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化学机械抛光中抛光垫的研究 被引量：20
1
作者 魏昕 熊伟 +1 位作者 黄蕊慰 袁慧 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第5期40-43,共4页
抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材... 抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构 ,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律 ,认为 :抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性 ,CMP过程材料去除率增大 ;采用表面合理开槽的抛光垫 ,可提高材料去除率 ,降低晶片表面的不均匀性 ;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较 。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 聚氨酯 修整
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固结磨料研磨与抛光的研究现状与展望 被引量：21
2
作者 李立明 李茂 朱永伟 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期17-22,共6页
分析了传统游离磨料研磨抛光存在的缺点和固结磨料的研磨抛光的优点;阐述了固结磨料研磨抛光的材料去除机制以及固结磨料研磨盘抛光技术在氮化硅陶瓷加工、半导体制程中的应用;介绍了多种固结磨料研磨盘、抛光垫的制作方法;并展望了固... 分析了传统游离磨料研磨抛光存在的缺点和固结磨料的研磨抛光的优点;阐述了固结磨料研磨抛光的材料去除机制以及固结磨料研磨盘抛光技术在氮化硅陶瓷加工、半导体制程中的应用;介绍了多种固结磨料研磨盘、抛光垫的制作方法;并展望了固结磨料的研磨抛光的发展趋势。 展开更多
关键词 固结磨料 抛光垫 研磨 抛光
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硅片化学机械抛光技术的研究进展 被引量：16
3
作者 徐嘉慧 康仁科 +1 位作者 董志刚 王紫光 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第4期24-33,共10页
随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性... 随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等。本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述。 展开更多
关键词 硅片 化学机械抛光 抛光液 抛光垫 抛光设备
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集成电路制造中的固结磨料化学机械抛光技术研究 被引量：10
4
作者 苏建修 康仁科 +2 位作者 郭东明 金洙吉 李秀娟 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期1-4,8,共5页
经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析,指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点,通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析,得出了固结磨料化学机械抛光技术的优点,同时还对硅片固结磨料... 经过对传统化学机械抛光技术的研究与分析,指出了目前ULSI制造中使用的传统化学机械抛光技术的缺点,通过对固结磨料化学机械抛光中的抛光垫结构、抛光机原理及抛光液的分析,得出了固结磨料化学机械抛光技术的优点,同时还对硅片固结磨料化学机械抛光的缺陷进行了研究。 展开更多
关键词 抛光技术 集成电路制造 磨料 固结 化学机械抛光 ULSI 抛光垫 抛光液 抛光机 传统
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碲锌镉晶体高效低损伤CMP工艺研究 被引量：12
5
作者 李岩 康仁科 +2 位作者 高航 吴东江 王可 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期416-421,共6页
本文采用新型的自行研制的化学机械抛光液,对碲锌镉晶体进行了化学机械抛光方法的尝试性试验,并分析了在化学机械抛光(CMP)过程中抛光垫的硬度、磨料的种类、氧化剂、抛光液的pH值对表面质量和材料去除率的影响,提出适合软脆功能晶体碲... 本文采用新型的自行研制的化学机械抛光液,对碲锌镉晶体进行了化学机械抛光方法的尝试性试验,并分析了在化学机械抛光(CMP)过程中抛光垫的硬度、磨料的种类、氧化剂、抛光液的pH值对表面质量和材料去除率的影响,提出适合软脆功能晶体碲锌镉的高效低损伤抛光工艺。结果表明,采用自行研制的带有硝酸的化学机械抛光液,在pH优化值为2.5时,15min即可获得Ra为0.67nm的超光滑无损伤表面,大大提高了加工效率和精度。 展开更多
关键词 碲锌镉 化学机械抛光 抛光垫 氧化剂
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化学机械抛光垫的研究进展 被引量：12
6
作者 曹威 邓朝晖 +1 位作者 李重阳 葛吉民 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期27-41,共15页
