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平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
1
作者
张帅君
李天信
+6 位作者
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电...
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
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关键词
扫描电容显微(SCM)
ingaas
平面型探测器
扩散行为
光电流响应
下载PDF
职称材料
平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究
被引量：
2
2
作者
李永富
唐恒敬
+3 位作者
李淘
朱耀明
李雪
龚海梅
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1580-1583,共4页
采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,...
采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。
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关键词
平面
ingaas
红外探测器
扩散电流
产生-复合电流
电流密度
面积周长比
原文传递
题名
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
1
作者
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
上海师范大学数理学院
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
基金
国家自然科学基金(11574336,11991063)
中国科学院战略性先导科技专项(XDB43010200)
上海市自然科学基金(18JC1420401,19ZR1465700,14ZR1446200)。
文摘
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
关键词
扫描电容显微(SCM)
ingaas
平面型探测器
扩散行为
光电流响应
Keywords
Scanning
Capacitance
Microscopy(SCM)
planar
ingaas
detector
diffusion
behavior
photocurrent
response
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究
被引量：
2
2
作者
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
李雪
龚海梅
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期1580-1583,共4页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(C2-32
C2-50)
文摘
采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。
关键词
平面
ingaas
红外探测器
扩散电流
产生-复合电流
电流密度
面积周长比
Keywords
planar
-type
ingaas
infrared
detector
diffusion
current
G-R
current
current
density
perimeter-to-area
ratio
分类号
TN362 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
2
平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
李雪
龚海梅
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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