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常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究 被引量:4
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作者 李海江 王守国 +1 位作者 赵玲利 叶甜春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期26-29,共4页
介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min,测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间... 介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究。实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min,测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系;并对离子注入(B+, 5×1015cm-2)后的光刻胶进行了清洗实验,得到清洗速率为300nm/min。清洗后的电镜分析证明,经等离子体清洗后,硅片表面无损伤、无残胶。 展开更多
关键词 常压 射频 等离子体 光刻胶 清洗
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集成电路后段光刻胶去除技术进展 被引量:6
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作者 彭洪修 刘兵 陈东强 《集成电路应用》 2018年第7期29-32,共4页
光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除... 光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂、羟胺类光刻胶去除剂、含氟类半水性光刻胶去除剂、双氧水类水性光刻胶去除剂先后成为市场主流。以集成电路图形化工艺发展为主线,对不同种类光刻胶去除剂进行概括介绍,并分析其优缺点,为中国光刻胶去除技术发展提供借鉴意义。 展开更多
关键词 集成电路制造 图形化工艺 光刻胶去除 工艺技术发展
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Novel photoresist stripping technology using steam-water mixture
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作者 王磊 惠瑜 +1 位作者 高超群 景玉鹏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期142-148,共7页
A novel wet vapor photoresist stripping technology is developed as an alternative to dry plasma ashing and wet stripping. Experiments using this technology to strip hard baked SU-8 photoresist, aurum and chromium film... A novel wet vapor photoresist stripping technology is developed as an alternative to dry plasma ashing and wet stripping. Experiments using this technology to strip hard baked SU-8 photoresist, aurum and chromium film are carried out. Then the images of stripping results are shown and the mechanism is analyzed and discussed. The most striking result of this experiment is that the spraying mixture of steam and water droplets can strip pho- toresist and even metal film with ease. 展开更多
关键词 photoresist stripping plasma ash wet stripping steam-water mixture jet spray
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后段工艺干法去除光刻胶研究
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作者 赖海长 郭兴龙 《电子与封装》 2011年第6期23-26,共4页
干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快。在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化。... 干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快。在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化。但在后段干法去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题。因此,文中提出了对去胶气体组合配比进行改良,大量氧气加少量氮气的气体组合可以得到稳定的灰化率,且能减少机器零部件损耗并解决缺陷问题。提高晶圆反应温度可以大幅度提高灰化率,从而提高去胶设备的产能,降低工艺成本。 展开更多
关键词 光刻胶 去胶 灰化 灰化率
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SU-8光刻胶去胶工艺研究 被引量:5
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作者 张笛 王英 +2 位作者 瞿敏妮 孔路瑶 程秀兰 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期910-913,共4页
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基... SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O2/CF4等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。 展开更多
关键词 SU-8光刻胶 O2/CF4 等离子刻蚀 去胶
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射频感性耦合等离子体的晶圆光刻胶扫胶技术
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作者 高晓伟 师筱娜 +1 位作者 田芳 狄希远 《电子工艺技术》 2024年第2期33-36,共4页
基于电感耦合等离子体(ICP)放电原理,设计了一种射频感性耦合等离子体装置,讲解了构成该等离子体装置的各个系统功能,并以此装置为依托研究了晶圆表面光刻胶扫胶技术,分析时间、馈入功率、加热温度、工艺气体流量对AZ4620光刻胶扫胶工... 基于电感耦合等离子体(ICP)放电原理,设计了一种射频感性耦合等离子体装置,讲解了构成该等离子体装置的各个系统功能,并以此装置为依托研究了晶圆表面光刻胶扫胶技术,分析时间、馈入功率、加热温度、工艺气体流量对AZ4620光刻胶扫胶工艺的影响。试验结果表明,增大馈入功率与加热温度均可不同程度的提高扫胶速率,过大的工艺气体供给量甚至会降低扫胶速率,时间的长短不会影响扫胶速率的快慢,与扫胶厚度基本呈线性关系。扫胶后的片内均匀性均在10%以内,满足半导体芯片制备的相关工艺要求,研究结果对半导体行业晶圆光刻胶的去除提供了相应的参考依据。 展开更多
关键词 晶圆 感性耦合等离子体 光刻胶扫胶工艺 温度
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光刻胶废剥离液中分离回收水和有机溶剂研究进展
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作者 于成钢 李罡峰 +5 位作者 傅瑞德 郭依亮 吴晗松 从海峰 李鑫钢 渠娅娟 《化学工业与工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期141-147,共7页
光刻胶废剥离液中含有大量的水和有机溶剂,其中包含大量有回收价值的成分。从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂可以减少对自然界的污染,实现资源化利用。综述了国内外几种从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂常见分离方法及分离装置,... 光刻胶废剥离液中含有大量的水和有机溶剂,其中包含大量有回收价值的成分。从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂可以减少对自然界的污染,实现资源化利用。综述了国内外几种从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂常见分离方法及分离装置,并对不同情况下所产生效果进行分析比较。希望能为我国电子行业中光刻胶废剥离液的资源化处理提供借鉴。 展开更多
关键词 光刻胶废剥离液 有机溶剂 分离回收
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