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温度对CdSe/ZnS量子点吸收光谱和光致发光谱的影响 被引量:11
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作者 闫海珍 程成 张庆豪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期166-170,共5页
测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱,比较了两种不同的CdSe/ZnS量子点的光谱特性,讨论了温度对吸收和光致发光光谱峰值波长以及相对强度的影响。结果表明:在25—10... 测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱,比较了两种不同的CdSe/ZnS量子点的光谱特性,讨论了温度对吸收和光致发光光谱峰值波长以及相对强度的影响。结果表明:在25—100℃范围内,CdSe/ZnS量子点激子吸收峰波长有微小红移,最大约为4nm;光致发光光谱峰值波长略有红移,但最大不超过6nm。根据光致发光光谱测量的结果,确定了Varshni定律中关于CdSe/ZnS量子点禁带宽度的两个经验参数:α=(2.0±0.2)×10^-4eV/K和β=(200±30)K。温度对CdSe/ZnS量子点吸收强度影响不大,荧光发射强度与温度呈线性关系增强。 展开更多
关键词 CdSe/ZnS点 溶液温度 吸收光谱 光致发光光谱
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离子注入/辐照引起Al_2O_3单晶的改性研究 被引量:8
2
作者 宋银 张崇宏 +4 位作者 王志光 赵志明 姚存峰 周丽宏 金运范 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期198-201,共4页
600 K温度下用110 keV的He+,Ne+,Ar+离子注入及320 K温度下用230 MeV的208Pb27+辐照Al2O3单晶样品,研究了离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构和光学特性的影响。从测得的光致发光谱可以清楚地看到,所有样品在波长为375,413和450 nm处出... 600 K温度下用110 keV的He+,Ne+,Ar+离子注入及320 K温度下用230 MeV的208Pb27+辐照Al2O3单晶样品,研究了离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构和光学特性的影响。从测得的光致发光谱可以清楚地看到,所有样品在波长为375,413和450 nm处出现了强的发光峰,且所有5×1016ion/cm2注入样品的发光峰均最强。经过高能Pb辐照后的样品,在390 nm处出现了新的发光峰。透射电镜分析发现在注入氖样品100 nm入射深度以内形成了高浓度的小空洞(1—2 nm),在Ne沉积区域有少量大空洞形成。傅立叶变换红外光谱分析发现,波数在460—510 cm-1间的振动吸收带经过离子辐照后展宽,随着辐照量的增大,该振动吸收强度显著减弱。1 000—1 300 cm-1对应Al-O-Al桥氧伸缩振动模式的吸收带,辐照后向高波数方向移动。对离子注入和辐照对Al2O3单晶样品结构损伤机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 离子注入 重离子辐照 AL2O3 光致发光谱 透射电镜分析 红外光谱
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ZnSe/SiO_2半导体量子点玻璃的光谱特性 被引量:5
3
作者 罗志徽 贺俊芳 +2 位作者 汪敏强 张苏娟 彭延湘 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期471-475,共5页
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV—Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射... 对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV—Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60nm之间,尺寸分布基本呈高斯型. 展开更多
关键词 光谱学 UV-Vis透射光谱 稳态发射光谱 时间分辨荧光光谱 ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃
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LiGaO2衬底上ZnO外延膜的结构与光学特性 被引量:8
4
作者 黄涛华 周圣明 +2 位作者 滕浩 林辉 王军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1420-1424,共5页
采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同... 采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同的择优取向,在(001)(、100)及(010)LiGaO2上分别获得了[0001][、1100]及[1120]取向的ZnO薄膜;不同取向的ZnO薄膜表面形貌差异较大;薄膜在可见光波段具有较高的透过率;在ZnO薄膜的光致发光谱中只观察到了位于378 nm的紫外发射峰,而深能级发射几乎观察不到,(1100)取向的薄膜紫外发射峰强度最大,半高宽也最小,薄膜光致发光性质的差异主要和晶粒尺寸有关。 展开更多
