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TiO_2修饰的镍基光电极的制备及光电化学性能 被引量:9
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作者 赵转清 姚素薇 +1 位作者 张卫国 龚正烈 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期473-476,共4页
通过溶胶-凝胶法,直接在导电的金属镍基上制备多孔TiO2纳米薄膜,利用STM观察电极的表面形貌,所制TiO2粒径约为20~80nm,随着烧结温度的升高,TiO2纳米薄膜表面孔的数量增多、孔径增大.用循环伏安法分析了电极的光电化学性能,结果表明,电... 通过溶胶-凝胶法,直接在导电的金属镍基上制备多孔TiO2纳米薄膜,利用STM观察电极的表面形貌,所制TiO2粒径约为20~80nm,随着烧结温度的升高,TiO2纳米薄膜表面孔的数量增多、孔径增大.用循环伏安法分析了电极的光电化学性能,结果表明,电极的光电响应随烧结温度的升高和薄膜厚度的增加而增大. 展开更多
关键词 镍基光电极 溶胶-凝胶 TIO2 纳米薄膜 循环伏安法 光电化学性能 二氧化钛 修饰电极 太阳能电池 半导体材料
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多壁碳纳米管/TiO2纳米复合薄膜的光电性能研究 被引量:8
2
作者 张维 崔晓莉 江志裕 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第8期867-873,共7页
采用溶胶凝胶法制备了系列不同含量的多壁碳纳米管(MWCNT)/TiO2纳米复合薄膜电极,通过SEM和XRD表征了薄膜的形貌和晶型结构.以1mol/LKOH为电解质,考察了MWCNT的含量对纳米复合薄膜电极在白光、可见光照射下光电性能的影响.结果表明:相对... 采用溶胶凝胶法制备了系列不同含量的多壁碳纳米管(MWCNT)/TiO2纳米复合薄膜电极,通过SEM和XRD表征了薄膜的形貌和晶型结构.以1mol/LKOH为电解质,考察了MWCNT的含量对纳米复合薄膜电极在白光、可见光照射下光电性能的影响.结果表明:相对纯TiO2薄膜电极,MWCNT/TiO2纳米复合薄膜电极的光电压、光电流明显增大,对可见光区的光电响应能力也明显提高.MWCNT薄膜具有良好的电子导电性、吸光性和镂空的网状结构等性质,形成了一个理想的基板负载TiO2纳米颗粒,而且显著提高了纳米复合薄膜电极光生载流子的分离效率和模拟太阳光的利用效率.研究发现,纳米复合薄膜电极中MWCNT的最佳含量是0.04mg/cm2. 展开更多
关键词 TIO2 多壁碳纳米管 光电性能 可见光
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氧化石墨烯薄膜的光电化学性质 被引量:11
3
作者 王纪学 王科志 +1 位作者 杨洪强 黄喆 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第21期2539-2542,共4页
用改进的Hummers法制备了氧化石墨烯(GO),在质子化的氧化铟-氧化硒导电玻璃基片上制备了静电自组装薄膜,通过紫外-可见光谱和扫描电镜对薄膜进行了表征并研究了薄膜的光电化学性质.结果表明,GO薄膜是一种稳定的光电阴极材料,在光强为100... 用改进的Hummers法制备了氧化石墨烯(GO),在质子化的氧化铟-氧化硒导电玻璃基片上制备了静电自组装薄膜,通过紫外-可见光谱和扫描电镜对薄膜进行了表征并研究了薄膜的光电化学性质.结果表明,GO薄膜是一种稳定的光电阴极材料,在光强为100 mW/cm2的白光照射下,偏压为-0.4 V时,0.1 mol?L-1的Na2SO4溶液中薄膜电极的光电流密度达3.72μA/cm2. 展开更多
关键词 氧化石墨烯 自组装膜 光电性质
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二氧化钛纳米膜电极的形貌和光电化学性质 被引量:4
4
作者 杨大纲 李秋叶 +2 位作者 张顺利 金振声 张治军 《化学研究》 CAS 2004年第4期6-9,共4页
采用两种不同粒度的国产TiO2纳米材料和进口TiO2P25粉末,以涂覆法分别在导电玻璃基底上制备出TiO2纳米膜电极.通过循环伏安、瞬态光电流时间谱,结合SEM、DRS、XRD等实验手段,分析比较了三种TiO2膜电极的形貌和光电化学性质,探讨了提高... 采用两种不同粒度的国产TiO2纳米材料和进口TiO2P25粉末,以涂覆法分别在导电玻璃基底上制备出TiO2纳米膜电极.通过循环伏安、瞬态光电流时间谱,结合SEM、DRS、XRD等实验手段,分析比较了三种TiO2膜电极的形貌和光电化学性质,探讨了提高和改善电极性能的途径. 展开更多
关键词 光电化学 TIO2膜 形貌 循环伏安 性质 导电玻璃 光电流 纳米膜 二氧化钛 制备
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CuS/TiO2纳米管异质结阵列的制备及光电性能 被引量:10
5
作者 柯川 蔡芳共 +2 位作者 杨峰 程翠华 赵勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期423-428,共6页
