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Si_3N_4/SiO_2 栅 pH-ISFET 传感器的设计与模型
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作者 丁辛芳 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第6期103-108,共6页
提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表... 提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响．对进一步改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑． 展开更多
关键词 PH-ISFET 传感器 表面基 敏感特性 化学传感器
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