化学机械抛光(CMP)作为一种超精密加工技术,在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫设计制备、抛光垫磨损、抛光垫修整均会对化学机械抛光产生影响。首先从抛光垫基体、抛光垫表面纹理、... 化学机械抛光(CMP)作为一种超精密加工技术,在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫设计制备、抛光垫磨损、抛光垫修整均会对化学机械抛光产生影响。首先从抛光垫基体、抛光垫表面纹理、抛光垫结构等3个方面对抛光垫设计制备相关研究进行了综述,重点介绍了不同基体材质抛光垫的抛光性能,指出了各材质抛光垫的优缺点。其次,介绍了抛光和修整过程中的抛光垫磨损,对比了各研究者建立的抛光垫磨损模型,概述了抛光垫磨损监测技术的研究现状,并指出目前抛光垫磨损状态的监测手段较为单一,采用融合多传感器信号对抛光垫磨损状态进行监测,可以提高其监测精度。为了进一步探究抛光垫修整对抛光性能的影响,归纳了修整器的结构参数,以及修整参数对修整效果的影响,介绍了几种新型修整器结构,并综述了抛光垫自修整技术的研究进展。最后,总结了目前关于研究抛光垫设计制备、抛光垫磨损、抛光垫修整等方面存在的问题,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 设计制备 磨损 修整
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磨粒和抛光垫特性对蓝宝石超声化学机械抛光的影响 被引量：10
7
作者 钟敏 袁任江 +2 位作者 李小兵 陈建锋 许文虎 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期125-132,共8页
抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯... 抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯曲振动辅助化学机械抛光装置,研究金刚石、氧化铝和二氧化硅3种不同磨粒,以及表面多孔且无沟槽的聚氨酯抛光垫、IC1000抛光垫、IC1000和SubaⅣ复合抛光垫对蓝宝石材料去除率及抛光后表面粗糙度的影响。由质量损失求得的去除率和原子力显微镜表面形貌测试结果表明:二氧化硅抛光液的去除率3.2μm/h接近氧化铝抛光液去除率3.8μm/h,远大于金刚石抛光液去除率0.3μm/h,且其抛光后的蓝宝石表面光滑、无损伤;3种抛光垫抛光后的蓝宝石粗糙度接近,约0.10 nm,但聚氨酯抛光垫的去除率为3.2μm/h,远大于IC1000抛光垫的去除率1.9μm/h及复合垫的去除率1.6μm/h。二氧化硅抛光液和聚氨酯抛光垫适宜蓝宝石超声化学机械抛光工艺,可获得高去除率和原子级光滑表面。 展开更多
关键词 蓝宝石 超声弯曲振动 化学机械抛光 抛光液 抛光垫
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化学机械抛光中抛光垫表面沟槽的研究 被引量：8
8
作者 胡伟 魏昕 谢小柱 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2008年第1期77-79,共3页
抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为:负螺旋对数型沟槽抛光垫的性能最佳,沟槽的深度和宽度会影响加工区域抛光液的平均驻留时间、混和效率及成... 抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为:负螺旋对数型沟槽抛光垫的性能最佳,沟槽的深度和宽度会影响加工区域抛光液的平均驻留时间、混和效率及成分,沟槽的倾斜角度也会影响抛光效率,-20°倾斜角抛光垫的抛光效率最高。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 沟槽
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抛光垫特性对硬质合金刀片CMP加工效果的影响 被引量：9
9
作者 毛美姣 吴锋 胡自化 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期270-276,共7页
目的研究不同种类的抛光垫对硬质合金刀片表面化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization,CMP)加工过程的影响,为实现硬质合金刀片高效精密CMP加工提供有效参考。方法利用Nanopoli-100智能抛光机,通过自制的Al2O3抛光液... 目的研究不同种类的抛光垫对硬质合金刀片表面化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing/Planarization,CMP)加工过程的影响,为实现硬质合金刀片高效精密CMP加工提供有效参考。方法利用Nanopoli-100智能抛光机,通过自制的Al2O3抛光液,分别采用9种不同种类的抛光垫对牌号为YG8的硬质合金刀片进行CMP实验,将0~40、40~80、80~120 min三个加工阶段获得的材料去除率和表面粗糙度进行对比,同时观察最佳的表面形貌,分析抛光垫特性对CMP加工效果的影响。结果在抛光转速60 r/min,抛光压力177.8 k Pa的实验条件下,9种不同类型的抛光垫中仅有5种适合用于YG8硬质合金CMP加工。而且抛光垫的表面粗糙度在YG8刀片CMP加工过程中的影响最为显著,抛光垫表面粗糙度越高,CMP加工的材料去除率越高。此外,抛光垫的使用时间对CMP过程也有影响,抛光垫使用时间越长,CMP的材料去除率越小。结论 YG8硬质合金刀片经5种不同类型抛光垫CMP加工后,其表面的烧伤、裂纹等缺陷均得到了极大改善。当使用细帆布加工40 min时,材料去除率最高,为47.105 nm/min;当使用细帆布加工80min时,表面粗糙度最低,为0.039μm。 展开更多
关键词 化学机械抛光 硬质合金刀片 抛光垫
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化学机械抛光中抛光垫修整的作用及规律研究 被引量：5
10
作者 胡伟 魏昕 +1 位作者 谢小柱 黄平 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第5期58-63,共6页
抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。修整后抛光垫的性能主要由修整器的性能和相关的工艺参数决定。本文介绍常用金刚石修整器的颗粒性能、胎体材料及相关工艺参数,总结金刚石修整器在不同条件下对修整性能的影响规律,发现:金刚... 抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。修整后抛光垫的性能主要由修整器的性能和相关的工艺参数决定。本文介绍常用金刚石修整器的颗粒性能、胎体材料及相关工艺参数,总结金刚石修整器在不同条件下对修整性能的影响规律,发现:金刚石颗粒的类型影响修整效率,RAS越大,修整效率越高;颗粒尺寸的增大有利于提高修整效率;粘结力的增大,可以提高修整效率和使用寿命;颗粒的均匀排列有助于抛光垫表面沟槽的形成;使用陶瓷作为胎体材料,可以提高使用寿命;修整压力及转速的增大,可以提高修整效率;修整温度会对抛光垫的沟槽、微孔及硬度产生影响,温度的升高,可以改善修整质量;修整密度越大,抛光垫的磨损率越高。最后对金刚石修整器的发展趋势做出展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 修整 金刚石颗粒
