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高频双极晶体管工艺特性研究
被引量：
1
1
作者
赵圣哲
张立荣
宋磊
《电子与封装》
2019年第7期40-44,共5页
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工...
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。
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关键词
高频双极晶体管
集电极深N阱
多晶硅刻蚀
多晶发射极
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职称材料
题名
高频双极晶体管工艺特性研究
被引量：
1
1
作者
赵圣哲
张立荣
宋磊
机构
深圳方正微电子有限公司
出处
《电子与封装》
2019年第7期40-44,共5页
文摘
高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性,已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨,重点研究了制作工艺中的难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品,对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究,可为实际的生产制造提供理论指导。
关键词
高频双极晶体管
集电极深N阱
多晶硅刻蚀
多晶发射极
Keywords
high
frequency
bipolar
transistors
collector
deep
N
well
poly
1
etch
poly
emitter
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高频双极晶体管工艺特性研究
赵圣哲
张立荣
宋磊
《电子与封装》
2019
1
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