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客车车身覆盖件磷化质量的分析与论证
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作者 刘继兰 申日宪 申伟红 《交通科技与经济》 1999年第4期35-37,共3页
对影响客车车身覆盖件磷化质量的诸多因素进行分析、论证,提出了磷化时应注意的磷化膜厚度和酸比、温度、表调等几个关键性问题。
关键词 客车 车身覆盖件 磷化质量 磷化膜厚度 磷化工艺
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双温区合成法制备ZnGeP_2多晶材料(英文) 被引量:5
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作者 王猛 杨春晖 +2 位作者 雷作涛 夏士兴 孙亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1947-1950,共4页
合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的关键。但由于P在高温下蒸气压高,Zn和P易挥发等因素,使合成化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难。采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料,用X射线粉末衍射分析了反应过... 合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的关键。但由于P在高温下蒸气压高,Zn和P易挥发等因素,使合成化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难。采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料,用X射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管壁上的少量沉淀。结果表明:温度梯度区间生成的中间产物中ZnP2含量为95.45%(体积分数,下同),Zn3P2含量为4.55%。高温区末端石英管壁上的沉淀中ZnP2含量为40%,ZnGeP2含量为60%,Zn和P的挥发导致合成的ZnGeP2多晶体中富含Ge。通过调节高温区的温度和降温速率,可有效地控制组分挥发,得到化学计量比的ZnGeP2多晶材料。 展开更多
关键词 磷化锗锌 双温区法 合成 化学计量比
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水平梯度冷凝法生长优质ZnGeP_2单晶与性能表征 被引量:4
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作者 康彬 窦云巍 +5 位作者 唐明静 袁泽锐 方攀 张羽 陈莹 尹文龙 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期503-507,共5页
用自制的双温区机械震荡管式炉合成了Zn Ge P2多晶,单次合成量超过500 g。采用水平梯度冷凝法生长了质量为350~395 g的Zn Ge P2单晶,单晶最大尺寸为25 mm×32 mm×165 mm。通过X射线粉末衍射、摇摆曲线以及红外透射光谱等研究... 用自制的双温区机械震荡管式炉合成了Zn Ge P2多晶,单次合成量超过500 g。采用水平梯度冷凝法生长了质量为350~395 g的Zn Ge P2单晶,单晶最大尺寸为25 mm×32 mm×165 mm。通过X射线粉末衍射、摇摆曲线以及红外透射光谱等研究了合成的多晶和生长的单晶品质。结果表明:晶体(100)面摇摆曲线半峰宽为33″~42″,且峰型锐利、对称;在3~8μm的吸收系数小于0.01 cm^(–1),2μm处吸收系数小于0.03 cm^(–1)。另外,制备了Zn Ge P2光学参量震荡器件,该器件在2μm激光泵浦下成功输出3~5μm可调谐激光,光光转化效率为56.2%。表明生长的Zn Ge P2晶体具有较高的品质,能满足应用要求。 展开更多
关键词 磷锗锌晶体 非线性光学晶体 晶体生长 水平梯度冷凝法
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磷锗锌晶体生长与缺陷结构 被引量:3
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作者 雷作涛 朱崇强 +2 位作者 宋梁成 杨春晖 谷立山 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1082-1086,共5页
采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40~50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形... 采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40~50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。 展开更多
关键词 磷锗锌晶体 缺陷结构 垂直Bridgman法 吸收光谱
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热退火条件对磷锗锌晶体性质的影响(英文) 被引量:1
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作者 杨永娟 顾庆天 +2 位作者 张怀金 张玉君 张娜娜 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期883-887,共5页
以高纯度的Zn,Ge和P粉末作为原料,采用垂直Bridgman法生长了磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体;分别在真空、磷蒸汽和ZGP晶体粉末中对生长的ZGP晶体进行了退火。测量了不同的退火条件下ZGP晶体中各元素的含量、激光损伤阈值、透过光谱和Raman光谱... 以高纯度的Zn,Ge和P粉末作为原料,采用垂直Bridgman法生长了磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体;分别在真空、磷蒸汽和ZGP晶体粉末中对生长的ZGP晶体进行了退火。测量了不同的退火条件下ZGP晶体中各元素的含量、激光损伤阈值、透过光谱和Raman光谱。研究表明:在ZGP晶体粉末中退火后的晶体激光损伤阈值为96.43MW/cm2,比在真空、磷蒸汽中退火的高;在近红外区域的吸收有所减少。Raman光谱测量结果表明,晶体的Raman振动模的数量发生了变化,表明退火环境对ZGP晶体的结果有一定影响。在ZGP晶体粉末中退火的ZGP晶体的性能有明显改善。 展开更多
关键词 磷锗锌晶体 BRIDGMAN法 退火处理 激光损伤阈值 RAMAN光谱
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n-InP在Fe^(3+)/Fe(2+)溶液中光脉冲暂态行为(Ⅳ)
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作者 钱道荪 朱振华 王平川 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1993年第6期791-801,共11页
研究了波长、温度及表面处理对n-InP 光脉冲暂态行为的影响.结果表明.波长对时间常数无影响;随着温度升高,峰值下降,衰减变快.讨论了表面处理的影响,并对实验结果作了必要的解释.
关键词 磷化铟 光脉冲 暂态技术 铁离子
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