pH－ISFET传感器及其测量方法研究

1

作者 牛蒙年 袁璟 林崴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期50-54,共5页

在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考... 在对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器参数及其输出特性分析的基础上，讨论了四种测量ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的模式和适用条件，以及实现差分测量的简单方法。在ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ差分对结构测量中，以金膜作为辅助电极取代传统的甘汞参考电极仍得到较好的线性响应。 展开更多

关键词 ph-isfet 传感器 测量方法 差分电路 isfet/REFE

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pH-ISFET的温度特性及其补偿的讨论 被引量：2

2

作者 冯秀清 石琳 周前能 《辽宁工学院学报》 2002年第4期13-15,25,共4页

p H- ISFET的温漂是影响测量精度的重要参数 ,本文对其温度特性进行了讨论 。

关键词 ph-isfet 温度特性 离子敏场效应晶体管 温漂 温度补偿 测量精度

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采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压 被引量：1

3

作者 汪正孝 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期62-66,共5页

本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=(V_T)_R-(V_T)_M的实测值曲线.最后对结果进行了讨论.

关键词 ph-isfet 离子注入 阀值电压

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pH－ISFET　输出时漂特性的研究 被引量：1

4

作者 钟雨乐 赵守安 刘涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第12期838-843,共6页

本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成... 本文对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ恒流输出时漂特性进行了一系列实验研究，获得时漂随器件浸泡时间的变化规律，指出造成时漂的原因之一，是敏感膜水化层带有负电荷，使器件出现附加阈值电压上ΔＶＴ（ｔ），而水化层厚度随浸泡时间而增加，造成ΔＶＴ（ｔ）的正向时漂．提出了器件阈值电压时漂的初步物理解释． 展开更多

关键词 ph-isfet 时漂特性 Si3N4膜

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pH－ISFET库仑滴定系统特性研究 被引量：2

5

作者 陈伟平 王东红 +1 位作者 虞 王贵华 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期62-64,共3页

ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定系统特性研究陈伟平，王东红，虞 ，王贵华（哈尔滨工业大学控制工程系１５０００６）１９８５年荷兰Ｔｗｅｎｔｅ大学的Ｂ．Ｈ．ｖａｎｄｅｒＳｃｈｏｏｔ等人研制了一种微升级ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定固态... ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定系统特性研究陈伟平，王东红，虞 ，王贵华（哈尔滨工业大学控制工程系１５０００６）１９８５年荷兰Ｔｗｅｎｔｅ大学的Ｂ．Ｈ．ｖａｎｄｅｒＳｃｈｏｏｔ等人研制了一种微升级ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定固态传感器，不仅使ＩＳＦＥＴ（离子敏场?.. 展开更多

关键词 ph-isfet 库仓滴定系统 特性

原文传递

集成pH－ISFET／压力传感器的研究

6

作者 丁辛芳 俞海明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期250-254,共5页

基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实... 基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离，又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。 展开更多

关键词 ph-isfet 集成传感器 压力传感器

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提高pH—ISFET测量精度的途径

7

作者 虞惇 王贵华 武世香 《化学传感器》 CAS 1991年第1期51-56,70,共7页

引言ISFET 具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点,倍受人们的重视;但是这类器件至少在现阶段还存在着时漂、温漂和滞后量大等不足,影响了测量精度。如按 Nernst 公式估算,对于一价离子,每1mV 的测量偏差相当于... 引言ISFET 具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点,倍受人们的重视;但是这类器件至少在现阶段还存在着时漂、温漂和滞后量大等不足,影响了测量精度。如按 Nernst 公式估算,对于一价离子,每1mV 的测量偏差相当于0.04的浓度误差或0.02pX 误差(pX=-log ax)。检测 H^+的 pH—ISFET,其时漂在0.1mV/hr 至几mV/hr 范围,温漂约为几mV/℃。此外。 展开更多

关键词 电位式 ph测量 isfet ph-isfet

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加压蒸煮对HT型 pH-ISFET特性的影响

8

作者 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1992年第4期34-38,共5页

对HT型pH-ISFET经加压蒸煮后的特性变化进行了研究.发现HT型pH-ISFET经适当的加压蒸煮后,其灵敏度和线性响应等特性均有明显提高.实验结果与理论分析相符.

