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聚乙烯基咔唑对稀土络合物发光特性的影响
被引量：
1
1
作者
董金凤
杨盛谊
+7 位作者
徐征
刘舒曼
高新
章婷
张希清
张莉
杨展澜
吴瑾光
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期480-483,共4页
本文报导了稀土红色荧光络合物—Eu(TTA) m 复合体系与聚乙烯基咔唑 (PVK)共混体系的光致发光和电致发光性质。通过对吸收光谱和发射光谱的测量 ,可知在光致发光中存在 PVK向 Eu(TTA) m复合体系的能量传递 ,但在较大的掺杂浓度下仍存在...
本文报导了稀土红色荧光络合物—Eu(TTA) m 复合体系与聚乙烯基咔唑 (PVK)共混体系的光致发光和电致发光性质。通过对吸收光谱和发射光谱的测量 ,可知在光致发光中存在 PVK向 Eu(TTA) m复合体系的能量传递 ,但在较大的掺杂浓度下仍存在来自 PVK的发光。在电场激发条件下 ,此共混体系的电致发光仅有稀土络合物的特征发光而很难看到 PVK的特征发光。并且这种电致发光器件的稳定性明显改善 。
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关键词
稀土络合物
有机电致发光
发光特性
聚乙烯基咔唑
有机薄膜
原文传递
聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文)
被引量：
1
2
作者
彭应全
郑代顺
张旭
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期767-771,共5页
用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构...
用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构几乎没有发生变化 ,但PVK分子的侧基和In2 O3 分子结构发生了变化 ,因为界面处存在大量的 ,不能用制备过程的空气污染来解释的C O键 ;在界面处 ,In2 O3 分子部分分解 ,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C O键 ;所产生的In原子则扩散至PVK内部。
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关键词
聚乙烯咔唑
铟锡氧化物
X射线光电子能谱
原子力显微镜
pvk
ITO
界面电子状态
原文传递
聚乙烯咔唑LB膜的制备及其结构形态
被引量：
1
3
作者
胡振纲
张兴堂
+3 位作者
戴树玺
程纲
李蕴才
杜祖亮
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期630-633,共4页
利用LB技术 ,研究了具有光电活性的聚乙烯咔唑 (PVK)的单分子膜及PVK与十八胺 (ODA)混合分子膜的聚集结构形态 .结果表明纯PVK分子由于弱的亲水作用可以形成较好单分子膜 ,此时PVK分子形成片状聚集 ;而在混合体系中 ,在一定比例下PVK形...
利用LB技术 ,研究了具有光电活性的聚乙烯咔唑 (PVK)的单分子膜及PVK与十八胺 (ODA)混合分子膜的聚集结构形态 .结果表明纯PVK分子由于弱的亲水作用可以形成较好单分子膜 ,此时PVK分子形成片状聚集 ;而在混合体系中 ,在一定比例下PVK形成颗粒状团聚 .改变不同的比例可以得到不同的纳米图案 ,当PVK∶ODA =10∶1时形成尺寸较均一的纳米球状致密覆盖分子膜 ;当进一步增加PVK比例时 ,ODA不能再调控PVK聚集 ,混合膜表现出平坦的PVK ,ODA分相片状聚集 .