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抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究 被引量：7
11
作者 王同庆 韩桂全 +2 位作者 赵德文 何永勇 路新春 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期394-399,共6页
利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去... 利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大. 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 300MM晶圆 铜互连 材料去除率 非均匀性 碟形凹陷
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无抛光垫化学机械抛光技术研究 被引量：7
12
作者 许雪峰 马冰迅 +1 位作者 胡建德 彭伟 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第20期2407-2411,共5页
应用双电层理论分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的相互作用机制,观察到SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯粒子表面的现象。分析了基于复合粒子抛光液的无抛光垫化学机械抛光技术特点及其材料去除机理。比较试验表明,基于复... 应用双电层理论分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的ζ电位及粒子间的相互作用机制,观察到SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯粒子表面的现象。分析了基于复合粒子抛光液的无抛光垫化学机械抛光技术特点及其材料去除机理。比较试验表明,基于复合粒子抛光液的硅片无抛光垫化学机械抛光具有与传统化学机械抛光相接近的材料去除率和硅片表面粗糙度值,并可避免工件塌边现象的产生。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 复合粒子 聚合物粒子
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新型抛光垫沟槽及其在化学机械抛光中的作用研究进展 被引量：7
13
作者 方照蕊 魏昕 +1 位作者 杨向东 邹微波 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2012年第2期77-81,共5页
化学机械抛光过程中,抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一,而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种常见抛光垫沟槽结构形状的特性及其作用研究的基础上,介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展,总结了几种新型... 化学机械抛光过程中,抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一,而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种常见抛光垫沟槽结构形状的特性及其作用研究的基础上,介绍了新型抛光垫沟槽的研究进展,总结了几种新型抛光垫沟槽对抛光效果的影响,为抛光垫沟槽特性的进一步研究提供参考。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 表面沟槽
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化学机械抛光用抛光垫的修整对修整效果的影响因素 被引量：6
14
作者 华钱锋 方海生 袁巨龙 《轻工机械》 CAS 2009年第5期48-51,共4页
抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。合理的修整可以改善修整效果,提高抛光质量。抛光垫的修整效果可以通过修整器的设计和修整工艺参数进行调整。文章通过对CMP用抛光垫修整现状的阐述,分析了对其修整效果的影响因素。金刚石颗... 抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。合理的修整可以改善修整效果,提高抛光质量。抛光垫的修整效果可以通过修整器的设计和修整工艺参数进行调整。文章通过对CMP用抛光垫修整现状的阐述,分析了对其修整效果的影响因素。金刚石颗粒的排列方式会影响修整效果,颗粒尺寸的增大会促进修整效率的提高.修整效率随着修整压力的增大而增大,修整时间和转速对修整效率有影响。温度的升高,可以改善修整质量,修整密度越大,抛光垫的磨损率越高。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 修整
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抛光垫在蓝宝石衬底化学机械抛光中的应用研究 被引量：5
15
作者 周海 王黛萍 +2 位作者 王兵 陈西府 冶远祥 《机械设计与制造》 北大核心 2009年第8期88-90,共3页
在分析化学机械抛光中常用抛光垫的材质、性能、表面结构基础上,研究了抛光垫对蓝宝石衬底抛光质量的影响规律:材质硬的抛光垫可提高衬底的平面度;材质软的抛光垫可改善衬底的表面粗糙度;表面开槽的抛光垫可提高抛光效率;表面粗糙的抛... 在分析化学机械抛光中常用抛光垫的材质、性能、表面结构基础上,研究了抛光垫对蓝宝石衬底抛光质量的影响规律:材质硬的抛光垫可提高衬底的平面度;材质软的抛光垫可改善衬底的表面粗糙度;表面开槽的抛光垫可提高抛光效率;表面粗糙的抛光垫可提高抛光效率;对抛光垫进行适当的修整可使抛光垫表面粗糙;用聚氨酯类抛光垫能够使得蓝宝石衬底的抛光面小于0.3nm的表面粗糙度。 展开更多
