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掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质 被引量：7
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作者 王灵玲 桑文斌 +3 位作者 闵嘉华 刘引烽 陈宗高 樊建荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期484-487,共4页
介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 Zn S纳米微粒 .TEM图表明 Zn S纳米微粒较均匀地分布在 PVA衬底上 ,粒径在 1～ 10 nm,且具有类似体材料的立方结构 .与未掺杂 Zn S相比 ,掺铜 Zn S的紫外 -可见吸收光谱没有明... 介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 Zn S纳米微粒 .TEM图表明 Zn S纳米微粒较均匀地分布在 PVA衬底上 ,粒径在 1～ 10 nm,且具有类似体材料的立方结构 .与未掺杂 Zn S相比 ,掺铜 Zn S的紫外 -可见吸收光谱没有明显的变化 ;但 PL 光谱的发射峰却从 4 5 0 nm移到了 4 80 nm左右 ,这可能是由于 Zn S的导带和 Zn S禁带中铜的能级 T2 展开更多
关键词 纳米微粒 掺铜ZnS 透射电镜 光致发光 半导体 硫化锌 光学性质
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