究 被引量:12
9
作者 朱亮 冯焱颖 +2 位作者 叶雄英 武雁斌 周兆英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1709-1712,共4页
本文利用微机械加工技术,通过改变材料表面微观几何结构,研究材料表面微结构对于表观润湿性的影响规律.我们在以前工作的基础上,分别研究了不同设计尺寸的表面微柱阵列结构的亲水表面的表观接触角的变化,研究结果表明,通过改变材料表面... 本文利用微机械加工技术,通过改变材料表面微观几何结构,研究材料表面微结构对于表观润湿性的影响规律.我们在以前工作的基础上,分别研究了不同设计尺寸的表面微柱阵列结构的亲水表面的表观接触角的变化,研究结果表明,通过改变材料表面的微结构,在亲水的本征表面上,粗糙表面的表观接触角更加符合Wenzel的理论预测.文章也通过在微柱表面利用化学腐蚀方法制作多孔硅结构的方法,形成了具有阶层结构的粗糙表面.具有多孔硅结构和微柱阵列的疏水表面(OTS)上,测得最大接触角是157.18o. 展开更多
关键词 超疏水表面 粗糙度 润湿性 微机械加工 多孔硅
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多孔硅的不同制备方法及其光致发光 被引量:7
10
作者 王晓静 李清山 王佐臣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期203-207,共5页
目前,多孔硅的制备方法已有许多种。我们用电化学方法、光化学方法和化学方法分别制备出了室温下在可见光区发射光荧光的多孔硅。通过对实验装置、制备条件、样品的成膜过程及其光致发光(PL)光谱的比较,分析解释了其成膜机理和PL光谱的... 目前,多孔硅的制备方法已有许多种。我们用电化学方法、光化学方法和化学方法分别制备出了室温下在可见光区发射光荧光的多孔硅。通过对实验装置、制备条件、样品的成膜过程及其光致发光(PL)光谱的比较,分析解释了其成膜机理和PL光谱的特点。认为虽然这三种方法都可以制备出多孔硅,但相比较而言,通过电化学方法制备的样品最均匀,实验的可重复性较强,因而电化学方法是被普遍采用的一种方法。另外在多孔硅的成膜过程中,自由载流子起着至关重要的作用。 展开更多
关键词 多孔硅 制备方法 光致发光 电化学方法 光化学方法 光致发光谱
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经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性 被引量:5
11
作者 刘小兵 熊祖洪 +2 位作者 史向华 袁帅 廖良生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期38-43,共6页
在一定偏压下用AlCl3+ C2H5OH+ H2O 混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3 与SiO... 在一定偏压下用AlCl3+ C2H5OH+ H2O 混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3 与SiOx 结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因. 展开更多
关键词 多孔硅 光致发光 钝化 氧化铝 氧化硅
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发光不衰减的多孔硅 被引量:8
12
作者 李新建 张裕恒 《物理》 CAS 1999年第4期195-197,共3页
用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅.如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2—25倍.将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前4个月中单调增加,然后达到饱和.在随后的8个月中,... 用一种新的方法制备出了具有不衰减的光致发光特性的多孔硅.如此制备的多孔硅新鲜样品,其发光峰位强度比普通多孔硅高2—25倍.将样品在室温下暴露于空气中,其发光强度在前4个月中单调增加,然后达到饱和.在随后的8个月中,没有观察到发光衰减,发光峰位也没有发生变化.这种发光稳定性被归因于多孔硅表面所形成的稳定的Fe-Si键.文章探讨了发光不衰减、峰位不蓝移的机理,并为多孔硅发光的量子限域模型提供了强有力的证据. 展开更多
关键词 多孔硅 光致发光 量子限域模型 光电子材料
原文传递
用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究 被引量:8
13
作者 谢荣国 席珍强 +2 位作者 马向阳 袁俊 杨德仁 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第4期507-509,567,共4页
采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的... 采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330~ 80 0nm范围反射率只有 1 5~ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 。 展开更多
关键词 化学腐蚀 制备 多孔硅 太阳电池 减反射膜 硅片 氢氟酸 硝酸
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多孔硅的形成与理论分析 被引量:7
14
作者 王清涛 李清山 +1 位作者 董艳锋 冀会辉 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期57-58,76,共3页
综述了多孔硅的形成机制 ,并分别对用n_Si和
关键词 多孔硅 空间电荷层 形成机制 Beale耦合模型 扩散限制模型 阳极氧化 量子限制模型
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纳米硫化锌的原位制备及其对多孔硅复合体系发光的调控 被引量:8
15
作者 邢德松 石建新 +1 位作者 龚孟濂 庞起 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期24-26,共3页