关键词 蓝宝石 衬底片 化学机械抛光 抛光垫
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碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究进展
16
作者 孙兴汉 李纪虎 +2 位作者 张伟 曾群锋 张俊锋 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期585-599,共15页
化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶... 化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶片表面材料去除非均匀性一直是一个具有挑战性的问题,减小晶片表面材料去除非均匀性对确保半导体器件的高性能和稳定性至关重要。本文介绍了碳化硅材料的性质及应用与化学机械抛光工艺,研究了不同碳化硅化学机械抛光技术的材料去除机理、不同化学机械抛光技术的发展状况和性能及优缺点,综述了碳化硅晶片化学机械抛光中材料去除非均匀性影响因素,如:抛光压力、抛光液(磨粒)和转速等因素,最后对未来碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究做出了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 材料去除 抛光压力 抛光液 抛光垫
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蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素 被引量：5
17
作者 宗思邈 刘玉岭 +2 位作者 牛新环 李咸珍 张伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第1期50-54,共5页
阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH... 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响。提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者。实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等。工艺参数为压力0.18MPa、温度45℃、转速60r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35μm/h。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石衬底 去除速率 nm级SiO2溶胶 抛光布
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光学加工中抛光垫特征对工件面形的影响分析 被引量：5
18
作者 谢瑞清 李亚国 +3 位作者 王健 陈贤华 黄浩 许乔 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期64-69,共6页
抛光是光学加工中获得超精密表面的主要手段。为明确抛光垫特征对平面光学元件抛光面形的影响规律,分析了抛光垫与工件之间的界面接触形式,并建立接触力学分析模型,运用有限元方法分析了工件与抛光垫之间的接触压力分布情况,获得了抛光... 抛光是光学加工中获得超精密表面的主要手段。为明确抛光垫特征对平面光学元件抛光面形的影响规律,分析了抛光垫与工件之间的界面接触形式,并建立接触力学分析模型,运用有限元方法分析了工件与抛光垫之间的接触压力分布情况,获得了抛光垫厚度及表面球半径等特征对抛光压力分布的影响规律。基于理论分析结果,提出了一种新的平面抛光面形控制技术。在实验中对一块尺寸为430mm×430mm×60mm的熔石英元件进行了加工,通过将抛光垫表面修整为微凸面,同时对抛光转速比进行精确控制,实现了工件面形精度的快速收敛。 展开更多
关键词 光学加工 抛光 工件面形 压力分布 抛光垫
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化学机械抛光工艺中的抛光垫 被引量：5
19
作者 周海 王黛萍 +2 位作者 王兵 陈西府 冶远祥 《机械工程与自动化》 2008年第6期73-75,共3页
抛光垫是晶片化学机械抛光中决定表面质量的重要辅料。研究了抛光垫对光电子晶体材料抛光质量的影响:硬的抛光垫可提高晶片的平面度;软的抛光垫可改善晶片的表面粗糙度;表面开槽和表面粗糙的抛光垫可提高抛光效率;对抛光垫进行适当的修... 抛光垫是晶片化学机械抛光中决定表面质量的重要辅料。研究了抛光垫对光电子晶体材料抛光质量的影响:硬的抛光垫可提高晶片的平面度;软的抛光垫可改善晶片的表面粗糙度;表面开槽和表面粗糙的抛光垫可提高抛光效率;对抛光垫进行适当的修整可使抛光垫表面粗糙。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 表面粗糙度
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叶序结构抛光垫表面的抛光液流场分析 被引量：4
20
作者 吕玉山 张田 +3 位作者 王军 李楠 段敏 邢雪岭 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期24-29,共6页
为了解决在化学机械抛光过程中抛光接触区域内抛光液的分布均匀性问题,基于生物学的叶序理论,设计葵花籽粒结构的仿生抛光垫,建立化学机械抛光抛光液流场的运动方程和边界条件,利用流体力学软件(Fluent)对抛光液的流动状态进行仿真,并... 为了解决在化学机械抛光过程中抛光接触区域内抛光液的分布均匀性问题,基于生物学的叶序理论,设计葵花籽粒结构的仿生抛光垫,建立化学机械抛光抛光液流场的运动方程和边界条件,利用流体力学软件(Fluent)对抛光液的流动状态进行仿真,并获得叶序参数对抛光液流动状态的影响规律。结果表明:抛光液在基于葵花籽粒的仿生抛光垫的流动是均匀的,抛光液沿着逆时针和顺时针叶列斜线沟槽流动,有利于流体向四周发散。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 抛光液 流场 叶序分布
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