关键词 薄膜光学 半导体材料 ZNO薄膜 磁控溅射 LiGaO2 光致发光谱
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纳米复合结构二氧化钛薄膜的制备及其光降解水中若丹明B的能力 被引量:5
5
作者 张高洁 吴进明 +1 位作者 刘少光 严密 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期442-446,共5页
用双氧水低温氧化金属钛片的方法制备了TiO2纳米棒阵列,并以该阵列为基体,用浸渍渗透溶胶–凝胶技术制备了TiO2纳米颗粒嵌入TiO2纳米棒阵列基体的复合结构薄膜。用X射线衍射、场发射扫描电镜及光致发光光谱研究制得薄膜的结构和发光性... 用双氧水低温氧化金属钛片的方法制备了TiO2纳米棒阵列,并以该阵列为基体,用浸渍渗透溶胶–凝胶技术制备了TiO2纳米颗粒嵌入TiO2纳米棒阵列基体的复合结构薄膜。用X射线衍射、场发射扫描电镜及光致发光光谱研究制得薄膜的结构和发光性能。结果表明:纳米棒阵列为金红石与锐钛矿的混晶结构,而溶胶–凝胶获得的TiO2为纯锐钛矿结构。在复合构造薄膜中TiO2纳米颗粒嵌入到纳米棒阵列间隙中,其光生电子–空穴对的空间分离效果得到明显改善。用制得的薄膜进行光催化降解水中若丹明B的实验结果显示:复合结构薄膜的光催化效率高于相应的纳米棒阵列,其表观反应常数是相同质量的溶胶–凝胶法制备薄膜的3倍,这是因为第二相TiO2纳米颗粒嵌入TiO2纳米棒阵列中促进了光生电子–空穴对的空间分离,从而提高了复合结构薄膜的光催化活性。 展开更多
关键词 二氧化钛 光催化薄膜 溶胶-凝胶 纳米棒 光致发光谱
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BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉的制备及光学性能研究
6
作者 罗娟 陈世碧 +5 位作者 李孝斌 郑小州 王昶 岳励 徐慢 戴武斌 《武汉工程大学学报》 CAS 2024年第2期162-166,共5页
以碳酸钡、硫化锌和氧化铋为原料,采用高温固相法合成了一系列铋(Bi)掺杂BaZnOS的蓝绿色荧光粉。研究了BaZnOS中Bi的位点占据、晶胞变化及其发光特性之间的相关性。在BaZnOS中,根据离子配位相同及半径相似原理,Ba位点是Bi最适合和稳定... 以碳酸钡、硫化锌和氧化铋为原料,采用高温固相法合成了一系列铋(Bi)掺杂BaZnOS的蓝绿色荧光粉。研究了BaZnOS中Bi的位点占据、晶胞变化及其发光特性之间的相关性。在BaZnOS中,根据离子配位相同及半径相似原理,Ba位点是Bi最适合和稳定占据的位点。由于Bi^(3+)的半径略小于Ba^(2+)的半径,导致掺杂过后的晶胞参数有所缩小。在波长为372 nm的紫外光激发下,BaZnOS和BaZnOS:Bi^(3+)在400~600 nm处都显示出非常宽的发射带。其中未掺杂的BaZnOS发光归因于合成过程中的氧空位缺陷,掺杂Bi^(3+)后,Bi^(3+)结合到BaZnOS的晶格中,由于Bi^(3+)的^(3)P_(1,0)→^(1)S_(0)跃迁,最终使位于400~600 nm处的光致发光进一步增强2~3倍。通过色坐标计算,所制备的BaZnOS:Bi^(3+)荧光粉色坐标均位于蓝绿色区域,可作为与红光协调发射白光的潜力荧光粉,用于白光发光二极管领域。 展开更多
关键词 四元硫氧化物 蓝绿色荧光粉 光致发光激发光谱 光致发光光谱 能级跃迁
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多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响 被引量:4
7
作者 王晓静 王佐臣 +2 位作者 李清山 王菲菲 王桂珍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期261-266,共6页
不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光 (PL)特性是不同的 ,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内 ,多孔硅的发光... 不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光 (PL)特性是不同的 ,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内 ,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移 ,要获得较强的发光 ,需要选择合适的电流密度 ;随着腐蚀时间的延长 ,多孔硅的发光峰位也发生蓝移。当HF酸的浓度较小时 ,峰位随浓度的增大表现为向低能移动 ;而当HF酸的浓度较大时 ,峰位随浓度的增大则表现为移向高能。多孔硅在空气中自然氧化 ,其发光峰位发生蓝移 ,而发射强度随放置时间的延长而降低。 展开更多
关键词 多孔硅 制备条件 PL光谱
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不同气体氛围下硅量子点的结构及其发光机理 被引量:6
8
作者 黄伟其 吕泉 +2 位作者 王晓允 张荣涛 于示强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期700-705,共6页
纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电... 纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电子态分布.计算结果显示:当硅量子点表面被氮或氧钝化后,在带隙中能够形成几乎相同的局域电子态,这种局域电子态可以俘获来自导带的电子,从而形成亚稳态,这是PL发光增强乃至产生受激辐射的关键因素. 展开更多
关键词 硅量子点 PL光谱 发光增强 电子局域态
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InGaAs/GaAs单量子阱PL谱的温度变化特性 被引量:5
9
作者 范伟 徐晓轩 孙秀峰 《光散射学报》 2008年第2期182-185,共4页
采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱,利用自组装的光致荧光探测系统,对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明:高温时荧光主要是源于带—带间载流子跃迁,而在低温时则来源于束缚在... 采用分子束外延方法制备了InGaAs/GaAs单量子阱,利用自组装的光致荧光探测系统,对其进行了光致荧光谱研究。考察了不同温度下荧光峰波长、峰形的影响。研究结果表明:高温时荧光主要是源于带—带间载流子跃迁,而在低温时则来源于束缚在量子阱中激子的跃迁。 展开更多
关键词 单量子阱 光致荧光
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Mg-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光学特性 被引量:6
10
作者 房东玉 李朝玲 +2 位作者 李轩 戚雯 姚琲 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第2期105-110,共6页
采用溶胶-凝胶(sol-gel)旋涂法在载玻片上制备了不同Al掺杂量的Mg-Al共掺杂ZnO薄膜.在室温下利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱仪等手段分析了Mg-Al共掺杂ZnO薄膜的微结构、形貌和发光特性.XRD结果表明Mg-Al... 采用溶胶-凝胶(sol-gel)旋涂法在载玻片上制备了不同Al掺杂量的Mg-Al共掺杂ZnO薄膜.在室温下利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱仪等手段分析了Mg-Al共掺杂ZnO薄膜的微结构、形貌和发光特性.XRD结果表明Mg-Al共掺杂ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构;随着Al掺杂量的增加,共掺杂薄膜呈c轴取向生长.由SEM照片可知薄膜表面形貌随Al掺杂量的增加由颗粒状结构向纳米棒状结构转变.透射光谱表明共掺杂薄膜在可见光区内的透射率大于50%,紫外吸收边发生蓝移.在室温下的PL谱表明Mg-Al共掺杂ZnO薄膜的紫外发射峰向短波长方向移动;Al掺杂摩尔分数为1%和3%的Mg-Al共掺杂ZnO薄膜的可见发射峰分别为596 nm的黄光和565 nm的绿光,黄光主要与氧间隙有关,而绿光主要与氧空位有关. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 Mg—Al共掺杂 溶胶一凝胶法 光致发光谱 缺陷能级
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海水养殖黑色珍珠UV-Vis反射光谱的类型及其特异的PL光谱特征 被引量:5
11
作者 严俊 孙青 +3 位作者 严雪俊 方诗彬 盛嘉伟 张俭 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期2781-2785,共5页
采用紫外-可见(ultraviolet-visible,UV-Vis)反射光谱并结合405 nm为激发光源的光致发光(photoluminescence,PL)光谱对海水养殖的黑色系珍珠进行较系统的光谱采集、比对,以期探究天然色黑色珍珠在上述光谱中的异同特性。结果表明:(1)基... 采用紫外-可见(ultraviolet-visible,UV-Vis)反射光谱并结合405 nm为激发光源的光致发光(photoluminescence,PL)光谱对海水养殖的黑色系珍珠进行较系统的光谱采集、比对,以期探究天然色黑色珍珠在上述光谱中的异同特性。结果表明:(1)基于UV-Vis反射光谱中250~800 nm区间的谱图特征,首次将黑色系珍珠的UV-Vis反射特性归类为四大类,即①在约400, 500和700 nm处均存在吸收峰;②在约400和500 nm两处存在吸收峰;③在约400和700 nm两处存在吸收峰;④在约500和700 nm两处存在吸收峰;(2)在405 nm激发光源下,黑色珍珠的PL光谱在约620, 653和677 nm处皆出现特征吸收,上述各吸收峰位在其他类别的淡海水珍珠的PL光谱中未曾见有具体报道。且有趣的是,首次发现黑色珍珠的PL光谱中约677 nm处的特征吸收峰表现出较强的光敏特征,即随着激发光源辐照时间的延长,该处吸收峰的强度渐弱甚至消失。研究结果可为黑色系珍珠其颜色形成属性的鉴定、判断提供理论与技术支撑。 展开更多
关键词 海水养殖黑色珍珠 紫外-可见吸收光谱 分类 光致发光光谱 辐照
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掺碳氮化镓的光学性质 被引量:3
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作者 叶建东 顾书林 +3 位作者 王立宗 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第7期717-721,共5页
