期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
微带线无源互调的传输矩阵理论方法
1
作者 周昊楠 赵小龙 +4 位作者 彭玉彬 曾鸣奇 曹智 张可越 贺永宁 《太赫兹科学与电子信息学报》 2023年第7期856-863,共8页
均匀微带线是微带电路的基本结构,建立微带线PIM解析模型具有重要意义。本文基于受控源等效,在微带线的集总电路等效模型中,将微带线中的分布式寄生非线性PIM源建模为二次受控电流源或电压源,从而得到微带线PIM电压和电流关系的传输矩... 均匀微带线是微带电路的基本结构,建立微带线PIM解析模型具有重要意义。本文基于受控源等效,在微带线的集总电路等效模型中,将微带线中的分布式寄生非线性PIM源建模为二次受控电流源或电压源,从而得到微带线PIM电压和电流关系的传输矩阵表达式,建立了寄生非线性机制的微带线PIM解析计算模型;并通过对比不同长度的镀镍微带线与不同浓度掺磷工艺镀镍微带线的传输互调与反射互调规律,验证本文提出的PIM传输矩阵方法的合理性。通过该模型提取了镍镀层在0.71 GHz时的三阶相对磁导率非线性系数为1×10^(-10)m^(2)/A^(2)。本文方法为进一步建立其他复杂结构微带电路PIM模型提供了新思路。 展开更多
关键词 无源互调 微带线 寄生非线性 相对磁导率非线性 覆铜板
下载PDF
基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
2
作者 赵奕昕 刘守城 +2 位作者 颜伟 祝志博 居铭 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2022年第3期30-37,共8页
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的... 为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的非线性电容拟合公式,利用Levenberg-Marquardt算法进行参数拟合,建模速度快,模型误差小.动态模型在考虑封装寄生电感和寄生非线性电容等非理想条件下,分别建立器件导通和关断过程每一个阶段的栅源极电压、漏源极电压、肖特基二极管电压、栅极电流和漏极电流的电路微分方程组,再以每一个阶段结束时的状态变量作为下一个阶段的初始条件.采用4阶龙格库塔法求解上述微分方程组的数值解,并与LTspice仿真波形进行对比分析.结果表明,上述建模方法能较好地描述器件的动态行为特性. 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 静态特性建模 动态行为模型 寄生非线性电容 LEVENBERG-MARQUARDT算法
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部