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拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究 被引量：4
1
作者 谭红琳 张鹏翔 +1 位作者 刘翔 吴长树 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期498-500,共3页
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的... 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 拉曼光谱 半导体薄膜 荧光光谱 半高宽 异质结 外延生长 GAAS/SI 砷化镓/硅
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热壁外延生长GaAs/Si薄膜质量研究 被引量：2
2
作者 谭红琳 张鹏翔 +1 位作者 刘翔 吴长树 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期236-238,共3页
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量... 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、半高宽 (FWH M)变窄且峰值频移移动变小 ,而PL光谱出现在 871nm光谱的 FWH M较窄 ,表明所测得的薄膜为单晶晶膜。对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和 PL光谱相结合评定外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 薄膜 热壁 外延生长 砷化镓 硅
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