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本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响
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作者 杜敬良 张会学 +3 位作者 姜利凯 勾宪芳 刘海涛 王丽婷 《太阳能》 2023年第11期25-32,共8页
以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度... 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响,然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响,并选出了最优厚度匹配方案。研究结果表明:1)n面本征氢化非晶硅薄膜的厚度越薄,n面非晶硅膜层的光透过率越高,但钝化效果会变差;当厚度达到5 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定。2)在n面本征氢化非晶硅薄膜厚度一定的情况下,随着p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度变厚,硅片的少子寿命先快速增加,当厚度达到9 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定;当厚度大于9 nm时,制备的HIT太阳电池的短路电流和填充因子均下降,表明其串联电阻增大,导致光电转换效率降低。3)当n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度分别为5、9 nm时,n面的钝化效果和光透过率匹配较好,p面的钝化效果和电阻率匹配最优,即为最优厚度匹配方案;此方案制备得到的HIT太阳电池的光电转换效率达到最高,为24.59%。 展开更多
关键词 异质结太阳电池 板式pecvd设备 本征氢化非晶硅薄膜 钝化 少子寿命 光透过率 电性能
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微波板式PECVD设备多晶硅片表面镀膜均匀性影响因素的研究 被引量：1
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作者 王贵梅 刘苗 +2 位作者 朱少杰 赵环 李影影 《太阳能》 2020年第12期56-61,共6页
由于多晶硅片表面在不同晶粒之间的晶格取向、绒面特性,反射率等方面都存在较大差别,因此在多晶硅片表面制备的SiNx膜的均匀性较差。研究微波板式PECVD设备相关配件对其在多晶硅片表面镀膜时膜层均匀性的影响。结果显示,石英管、耐高温... 由于多晶硅片表面在不同晶粒之间的晶格取向、绒面特性,反射率等方面都存在较大差别,因此在多晶硅片表面制备的SiNx膜的均匀性较差。研究微波板式PECVD设备相关配件对其在多晶硅片表面镀膜时膜层均匀性的影响。结果显示,石英管、耐高温胶带厂家的差异,气路的气孔个数差异,加热板、导波器的完好程度差异均会对微波板式PECVD设备在多晶硅片表面镀膜时的均匀性产生较大影响。 展开更多
关键词 多晶硅片 SiNx膜 微波板式pecvd设备 均匀性
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