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关键词
聚乙烯咔唑
LB单层膜
制备
结构形态
原子力显微镜
有机光敏半导体聚合物材料
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职称材料
题名
聚乙烯基咔唑对稀土络合物发光特性的影响
被引量：
1
1
作者
董金凤
杨盛谊
徐征
刘舒曼
高新
章婷
张希清
张莉
杨展澜
吴瑾光
机构
北方交通大学光电子技术研究所
北京大学化学与分子工程学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期480-483,共4页
基金
国家自然科学基金!重大资助项目 ( 2 9992 5 3 0 )
北方交通大学攀登计划 (论文 )基金资助
文摘
本文报导了稀土红色荧光络合物—Eu(TTA) m 复合体系与聚乙烯基咔唑 (PVK)共混体系的光致发光和电致发光性质。通过对吸收光谱和发射光谱的测量 ,可知在光致发光中存在 PVK向 Eu(TTA) m复合体系的能量传递 ,但在较大的掺杂浓度下仍存在来自 PVK的发光。在电场激发条件下 ,此共混体系的电致发光仅有稀土络合物的特征发光而很难看到 PVK的特征发光。并且这种电致发光器件的稳定性明显改善 。
关键词
稀土络合物
有机电致发光
发光特性
聚乙烯基咔唑
有机薄膜
Keywords
orga
n
ic
electrolumi
n
esce
n
ce
(OEL)
poly
(
n
vinylcarbazole
)
(
pvk
)
Eu:(TTA)
m
complexes
e
n
ergy
tra
n
sfer
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文)
被引量：
1
2
作者
彭应全
郑代顺
张旭
机构
兰州大学物理科学与技术学说
甘肃联合大学理工学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期767-771,共5页
基金
ThisworkwassupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(60 0 760 2 3)
文摘
用原子力显微镜 (AFM)和X射线光电子能谱 (XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑 (PVK)薄膜的表面形貌和PVK/铟锡氧化物 (ITO)界面电子状态。结果表明 ,PVK分子虽然体积较大 ,但分布较均匀。XPS数据显示 ,在界面处PVK分子骨架和SnO2 分子结构几乎没有发生变化 ,但PVK分子的侧基和In2 O3 分子结构发生了变化 ,因为界面处存在大量的 ,不能用制备过程的空气污染来解释的C O键 ;在界面处 ,In2 O3 分子部分分解 ,所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C O键 ;所产生的In原子则扩散至PVK内部。
关键词
聚乙烯咔唑
铟锡氧化物
X射线光电子能谱
原子力显微镜
pvk
ITO
界面电子状态
Keywords
poly
(
n
vinylcarbazole
)(
pvk
)
i
n
dium
ti
n
oxide(ITO)
XPS
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O482.31 [理学—固体物理]
原文传递
题名
聚乙烯咔唑LB膜的制备及其结构形态
被引量：
1
3
作者
胡振纲
张兴堂
戴树玺
程纲
李蕴才
杜祖亮
机构
河南大学
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期630-633,共4页
基金
国家自然科学基金 (No.2 9971 0 0 8)
河南省杰出人才创新基金资助项目
文摘
利用LB技术 ,研究了具有光电活性的聚乙烯咔唑 (PVK)的单分子膜及PVK与十八胺 (ODA)混合分子膜的聚集结构形态 .结果表明纯PVK分子由于弱的亲水作用可以形成较好单分子膜 ,此时PVK分子形成片状聚集 ;而在混合体系中 ,在一定比例下PVK形成颗粒状团聚 .改变不同的比例可以得到不同的纳米图案 ,当PVK∶ODA =10∶1时形成尺寸较均一的纳米球状致密覆盖分子膜 ;当进一步增加PVK比例时 ,ODA不能再调控PVK聚集 ,混合膜表现出平坦的PVK ,ODA分相片状聚集 .
关键词
聚乙烯咔唑
LB单层膜
制备
结构形态
原子力显微镜
有机光敏半导体聚合物材料
Keywords
poly
(
n
-
vinylcarbazole
)
(
pvk
),
La
n
gmuir-Blodgett
mo
n
olayer,
atomic
force
microscopy
(AFM)
分类号
O633 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚乙烯基咔唑对稀土络合物发光特性的影响
董金凤
杨盛谊
徐征
刘舒曼
高新
章婷
张希清
张莉
杨展澜
吴瑾光
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
原文传递
2
聚乙烯咔唑 /铟锡氧化物的界面分析(英文)
彭应全
郑代顺
张旭
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
原文传递
3
聚乙烯咔唑LB膜的制备及其结构形态
胡振纲
张兴堂
戴树玺
程纲
李蕴才
杜祖亮
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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