本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波...本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波负载等效电路的极点,使其略高于零点频率,在保证了LNA通带增益和噪声的情况下提高了滤波深度.对所设计的LNA进行了EMX建模及仿真验证.结果表明,该LNA在6.5~10 GHz的工作频带内,S_(21)高达21.17~25.28 d B,S_(11)小于-10.58 d B;S_(22)小于-11.20 d B,带内噪声系数仅为2.14~2.51 d B;带阻滤波器在5.8 GHz处可提供-35.45 d B的噪声抑制;在0.9 V供电电压下,LNA的静态功耗仅为9.36 m W.展开更多
文摘本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波负载等效电路的极点,使其略高于零点频率,在保证了LNA通带增益和噪声的情况下提高了滤波深度.对所设计的LNA进行了EMX建模及仿真验证.结果表明,该LNA在6.5~10 GHz的工作频带内,S_(21)高达21.17~25.28 d B,S_(11)小于-10.58 d B;S_(22)小于-11.20 d B,带内噪声系数仅为2.14~2.51 d B;带阻滤波器在5.8 GHz处可提供-35.45 d B的噪声抑制;在0.9 V供电电压下,LNA的静态功耗仅为9.36 m W.