利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出现蓝移 ,E1(LO)声子的Raman强度变弱 .同时光致发光谱中蓝光带... 利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出现蓝移 ,E1(LO)声子的Raman强度变弱 .同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱 ,这与掺杂碳的自补偿效应有关 .高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降 . 展开更多
关键词 掺碳 氮化镓 光学性质 喇曼光谱 光致发光谱
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Photoanode Activity of ZnO Nanotube Based Dye-Sensitized Solar Cells 被引量:4
13
作者 R. Ranjusha P. Lekha +2 位作者 K.R.V. Subramanian V. Nair Shantikumar A. Balakrishnan 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第11期961-966,共6页
Vertical ZnO nanotube (ZNT) arrays were synthesized onto an indium doped tin oxide (ITO) glass substrate by a simple electrochemical deposition technique followed by a selective etching process. Scanning electron ... Vertical ZnO nanotube (ZNT) arrays were synthesized onto an indium doped tin oxide (ITO) glass substrate by a simple electrochemical deposition technique followed by a selective etching process. Scanning electron microscopy (SEM) showed formation of well-faceted hexagonal ZNT arrays spreading uniformly over a large area. X-ray diffraction (XRD) of ZNT layer showed substantially higher intensity for the (0002) diffraction peak, indicating that the ZnO crystallites were well aligned with their c-axis. Profilometer measurements of the ZNT layer showed an average thickness of -7 μm. Diameter size distribution (DSD) analysis showed that ZNTs exhibited a narrow diameter size distribution in the range of 65-120 nm and centered at -75 nm. The photoluminescence (PL) spectrum measurement showed violet and blue luminescence peaks that were centered at 410 and 480 nm, respectively, indicating the presence of internal defects. Ultra-violet (UV) spectroscopy showed major absorbance peak at ,-348 nm, exhibiting an increase in energy gap value of 3.4 eV. By employing the formed ZNTs as the photo-anode for a dye-sensitized solar cell (DSSC), a full-sun conversion efficiency of 1.01% was achieved with a fill factor of 54%. Quantum efficiency studies showed the maximum of incident photon-to-electron conversion efficiency in a visible region located at 590-550 nm range. 展开更多
关键词 ZnO nanotubes Indium doped tin oxide (ITO) glass photoluminescence spectra Electrochemical deposition Quantum efficiency
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A New Yellow Long Lasting Phosphor Y_2O_2S∶Ti 被引量:1
14