利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流... 利用水热反应制备了CuS/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段表征了异质结阵列的表面形貌和晶体结构.电流-电压曲线结果表明,CuS/TiO2纳米管异质结阵列具有明显的整流效应.根据表面光电压谱和相位谱,在376~600 nm之间,CuS/TiO2纳米管异质结阵列表现为p型半导体特征,电子在表面聚集;在300~376 nm之间表现为n型半导体特征,空穴在表面聚集;在376 nm处异质结阵列的表面光伏响应为零.CuS/TiO2和CuS/ITO之间界面电场的不同导致异质结在不同波长范围内表面电荷聚集的差异.光电化学性能测试发现,以CuS/TiO2纳米管异质结阵列为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G,100 mW/cm2标准光强作用下具有0.4%的光电转换能力. 展开更多
关键词 CUS TiO2纳米管异质结阵列 表面光电压谱 相位谱 界面电场 光电化学性能
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Ag改性TiO_2纳米管阵列的光电化学性能研究 被引量:9
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作者 于濂清 张志萍 +3 位作者 周小岩 董开拓 郝兰众 张亚萍 《中国石油大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期183-187,共5页
采用阳极氧化法及光沉积法制备Ag改性Ti O2纳米管阵列,采用XRD、SEM分析样品的晶型和形貌特征,并利用电化学工作站三电极体系通过I-E、光生电位、光电流响应及莫特肖特基曲线考察样品的光电化学性能。结果表明:Ti O2纳米管阵列的内径约... 采用阳极氧化法及光沉积法制备Ag改性Ti O2纳米管阵列,采用XRD、SEM分析样品的晶型和形貌特征,并利用电化学工作站三电极体系通过I-E、光生电位、光电流响应及莫特肖特基曲线考察样品的光电化学性能。结果表明:Ti O2纳米管阵列的内径约为60 nm,管壁厚度约为30 nm,Ag颗粒粒径为15-20 nm;光沉积时间对Ag颗粒尺寸几乎没有影响,仅增加了Ag粒子的沉积量;Ag的改性能够有效地促进电子和空穴的分离,提高了对太阳光的利用率,在氙灯照射下,Ag-Ti O2纳米管阵列具有良好的光电化学性能,光电流达到0.28 m A/cm^2,载流子密度ND为2.21×1022cm^-3,光转化率可达到4.10%。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 银改性 阳极氧化法 光电化学性能
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脉冲沉积制备Cu_2O/TiO_2纳米管异质结的可见光光催化性能 被引量:9
7
作者 张剑芳 王岩 +4 位作者 沈天阔 舒霞 崔接武 陈忠 吴玉程 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1535-1542,共8页
在用阳极氧化法制备有序排列TiO2纳米管阵列薄膜的基础上,引入脉冲沉积工艺,成功实现了均匀、弥散分布的Cu2O纳米颗粒修饰改性TiO2纳米管阵列,形成Cu2O/TiO2纳米管异质结复合材料.利用场发射扫描电镜(FESEM)、场发射透射电镜(FETEM)、X... 在用阳极氧化法制备有序排列TiO2纳米管阵列薄膜的基础上,引入脉冲沉积工艺,成功实现了均匀、弥散分布的Cu2O纳米颗粒修饰改性TiO2纳米管阵列,形成Cu2O/TiO2纳米管异质结复合材料.利用场发射扫描电镜(FESEM)、场发射透射电镜(FETEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对样品进行表征,重点研究了Cu2O/TiO2纳米管异质结的光电化学特性和对甲基橙(MO)的可见光催化降解性能.结果表明,Cu2O纳米颗粒均匀附着在TiO2纳米管阵列的管口和中部位置,所制备的Cu2O/TiO2纳米管异质结具有高效的可见光光催化性能;在浓度为0.01 mol?L-1的CuSO4溶液中制得的Cu2O/TiO2纳米管异质结表现出最好的电化学特性和光催化性能;另外,对Cu2O纳米颗粒影响光催化活性的机理进行了讨论. 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 脉冲沉积 CU2O TiO2纳米管异质结 光电化学性能 光催化
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TiO_2-MoO_3复合纳米管阵列薄膜的制备及其可见光活性 被引量:7
8
作者 罗英 崔晓莉 解晶莹 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第1期135-142,共8页
