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卤代烷第一电离能的变化规律研究 被引量:36
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作者 曹晨忠 曾荣今 刘胜利 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2000年第3期288-292,共5页
卤代烷RX的第一电离能Ip的变化规律可用如下方程表示:Ip(eV)=3.3380+0.7344Ep(X)+2.7424[(1/ax)qx]-1.4302PEI其中,Ep(X)、αx分别为卤素原子最外层P电子的电离能和原子极化度,qx是卤代烷RX分子中卤原子X所带的部分... 卤代烷RX的第一电离能Ip的变化规律可用如下方程表示:Ip(eV)=3.3380+0.7344Ep(X)+2.7424[(1/ax)qx]-1.4302PEI其中,Ep(X)、αx分别为卤素原子最外层P电子的电离能和原子极化度,qx是卤代烷RX分子中卤原子X所带的部分电荷,PEI是RX分子中烷基R的极化效应指数.研究结果表明用上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好. 展开更多
关键词 卤代烷 变化规律 极化效应指数 第一电离能
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单取代烷烃液相生成焓估算新方法 被引量:6
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作者 曹晨忠 高硕 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1028-1035,共8页
根据烷基R和取代基X(Cl、Br、I、OH、SH、NO2、CN、NH2、CHO和COOH等)本身的电子效应,应用烷基R的极化效应指数PEI和取代基X的电负性!X定量描述单取代烷烃RX中R和X间的相互作用,再结合已提出的C—C键和C—H键的键连接矩阵的特征根,建立... 根据烷基R和取代基X(Cl、Br、I、OH、SH、NO2、CN、NH2、CHO和COOH等)本身的电子效应,应用烷基R的极化效应指数PEI和取代基X的电负性!X定量描述单取代烷烃RX中R和X间的相互作用,再结合已提出的C—C键和C—H键的键连接矩阵的特征根,建立了一个估算单取代烷烃RX液相生成焓的方程:fH0(RX,l)=-39.5001X1CC+33.5508NCC-0.0789X1CH-25.7087NCH+0.1557Sij+0.9976H(X)-27.6642PEI(R)×X+31.5043X此方程用于估算RX的生成焓,不仅结果非常令人满意(其相关系数R达到0.9999,标准偏差SD仅为2.87kJ·mol-1),而且方程中各项参数的物理意义也非常明确,便于人们深入地理解分子结构与性能的关系.应用去一法(leave-one-out)对以上方程进行交叉验证分析表明该方程具有较好的稳定性和较强的预测能力.研究发现,著名的Luo氏方程是上述方程的一种特殊形式,上述方程是对Luo氏方程的一个较大扩展.该方法为研究更复杂体系内基团之间的相互作用提供了一种新的方法和思路. 展开更多
关键词 基团相互作用 键连接矩阵 特征根 极化效应指数 单取代烷烃 生成焓
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液体链烷烃导热率与分子结构的关系 被引量:4
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作者 仇明华 曹晨忠 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2002年第3期69-73,共5页
以烷烃分子中的结构单元及烷基极化效应指数 (PEI)作为独立变量 ,建立了不同温度下液体链烷烃导热率的推算关联模型 :λ =∑aiNi+b1 PEI(N) +b2 Tα,其中ai、b1 、b2 、α均为常数 ,Ni为分子中结构单元数目 ,PEI(N)为含N个碳原子的烷基... 以烷烃分子中的结构单元及烷基极化效应指数 (PEI)作为独立变量 ,建立了不同温度下液体链烷烃导热率的推算关联模型 :λ =∑aiNi+b1 PEI(N) +b2 Tα,其中ai、b1 、b2 、α均为常数 ,Ni为分子中结构单元数目 ,PEI(N)为含N个碳原子的烷基极化效应指数 ,T为温度 (K) ,λ为不同温度下液体链烷烃的导热率 .用该模型对 45种常见液体链烷烃的15 5个不同温度下的导热率文献值进行关联和推算 ,平均绝对误差小于 0 .0 0 4,平均相对误差小于 2 .85 % ,适用范围为C5~C2 4. 展开更多
关键词 分子结构 极化效应指数 结构单元 液体链烷烃 导热率 QSPR 导热系数
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碳中心自由基电离能QSPR研究 被引量:1
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作者 刘利 曹晨忠 《湘潭师范学院学报(自然科学版)》 2003年第3期45-51,共7页
对碳中心自由基R3C·的电离能提出以下模型方程进行定量关联。其中 ,XP(G)为自由基的均衡电负性 ,PEI是自由基中R基团或原子的极化效应指数 ,VNRP是价电子──非键电子排斥势 ,是自由基中R基团或原子的共轭效应 ,PX是基团变形势。
关键词 碳自由基 电离能 极化效应指数 pei 共轭效应 QSPR 中间体
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螺烯化合物邻接矩阵特征根与电离能的关系
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作者 曾荣今 曹晨忠 仇明华 《湖南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第1期75-78,共4页
考虑分子图顶点的性质,用分子拓扑学方法构建螺烯化合物新的邻接矩阵.研究发现新的邻接矩阵特征根与螺烯化合物的电离能有良好的相关性:Ipi(eV)=4.514+2.952OMOi,R=0.9897,s=0.154,n=129.用该方法计算共轭多环芳烃分子轨道能级,简便、... 考虑分子图顶点的性质,用分子拓扑学方法构建螺烯化合物新的邻接矩阵.研究发现新的邻接矩阵特征根与螺烯化合物的电离能有良好的相关性:Ipi(eV)=4.514+2.952OMOi,R=0.9897,s=0.154,n=129.用该方法计算共轭多环芳烃分子轨道能级,简便、无需占用大量机时.图1,表4,参11. 展开更多
关键词 螺烯化合物 邻接矩阵 特征根 电离能 分子拓扑学
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