作者 张朋越 王民权 +3 位作者 洪樟连 樊先平 钱国栋 王智宇 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第1期63-66,共4页
A new kind of doped rare earth free phosphor Y 2O 2S∶xTi (0<x≤0.10) with doped Ti as activative center was synthesized by solid state reaction and sintered at 1200 ℃ for 2.5 h under reducing atmosphere. XRD pa... A new kind of doped rare earth free phosphor Y 2O 2S∶xTi (0<x≤0.10) with doped Ti as activative center was synthesized by solid state reaction and sintered at 1200 ℃ for 2.5 h under reducing atmosphere. XRD patterns, photoluminescence spectra, time-resolved phosphorescence spectra and decay curves of the phosphor were investigated. XRD results reveal that a single Y 2O 2S phase exists with Ti content up to 6% (mol fraction). Yellow long lasting phosphorescence for present materials was observed in the dark with naked eye after the removal of the excitation light. From the time-resolved phosphorescence spectra the broad emission band centered at 565 nm was confirmed to be responsible for the long lasting phosphorescence which could maintain above 1 h. The possible mechanism responsible for the long lasting phosphorescence of the Y 2O 2S∶Ti phosphor was proposed. 展开更多
关键词 optics Y 2O 2S∶Ti photoluminescence spectra time-resolved phosphorescence spectra decay curves rare earths
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Nd^(3+)掺杂的NaYF_4∶Yb,Er/Tm上转换纳米颗粒的光谱分析 被引量:5
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作者 叶帅 宋军 +3 位作者 陈林春 王东 彭晓 屈军乐 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期221-225,共5页
生物组织对980 nm波长的光有较强的吸收,限制了Yb/Er或Yb/Tm共掺的Na YF4上转换纳米颗粒在生物方面的应用范围。通过对Na YF4∶Yb,Er/Tm纳米颗粒进行Nd掺杂,获得可在800 nm波长的激光激发下产生荧光的纳米颗粒。对多种不同形貌的Nd掺杂... 生物组织对980 nm波长的光有较强的吸收,限制了Yb/Er或Yb/Tm共掺的Na YF4上转换纳米颗粒在生物方面的应用范围。通过对Na YF4∶Yb,Er/Tm纳米颗粒进行Nd掺杂,获得可在800 nm波长的激光激发下产生荧光的纳米颗粒。对多种不同形貌的Nd掺杂纳米颗粒的荧光光谱的研究表明,具有核壳结构的Na YF4∶Yb3+20%,Er3+2%@Na YF4∶Nd3+20%纳米颗粒在800 nm激光激发下的荧光强度最高,基本上与Na YF4∶Yb3+20%,Er3+2%纳米颗粒在980 nm激光激发下的荧光强度相当,其强度比Na YF4∶Yb3+20%,Er3+2%,Nd3+20%纳米颗粒提高了600倍以上。分析表明,Nd掺杂导致的淬灭效应主要来自于Nd和光敏剂Yb之间的作用,而不是与活化剂Er/Tm之间的作用。 展开更多
关键词 材料 上转换纳米颗粒 Nd3+掺杂 核壳结构 荧光光谱
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厚度依赖的二氧化钛薄膜光学性能研究 被引量:5
16
作者 咸小刚 郭万林 台国安 《纳米科技》 2009年第3期44-48,64,共6页
用溶胶-凝胶法制备了不同厚度的纳米二氧化钛薄膜,场发射扫描电镜和原子力显微镜观察,薄膜比较平整,颗粒大小均匀,X射线衍射和拉曼光谱分析表明,热处理温度为400-700℃的薄膜呈锐钛矿晶型,光致发光谱结果表明,薄膜有良好的荧光特性,发... 用溶胶-凝胶法制备了不同厚度的纳米二氧化钛薄膜,场发射扫描电镜和原子力显微镜观察,薄膜比较平整,颗粒大小均匀,X射线衍射和拉曼光谱分析表明,热处理温度为400-700℃的薄膜呈锐钛矿晶型,光致发光谱结果表明,薄膜有良好的荧光特性,发光峰较强,且薄膜厚度对其光致发光强度有显著影响。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 二氧化钛薄膜 光致发光