通过阳极氧化的方法制备TiO2纳米管薄膜,在MoO3存在的条件下对该薄膜进行热处理得到TiO2-MoO3复合纳米管阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),电化学阻抗谱(EIS),Mott-Schottky及光电化学方法对得到... 通过阳极氧化的方法制备TiO2纳米管薄膜,在MoO3存在的条件下对该薄膜进行热处理得到TiO2-MoO3复合纳米管阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),电化学阻抗谱(EIS),Mott-Schottky及光电化学方法对得到的薄膜进行了表征.XRD结果表明,TiO2-MoO3复合纳米管薄膜中的TiO2主要为锐钛矿晶型.SEM实验证实了薄膜纳米管结构的存在,样品中的MoO3均匀地分散在TiO2纳米管表面.利用XPS方法分析了TiO2-MoO3复合纳米管薄膜元素的组成,结果表明,MoO3在TiO2表面形成TiO2-MoO3复合纳米管薄膜.研究了热处理温度以及热处理时间对样品的光电化学性能的影响,相对于单纯TiO2纳米管薄膜,适量引入MoO3提高了样品在可见光区的光电响应能力,样品的平带电位负移.在450°C热处理60min制得的TiO2-MoO3复合半导体纳米管阵列薄膜光电响应活性最高. 展开更多
关键词 TIO2纳米管 MOO3 热处理 光电化学性质
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钛网上CdS纳米微球的制备及可见光下产氢性能研究
9
作者 陈志强 崔磊 +2 位作者 董晶 李海霞 夏炜炜 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第2期727-733,共7页
为了提高催化剂的光催化产氢能力,本文采用简单的水热法,在处理后的钛网表面生长了CdS纳米微球。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对样品的成分、结构、形貌进行了表征... 为了提高催化剂的光催化产氢能力,本文采用简单的水热法,在处理后的钛网表面生长了CdS纳米微球。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对样品的成分、结构、形貌进行了表征,并研究了其光电化学性能及可见光下光催化性能。结果表明,钛网上生长的CdS微球由纳米棒组装而成,通过缺陷调控,Cd/S物质的量之比为1∶1(CdS-1)的样品具有良好的光电响应,在零偏压下最大光电流约为140μA,可见光下的产氢率可达212.6μmol·h^(-1)·cm^(-2),并且方便回收,是一种理想的光催化产氢材料。 展开更多
关键词 水热法 缺陷调控 钛网 CdS纳米微球 光电化学性能 光催化产氢
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铁掺杂TiO_2纳米管阵列制备及其光电化学性质 被引量:4
10
作者 李静 孙岚 +3 位作者 庄惠芳 王成林 杜荣归 林昌健 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期213-217,共5页
应用电化学阳极氧化法,以Fe(NO3)3-HF的混合水溶液作电解液在Ti基底上制备Fe掺杂TiO2纳米管阵列.FESEM、Raman、XPS、DRS等测试表明:经Fe掺杂的TiO2纳米管阵列,管径50-90 nm,管长约200nm.与未掺杂TiO2纳米管阵列相比,前者的紫外可见... 应用电化学阳极氧化法,以Fe(NO3)3-HF的混合水溶液作电解液在Ti基底上制备Fe掺杂TiO2纳米管阵列.FESEM、Raman、XPS、DRS等测试表明:经Fe掺杂的TiO2纳米管阵列,管径50-90 nm,管长约200nm.与未掺杂TiO2纳米管阵列相比,前者的紫外可见起始吸收带边随着Fe掺入量的增加而红移;而光电化学性质如光电流也随之显著提高. 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 铁掺杂 光电化学性质
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复合方式对MWCNTs/TiO_2纳米复合薄膜光电化学性能的影响 被引量:5
11
作者 张维 崔晓莉 江志裕 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1975-1980,共6页
采用溶胶-凝胶法制备了不同复合方式的系列多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWCNTs)/TiO2纳米复合薄膜电极.通过SEM表征了薄膜的表面形貌,并测定了MWCNTs引入前后对TiO2晶型结构和光吸收性能的影响以及不同复合方式的纳米... 采用溶胶-凝胶法制备了不同复合方式的系列多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWCNTs)/TiO2纳米复合薄膜电极.通过SEM表征了薄膜的表面形貌,并测定了MWCNTs引入前后对TiO2晶型结构和光吸收性能的影响以及不同复合方式的纳米复合薄膜的光电化学特性.结果表明,MWCNTs/TiO2纳米复合薄膜表面形成无序多孔的形貌,其光谱吸收边可拓展到可见光区;MWCNTs底层分布的纳米复合薄膜比纯TiO2表现出更好的光电活性,而MWCNTs在表层分布及均匀分布的纳米复合薄膜的光电活性相对较差.依据载流子分离原理探讨了不同复合方式对纳米复合薄膜光电性能的影响,底层分布MWCNTs的纳米复合薄膜由于MWCNTs有效地收集传递电子并阻止载流子的复合从而提高了光电化学活性. 展开更多
关键词 TIO2 多壁碳纳米管 光电化学性能 底层分布