Porous silicon-zinc sulfide nanocomposite(PS-ZnS) was prepared by in situ synthesis of ZnS via a simple polyphase reaction on the base of nano-PS. The formation of the composite was confirmed by X-ray diffraction(XRD)... Porous silicon-zinc sulfide nanocomposite(PS-ZnS) was prepared by in situ synthesis of ZnS via a simple polyphase reaction on the base of nano-PS. The formation of the composite was confirmed by X-ray diffraction(XRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), energy dispersive spectroscopy(EDS) and photoluminescence(PL) measurements. Based on the XRD data and the Debye-Scherrer equation, the size of the formed ZnS particles both on the surface and in the holes of the PS was calculated to be nano-scaled, ca. 5—7 nm. FE-SEM observation showed agglomeration for the ZnS particles with an average crystallite size of 30—40 nm, and the hole diameter of the PS was below 100 nm. PL measurements and CIE diagram analysis for the PS-ZnS composite samples indicated that the emitted light color from the composites could be modulated and controlled by changing the annealing conditions, from orange to violet-blue, and finally, white-light emitter of the composite was obtained. 展开更多
关键词 纳米硫化锌 原位制备 多孔硅 纳米复合材料 发光 色坐标
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化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 被引量:7
16
作者 胡明 田斌 +2 位作者 王兴 张景阳 张之圣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期223-224,共2页
 应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅...  应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长。 展开更多
关键词 多孔硅 表面形貌 化学刻蚀 制备 应力 微裂纹
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MEMS中的牺牲层技术 被引量:10
17
作者 张永华 丁桂甫 +1 位作者 李永海 蔡炳初 《微纳电子技术》 CAS 2005年第2期73-77,共5页
MEMS技术作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是MEMS应用中的关键,用以实现结构悬空和机械可动。本文介绍了MEMS技术发展中的几种牺牲层技术,并进行了简要评述。
关键词 微电子机械系统 牺牲层 多孔硅 光刻胶 干法释放
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多孔硅的后处理及其发光特性 被引量:7
18
作者 王水凤 姜乐 +2 位作者 戴丽丽 元美玲 唐小迅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期118-122,共5页
采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了... 采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。 展开更多
关键词 多孔硅 酸处理 阴极还原
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钝化多孔硅的光致发光 被引量:5
19
作者 李宏建 彭景翠 +2 位作者 许雪梅 瞿述 夏辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期34-37,共4页
选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝... 选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示 展开更多
关键词 多孔硅 钝化温度 光致发光谱
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多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为 被引量:7
20
作者 徐大印 刘彦平 +3 位作者 何志巍 方泽波 刘雪芹 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2694-2698,共5页
在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC :Tb薄膜 .对样品在N2 中进行了不同温度的退火处理 .用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构 .用荧光光谱仪测试了样品的光致发光 ,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰 .发现随着衬底加热温... 在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC :Tb薄膜 .对样品在N2 中进行了不同温度的退火处理 .用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构 .用荧光光谱仪测试了样品的光致发光 ,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰 .发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化 ,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象 .分析了产生这种现象的机理 ,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的 。 展开更多
关键词 多孔硅材料 碳化硅薄膜 光致发光 氧缺乏中心 射频溅射法 铽掺杂
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