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多晶硅发射极精确制造工艺研究
1
作者
杨小兵
孙金池
盖兆宇
《集成电路应用》
2023年第1期40-43,共4页
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件...
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件,CD尺寸侧向钻蚀小于0.5μm。
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关键词
多晶硅刻蚀
侧向钻蚀
多晶硅发射极刻蚀选择比
过刻蚀
下载PDF
职称材料
染色腐蚀法制备多晶硅的绒面
被引量：
1
2
作者
谷锦华
卢景霄
李维强
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002年第2期59-61,共3页
为了降低光的反射 ,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面 .对多晶硅的绒面进行了反射率和 SEM形貌测量 .在适当的腐蚀液中制备的 3× 3 cm2的多晶硅 ,其表面反射率在 3 0 0～ 1 0 0 0 nm波长范围为5 .7% .
关键词
染色腐蚀法
多晶硅
绒面
各向异性
电池
下载PDF
职称材料
题名
多晶硅发射极精确制造工艺研究
1
作者
杨小兵
孙金池
盖兆宇
机构
北京微电子技术研究
出处
《集成电路应用》
2023年第1期40-43,共4页
文摘
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件,CD尺寸侧向钻蚀小于0.5μm。
关键词
多晶硅刻蚀
侧向钻蚀
多晶硅发射极刻蚀选择比
过刻蚀
Keywords
poly
silicon
etching
CD
loss
poly
silicon
emitter
etching
ratio
over
etching
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
染色腐蚀法制备多晶硅的绒面
被引量：
1
2
作者
谷锦华
卢景霄
李维强
机构
郑州大学物理工程学院
出处
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002年第2期59-61,共3页
基金
河南省自然科学基金资助项目
文摘
为了降低光的反射 ,应用染色腐蚀法制备多晶硅的绒面 .对多晶硅的绒面进行了反射率和 SEM形貌测量 .在适当的腐蚀液中制备的 3× 3 cm2的多晶硅 ,其表面反射率在 3 0 0～ 1 0 0 0 nm波长范围为5 .7% .
关键词
染色腐蚀法
多晶硅
绒面
各向异性
电池
Keywords
poly
silicon
stain
etching
anisotropy
surface
texture
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶硅发射极精确制造工艺研究
杨小兵
孙金池
盖兆宇
《集成电路应用》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
染色腐蚀法制备多晶硅的绒面
谷锦华
卢景霄
李维强
《郑州大学学报（理学版）》
CAS
2002
1
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职称材料
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