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A Facile Self-assembly Synthesis of Hexagonal ZnO Nanosheet Films and Their Photoelectrochemical Properties 被引量:3
12
作者 Bin Zhang Faze Wang +5 位作者 Changqing Zhu Qiang Li Jingnan Song Maojun Zheng Li Ma Wenzhong Shen 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2016年第2期137-142,共6页
Here, large-scale and uniform hexagonal zinc oxide(ZnO) nanosheet films were deposited onto indium tin oxide(ITO)-coated transparent conducting glass substrates via a facile galvanic displacement deposition process. C... Here, large-scale and uniform hexagonal zinc oxide(ZnO) nanosheet films were deposited onto indium tin oxide(ITO)-coated transparent conducting glass substrates via a facile galvanic displacement deposition process. Compared with other commonly used solution methods, this process avoids high temperature and electric power as well as supporting agents to make it simple and cost-effective. The as-fabricated ZnO nanosheet films have uniform hexagonal wurtzite structure. The photoelectrochemical(PEC) cell based on ZnO nanosheet film/ITO photoelectrode was also fabricated and its performance was improved by optimizing the solution concentration. A higher photocurrent density of*500 l A cm^(-2)under AM 1.5 G simulated illumination of 100 m W cm^(-2)with zero bias potential(vs. Ag/AgCl electrode) was obtained, which may ascribe to the increased surface-to-volume ratio of disordered Zn O nanosheet arrays. Our developed method may be used to deposit other oxide semiconductors, and the Zn O nanosheet film/ITO PEC cell can be used to design low-cost optoelectronic and photoelectrochemical devices. 展开更多
关键词 Zinc oxide NANOSHEET film SELF-ASSEMBLE Galvanic displacement method photoelectrochemical property
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石墨烯氧化物薄膜电极的光电化学特性(英文) 被引量:4
13
作者 张晓艳 孙明轩 +4 位作者 孙钰珺 李靖 宋鹏 孙通 崔晓莉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2831-2835,共5页
采用浸渍-提拉法制备了一系列石墨烯氧化物(GO)薄膜,并通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),傅里叶变换红外光谱,紫外-可见吸收光谱和光电化学测量等技术对样品进行了表征.在GO电极上观察到阴极光电流,且光电流密度受薄膜的厚度影响.GO薄... 采用浸渍-提拉法制备了一系列石墨烯氧化物(GO)薄膜,并通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),傅里叶变换红外光谱,紫外-可见吸收光谱和光电化学测量等技术对样品进行了表征.在GO电极上观察到阴极光电流,且光电流密度受薄膜的厚度影响.GO薄膜电极厚度为27nm时,光电流密度为0.25μA·cm-2.此外,GO电极的光电响应还受紫外光照影响,随着紫外光照时间的延长,阴极光电流逐渐减小.该工作提供了简便的通过控制薄膜厚度或紫外光照时间来控制GO薄膜半导体光电化学性能的方法. 展开更多
关键词 石墨烯氧化物 光电化学性能 阴极光电流 膜厚 紫外光照
