期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析
1
作者
张通和
吴瑜光
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1994年第4期479-484,共6页
Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构：表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无序程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎ...
Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构：表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无序程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅化钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。
展开更多
关键词
掠角沟道分析
硅化钛
离子注入
精细结构
下载PDF
职称材料
题名
Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析
1
作者
张通和
吴瑜光
机构
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1994年第4期479-484,共6页
基金
国家自然科学基金
"八六三"高科技资助
北京市自然科学基金
文摘
Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构：表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无序程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅化钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。
关键词
掠角沟道分析
硅化钛
离子注入
精细结构
Keywords
low
angle
channeling
analysis
Ti
implantation
into
silicon
multilayer
structure
polycrystal
titanium
silicides
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析
张通和
吴瑜光
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1994
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
