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RF磁控溅射制备N掺杂Cu_2O薄膜及光学特性研究 被引量：8
1
作者 自兴发 杨雯 +2 位作者 杨培志 段良飞 张力元 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1727-1731,共5页
利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为... 利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为300℃时,低N2流量(<12sccm)下沉积的薄膜结构为Cu2O和CuO的混合相,N2流量增大至12sccm时薄膜结构转变为单相的Cu2O;不同N2流量下制备的薄膜均呈现三维的结核生长模式,其表面粗糙度的均方根(RMS)值依赖于N2流量,低N2流量下薄膜表面粗糙度的RMS值随N2流量的增大而增大,高N2流量下,RMS值随N2流量的增大而减小,并在一定N2流量范围内趋于稳定;不同N2流量下制备的薄膜均在475nm附近出现发光峰,峰的相对强度随N2流量的增加而减弱,峰位随N2流量的增加出现蓝移,薄膜的光学带隙Eg约为(2.61±0.03)eV。 展开更多
关键词 Cu2O薄膜 N2流量 衬底温度 光致发光(pl)谱
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Si衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜发光特性研究 被引量：7
2
作者 连洁 王青圃 +4 位作者 赵懿琨 张飒飒 张锡建 王公堂 卜刚 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期554-557,共4页
采用射频磁控溅射(RFMS)法,在Si衬底上生长出具有(002)择优取向的MgxZn1-xO薄膜。透射光谱结果表明,与ZnO相比,MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378 nm蓝移至308 nm,这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽。扫描电镜(SEM)能谱分析... 采用射频磁控溅射(RFMS)法,在Si衬底上生长出具有(002)择优取向的MgxZn1-xO薄膜。透射光谱结果表明,与ZnO相比,MgxZn1-xO薄膜的吸收带边从378 nm蓝移至308 nm,这说明MgxZn1-xO薄膜的带隙随着Mg组分的增加而加宽。扫描电镜(SEM)能谱分析表明,薄膜中的Mg含量比靶源中的高。用不同波长的光激发得到的光致发光(PL)谱显示,在不同波长的光激励下,只出现单色蓝或绿发光峰,其它的发光峰消失,而且随着激发光波长从260 nm、280 nm到300 nm的增加,发光峰位置分别从431 nm、459 nm红移至489 nm,发光强度也显著增强。分析表明,这些发光峰与O空位有关。 展开更多
关键词 六角MgxZn1-xO薄膜 光致发光(pl)潜 激发光
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WS2/WSe2异质结层间相互作用的光谱研究 被引量：3
3
作者 黄佳欣 谢师禹 +3 位作者 程学瑞 李元元 胡传圣 戚泽明 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期452-457,共6页
原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温... 原子级厚度的过渡金属硫化物二维材料具有独特的电子和光学性质,当将其构筑成原子层异质结时,由于层间耦合作用和界面电荷传递,导致产生新的光学性质,在光电器件方面具有重要的潜在应用.利用机械剥离法制备了WS 2/WSe 2异质结,通过变温拉曼光谱和变温光致发光光谱,研究了异质结中的层间相互作用和界面电荷传递.从拉曼光谱和光致发光光谱上观测到了层间声子和层间激子的存在,表明WS 2和WSe 2构成的异质结中存在明显的层间相互作用.由于WS 2和WSe 2形成II型能带排列,电子从WSe 2向WS 2转移,显著影响带电激子和中性激子发光强度. 展开更多
关键词 硫化钨 硒化钨 异质结 拉曼光谱 光致发光光谱 激子
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Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响 被引量：2
4
作者 隋妍萍 于广辉 +1 位作者 俞谦荣 齐鸣 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期958-962,共5页
在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比... 在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的V和V缺陷态有关。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) Ⅲ/Ⅴ比 二维生长 光致发光(pl)谱
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Ta_2O_5/SiO_2三维光子晶体的制作及光学性能 被引量：1
5
作者 刘成有 宁丹 +1 位作者 王瑞庭 倪政国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1478-1482,共5页
利用自我复制的方法制作了可见光谱区的三维光子晶体,用反射光谱研究了光子晶体的光学特性。采用平面波理论计算了光子晶体的光子禁带(PBG),实验结果与理论符合得较好。采用两步生长法将荧光染料(rhodamine 590)置于光子晶体内部,实验... 利用自我复制的方法制作了可见光谱区的三维光子晶体,用反射光谱研究了光子晶体的光学特性。采用平面波理论计算了光子晶体的光子禁带(PBG),实验结果与理论符合得较好。采用两步生长法将荧光染料(rhodamine 590)置于光子晶体内部,实验结果表明,染料的荧光光谱受到了光子晶体的强烈调制。 展开更多
关键词 光子晶体 光子禁带 荧光光谱