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一种噻吩基双偶极半菁与普鲁士蓝的静电自组装薄膜 被引量:4
14
作者 王志平 罗虹 +1 位作者 高丽华 王科志 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第3期754-758,共5页
通过交替沉积普鲁士蓝和一种含噻吩的半菁,制备了一种新的无机-有机杂化静电自组装膜.用紫外-可见吸收光谱、循环伏安技术和光电化学实验对薄膜进行了表征或光电性质研究.376和698nm处薄膜的吸光度随薄膜层数增加线性增加,表明薄膜的沉... 通过交替沉积普鲁士蓝和一种含噻吩的半菁,制备了一种新的无机-有机杂化静电自组装膜.用紫外-可见吸收光谱、循环伏安技术和光电化学实验对薄膜进行了表征或光电性质研究.376和698nm处薄膜的吸光度随薄膜层数增加线性增加,表明薄膜的沉积是均匀和可重复的.薄膜中的普鲁士蓝具有良好的表面控制而非扩散控制的电化学活性,膜的层数从1增加至5时,阳极峰电流随膜层数增加而线性增加.100mW·cm-2的白光照射下,薄膜产生稳定的阴极光电流,随层数增加线性增长,层数增加到4层时,光电流达到最大值.饱和甘汞电极为参比电极,-0.4V偏压下,4层薄膜产生的光电流密度高达0.28μA·cm-2. 展开更多
关键词 半菁 自组装膜 循环伏安 紫外可见光谱 噻吩 光电化学性质
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氮掺杂二氧化钛-氧化镍双层薄膜的光电致色特性 被引量:4
15
作者 蒋磊 黄辉 +3 位作者 王春涛 张文魁 甘永平 陶新永 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第2期299-303,共5页
以金属钛为靶材、O2/N2/Ar混合气氛为溅射气体,在导电玻璃(ITO)表面磁控溅射一层薄膜,再经300-500℃退火处理制备了氮掺杂TiO2薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见吸收光谱等对薄膜的微观结构... 以金属钛为靶材、O2/N2/Ar混合气氛为溅射气体,在导电玻璃(ITO)表面磁控溅射一层薄膜,再经300-500℃退火处理制备了氮掺杂TiO2薄膜.采用X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见吸收光谱等对薄膜的微观结构、光学特性和光电化学性能等进行了研究.进而采用化学沉积的方法在TiO2-xNx薄膜表面沉积上一层多孔NiO薄膜,研究表明,制备的ITO/TiO2-xNx/NiO双层薄膜具有明显的光电致色特性,400℃退火处理的氮掺杂TiO2薄膜具有最高的光电流响应,经氙灯照射1h后,薄膜从无色变成棕色,500nm波长处光透过率从79.0%下降至12.6%. 展开更多
关键词 光电致色 氮掺杂TiO2 氧化镍 光电化学性能 薄膜
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光电化学法研究镍基合金在288℃高温水中生成氧化膜的半导体性质 被引量:4
16
作者 张胜寒 檀玉 梁可心 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1147-1152,共6页
采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 ... 采用光电化学法研究了Incoloy800HT和Inconel600镍基合金在288℃高温水中形成的氧化膜的半导体性质.组成镍合金氧化膜的物相为Ni的氢氧化物或镍铁氧化物、Cr_2O_3和Fe_xNi_(1-x)Cr_2O_4,它们的特征带隙宽度分别为2.3,2.9/3.5和4.1 4.3 eV.在400 mV至+400 mV范围内,Incoloy800HT合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n型半导体性质,Inconel600合金表面氧化膜的光电化学响应表现为n/p型半导体性质,同时,在半导体性质从n型转变为P型的临界电压下,光电化学响应相角发生180°转变. 展开更多
关键词 光电化学响应 镍基合金 氧化膜 半导体性质 高温水
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微乳液水热法低温制备TiO_(2)纳米棒阵列及光电化学性能研究 被引量:3
17
作者 张文凯 刘鎏 +2 位作者 梁桂杰 徐可 汪竞阳 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第1期142-146,共5页
利用微乳液水热法降低反应能,在透明导电玻璃衬底上低温合成出金红石相TiO_(2)纳米棒阵列。利用X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见光、阻抗谱等手段对样品进行结构形貌表征和光电化学性能测试。结果表明:微乳液体系的加入可有效地降低体... 利用微乳液水热法降低反应能,在透明导电玻璃衬底上低温合成出金红石相TiO_(2)纳米棒阵列。利用X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见光、阻抗谱等手段对样品进行结构形貌表征和光电化学性能测试。结果表明:微乳液体系的加入可有效地降低体系表面能,诱发前驱物发生水解缩聚反应,促进TiO_(2)晶粒在溶液-液相-固相三相界面成核和生长,实现低温80℃直接在基底表面生长TiO_(2)纳米棒阵列。同等条件下相比常规水热法,该方法制备TiO_(2)纳米棒阵列相比于传统水热法在同一反应温度下具有更低的反应能且阵列形貌更优,显示出良好的应用前景。 展开更多
