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硅基底的CVD扩磷工艺研究
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作者 杨旭 何晓雄 +1 位作者 胡冰冰 马志敏 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-195,共4页
文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的... 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。 展开更多
关键词 硅基底 扩磷工艺 表面形貌 化学气相沉积 chemical VAPOUR depo-sition(CVD)
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磷掺杂,Pt/TiO_2纳米管阵列光催化还原CO_2饱和溶液制燃料气体
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作者 姜梦培 吴红军 王树 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期84-86,共3页
在光照和偏压作用下,浸泡在电解质1mol/L的CO_2碳酸氢钠的PN结(PEC)可以生成烃类燃料。当PEC的光电阴极是由pt敏化的半导体的TiO_2纳米管阵列,或当光阳极是n型的磷掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜带隙照明下PEC使CO_2转化为碳氢化合物,如CH4、C... 在光照和偏压作用下,浸泡在电解质1mol/L的CO_2碳酸氢钠的PN结(PEC)可以生成烃类燃料。当PEC的光电阴极是由pt敏化的半导体的TiO_2纳米管阵列,或当光阳极是n型的磷掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜带隙照明下PEC使CO_2转化为碳氢化合物,如CH4、CO。且上述两种掺杂都使得饱和CO_2水溶液中C原子转化为烃类气体的转化率得以提高。此外,又发现磷系TiO_2纳米管做阳极时有利于光还原产物对CO选择性的提高,Pt掺杂TiO_2纳米管做阴极时有利于光还原产物对CH_4选择性的提高。所描述的技术提供了一种独特的方法,利用地球丰富的材料,光催化还原CO_2和产生更高阶的碳氢化合物以及合成气的组成成分CO和H_2。 展开更多
关键词 TIO2纳米管阵列 P掺杂 光电还原饱和CO2水溶液
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