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离子辐照引起Eu掺杂氧化镁的发光特性
6
作者 宋银 张崇宏 +5 位作者 杨义涛 李炳生 马艺准 缑洁 姚存峰 贺德衍 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2011年第5期100-103,共4页
利用320 kV高压综合实验平台,通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁（MgO）单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后,样品380-550 nm的发光带出现先减弱后增强的现象,400-450 nm处出现了平坦的较宽的蓝色发光带,经拉曼光谱和红... 利用320 kV高压综合实验平台,通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁（MgO）单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后,样品380-550 nm的发光带出现先减弱后增强的现象,400-450 nm处出现了平坦的较宽的蓝色发光带,经拉曼光谱和红外光谱的综合分析可知离子辐照能够使掺杂的Eu很好的进入晶体内部形成稳定的缺陷类型,产生更好的发光效果。 展开更多
关键词 光谱学 重离子辐照 稀土掺杂发光 光致发光(pl)光谱
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Er离子掺杂ZnS量子点的水相法合成及性能
7
作者 李丽华 代安娜 +2 位作者 陈冠羽 孔德成 程相豪 《河南科技大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2013年第5期5-8,4,共4页
采用巯基乙酸作为稳定剂,用水相法合成了ZnS:Er量子点。分别利用X射线衍射、透射电镜、荧光光谱对其物相、形貌及光学性能进行了研究。研究结果表明:合成的ZnS:Er量子点形状为球形,粒度约10 nm。ZnS:Er量子点的发射峰为445 nm和470 nm,... 采用巯基乙酸作为稳定剂,用水相法合成了ZnS:Er量子点。分别利用X射线衍射、透射电镜、荧光光谱对其物相、形貌及光学性能进行了研究。研究结果表明:合成的ZnS:Er量子点形状为球形,粒度约10 nm。ZnS:Er量子点的发射峰为445 nm和470 nm,分别为S空位和Zn空位发光。 展开更多
关键词 量子点 掺杂 水相法 荧光光谱
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Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究 被引量：1
8
作者 陈城钊 陈阳华 +3 位作者 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期922-927,共6页
基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃... 基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。 展开更多
关键词 能带工程理论 Ge/SiGe 量子阱 室温荧光(pl)光谱
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生长温度对ZnO薄膜晶体质量和发光特性的影响 被引量：2
9
作者 张栋 王长征 何英 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2938-2942,共5页
采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200℃,300℃,400℃和500℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300℃时,ZnO具有最佳... 采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200℃,300℃,400℃和500℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300℃时,ZnO具有最佳择优取向,随着衬底温度升高,衍射峰半峰全宽减小,薄膜晶粒尺寸增大,400℃时,薄膜具有各向等大的晶粒尺寸。同时拉曼谱结果显示,薄膜内部的缺陷随衬底温度变化无明显差别,应力表现为张应力,400℃时应力最小,紫外发光峰在衬底温度为400℃时最强,而黄绿光带最弱。在减少薄膜缺陷,提高择优长向和晶粒尺寸的同时,使晶粒横向尺寸和纵向尺寸尽可能相同,可极大提高薄膜的发光特性。 展开更多
关键词 薄膜光学 半导体材料 ZNO薄膜 光致发光谱 衬底温度
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高温退火对MgO晶体光致发光性能的影响
10
作者 况亚伟 刘玉申 +2 位作者 马玉龙 徐竞 杨希峰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1119-1123,共5页
利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44和749.06nm,其可见光发射区和红外发射区主要对应于MgO晶体中由O空位构成的F色心和F+色心通过激发和退激... 利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44和749.06nm,其可见光发射区和红外发射区主要对应于MgO晶体中由O空位构成的F色心和F+色心通过激发和退激发机制发射;在不同温度退火条件下测试Sc掺杂MgO晶体的PL光谱,并利用高斯分解实现了Sc掺杂MgO晶体中F色心和F+色心的定位。结果表明,高温退火处理可以有效降低MgO晶体表面的污染,进而提高晶体的光电活性;Sc掺杂导致MgO晶体可见光发射区域的蓝移和增强,其中F+色心对于温度的依赖性较强。 展开更多
关键词 MgO晶体 光致发光(pl)光谱 Sc掺杂 色心
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