关键词 二氧化钛纳米棒阵列 微乳液水热法 结构形貌 光电化学性能
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Cl掺杂对n-Cu2O的光电性能的影响 被引量:4
18
作者 谢思思 鲁双伟 +8 位作者 马文利 杨峰 席金芳 邹龙生 蔡芳共 程翠华 赵勇 阚香 张勇 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第2期213-217,共5页
在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的C... 在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射谱(XRD)等手段研究了氯掺杂对Cu_2O表面形貌和晶体结构的影响。紫外-可见吸收光光谱确定得到的Cu_2O和Cl掺杂Cu_2O(Cu_2O-Cl)样品的禁带宽度分别为1.98和1.95eV。根据表面光电压谱和相位谱,掺杂前后的Cu_2O均为n型,Cu_2O-Cl有更强的表面光电压响应。场诱导表面光电压谱结果表明未掺杂Cl的Cu_2O在加负偏压时易形成反型层;氯离子的掺杂引入杂质能级可以提高n型导电性。光电化学性能测试发现,以Cu_2O、Cu_2O-Cl为光阳极组成的光化学太阳电池,在大气质量AM 1.5G、100mW/cm^2标准光强作用下光电转换效率分别为0.12%和0.51%。 展开更多
关键词 CU2O Cl掺杂 表面光电压谱 相位谱 光电化学性能
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TiO_2/CdSe多层膜结构的制备及光电化学性能研究 被引量:4
19
作者 李立群 刘爱萍 +2 位作者 赵海新 崔灿 唐为华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期479-484,共6页
采用电化学方法在导电的ITO/TiO_2薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜,并制得TiO_2/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能.实验表明,CdSe薄膜沿着(111)方向择优生长,多层膜结构的厚度和紫外-可见光吸收强度随着沉积层数的增加而... 采用电化学方法在导电的ITO/TiO_2薄膜上沉积了棕红色CdSe薄膜,并制得TiO_2/CdSe多层膜体系,研究了多层膜的微结构和光电化学性能.实验表明,CdSe薄膜沿着(111)方向择优生长,多层膜结构的厚度和紫外-可见光吸收强度随着沉积层数的增加而增加.通过测定多层膜电极的光电化学性能表明,二层膜体系的开路电压和短路电流密度最大,光电化学性能最好. 展开更多
关键词 CDSE薄膜 多层膜结构 电化学沉积 光电化学
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电还原MoSe2修饰TiO2纳米管光电化学性能研究 被引量:3
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作者 张亚萍 丁文明 +5 位作者 朱海丰 黄承兴 于濂清 王永强 李哲 徐飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期797-802,共6页
通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描... 通过阳极氧化法在乙二醇电解液中制备TiO2纳米管阵列,以钼酸钠和亚硒酸为原料,改变原料的浓度配比以及沉积电压,电化学还原沉积MoSe2对TiO2纳米管阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高TiO2的光电化学性能。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对复合物进行物相、形貌分析,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线、交流阻抗。结果表明, MoSe2与TiO2形成了p-n异质结,降低了光生电子和空穴的复合以及电荷转移电阻显著降低,使载流子浓度、光电流密度明显增大。沉积电压为-0.5 V, 2 mmol/L H2SeO3沉积30 s,经过300℃热处理的MoSe2/TiO2复合材料具有优异的光电化学性能,在0 V偏压条件下光响应电流密度为1.17 mA/cm^2,是空白样品的3倍,电荷转移电阻从331.6Ω/cm^2下降到283.9Ω/cm^2。当热处理温度为330℃时,MoSe2会发生团聚,堵塞TiO2基底,使得MoSe2/TiO2吸光能力减弱,综合性能变差。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 MoSe2 电化学沉积 光电化学性能
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