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多变量离子注入型量子阱混杂效应 被引量:5
17
作者 葛晓红 张瑞英 +2 位作者 郭春扬 李安男 王帅达 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2020年第1期168-174,共7页
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致... 为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10^14 ion/cm2,注入能量为600keV,750℃二次退火150s时获得最大蓝移量116nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。 展开更多
关键词 激光器 量子阱混杂 离子注入 波长蓝移 光致发光谱
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用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜 被引量:4
18
作者 朋兴平 谭永胜 +2 位作者 方泽波 杨映虎 王印月 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期701-704,共4页
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分... 以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415~433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应共溅射
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Xe^23+离子辐照Al 2O 3的光谱特性 被引量:5
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作者 宋银 谢二庆 +7 位作者 张崇宏 周丽宏 李玉红 杨义涛 姚存峰 李炳生 马艺准 缑洁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第B09期354-357,共4页
本工作研究460 keV、3 MeV和308 MeV Xe^23+辐照Al2O3单晶样品的光致发光特性。从经过460 keV Xe^23+辐照后样品的光致发光测试结果可看到,波长为380、413和450 nm的发光峰明显增强,在390和564 nm处出现了新的发光峰。从3 MeV的Xe^23... 本工作研究460 keV、3 MeV和308 MeV Xe^23+辐照Al2O3单晶样品的光致发光特性。从经过460 keV Xe^23+辐照后样品的光致发光测试结果可看到,波长为380、413和450 nm的发光峰明显增强,在390和564 nm处出现了新的发光峰。从3 MeV的Xe^23+辐照后样品谱的变化可看到,在较低剂量条件下,516 nm(2.4 eV)和564 nm(2.2 eV)处的发光峰随辐照剂量增加而增强,且当剂量增到1×10^16cm^-2时,564 nm处的发光峰消失,只有516 nm(2.4 eV)处的发光峰较强。从308 MeV Xe23+辐照后样品的光致发光谱中可看到,357 nm(3.47 eV)和516 nm(2.4 eV)处的发光峰随着剂量增加明显增强。辐照后样品的FTIR谱显示:波数在460-510 cm^-1和630 cm^-1附近的吸收是Al2O3振动模式,经离子辐照后,吸收带展宽;1 000-1 300 cm^-1间为Al—O—Al桥氧键的伸缩振动模式,高能辐照后的吸收带向低波数方向移动。 展开更多
关键词 Xe^23+离子 AL2O3 重离子辐照 光致发光谱
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玻璃中CdSSe纳米晶体的光谱性能 被引量:5
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作者 王引书 高兴国 +2 位作者 赵亮 汪艳贞 王若桢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2775-2779,共5页
对掺有镉、硒、硫的玻璃在 6 5 0— 80 0℃退火 4h ,生长了不同尺寸的CdS0 1 3Se0 87纳米晶体 ,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光 (PL)谱和电调制光谱 ,确定了纳米晶体部分电子态的能量 ,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之... 对掺有镉、硒、硫的玻璃在 6 5 0— 80 0℃退火 4h ,生长了不同尺寸的CdS0 1 3Se0 87纳米晶体 ,测量了纳米晶体的吸收光谱、光致发光 (PL)谱和电调制光谱 ,确定了纳米晶体部分电子态的能量 ,讨论了CdSSe纳米晶体的光学性质与其尺寸之间的依赖关系 .随着纳米晶体尺寸的增大 ,对应激子的吸收峰、PL峰及电吸收信号发生红移 ,表现出明显的量子尺寸效应 .小尺寸纳米晶体的电吸收表现为量子受限的Stark效应 ,而大尺寸纳米晶体的电吸收线形与体材料的相似 ;随着纳米晶体尺寸的增大 ,电吸收信号增强 . 展开更多
关键词 CdSSe纳米晶体 吸收光谱 光致发光谱 电光响应 电调制光谱 量子尺寸效应 玻璃
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