关键词 ph-isfet 加压蒸煮 灵敏度 传感器

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pH-ISFET滞后特性的研究

9

作者 虞惇 张玉良 王贵华 《传感器技术》 CSCD 1989年第4期12-17,共6页

离子敏场效应晶体管具有体积小、重量轻、响应快、输入阻抗高、输出阻抗低、可全固体化、易于实现多功能化等优点,受到国内外普遍重视,其研究工作已取得了显著进展。但推广应用中有不少困难,其原因在于目前器件尚未完善,除可靠性尚不够... 离子敏场效应晶体管具有体积小、重量轻、响应快、输入阻抗高、输出阻抗低、可全固体化、易于实现多功能化等优点,受到国内外普遍重视,其研究工作已取得了显著进展。但推广应用中有不少困难,其原因在于目前器件尚未完善,除可靠性尚不够理想之外,温漂与滞后也严重地影响其稳定性。为加速ISFET实用化进程,深入研究其滞后特性,具有极其重要的现实意义。 研究工作表明。 展开更多

关键词 isfet器件 滞后特性 ph-isfet

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脲酶场效应传感器的研究 被引量：1

10

作者 俞宝明 陈文飞 汪正孝 《传感器技术》 CSCD 1990年第5期19-21,共3页

本文简要介绍差分式脲酶场效应传感器的工作原理和制作方法,研究了温度、缓冲溶液对传感器性能的影响。

关键词 脲酶 场效应 传感器 ph-isfet

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Si_3N_4/SiO_2 栅 pH-ISFET 传感器的设计与模型

11

作者 丁辛芳 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第6期103-108,共6页

提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表... 提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，研制成了集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２栅ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响．对进一步改善ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑． 展开更多

关键词 ph-isfet 传感器 表面基 敏感特性 化学传感器

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PH—ISFET在化学分析技术中的应用研究现状

12

作者 王贵华 《黑龙江电子技术》 1990年第3期33-38,6,共7页

关键词 化学分析 测量 ph-isfet ph值

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背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

13

作者 牛蒙年 林崴 袁 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第3期359-362,共4页

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦ... 报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。 展开更多

关键词 背面引线 压力敏 传感器 氢离子敏

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新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制 被引量：1

14

作者 牛蒙年 丁辛芳 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第1期75-81,共7页

报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积... 报道了一种新型微流通池ｐＥ－ＩＳＦＥＴ集成传感器，该集成传感器采用常规ＩＣ工艺、微加工技术和键合技术，实现微流通池、四对长臂式ＩＳＦＥＴ／ＲＥＦＥＴ传感器（差分测量用）和Ｔｉ／Ａｕ膜伪参考电极芯片一体化结构，芯片面积为８ｍｍｘ６ｍｍ，微流通池体积为０．７ｍｍｘ５．０ｍｍ×０．３ｍｍ，当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池ｐＨ－ＩＳＦＥＴ流动注入分析（ＦＩＡ）系统。实验结果表明，该集成传感器和ＦＩＡ系统具有响应快、耗样液量少等特点，且稳定性和可靠性大为提高。 展开更多

关键词 传感器 微流通池 ph-isfet传感器 流动注入分析

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Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响 被引量：3

15

作者 牛蒙年 丁辛芳 童勤义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期522-528,共7页

在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ... 在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据． 展开更多

关键词 氮化硅 绝缘栅 表面基模型 ph-isfet器件

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pH-ISFET-FIA测定溶液中pH值方法的研究 被引量：2

16

作者 王鹏 周雨 +1 位作者 虞惇 谢添 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期35-37,共3页

ISFET(离子敏感场效应管)作为一种新型的化学传感器,它的研制与应用正在引起日益广泛的重视。与一般离子选择性电极比较,ISFET 具有响应速度快,输出阻抗低,信噪比高,体积小等优点,适合作为

关键词 化学传感器 ph-isfet-FIA

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新型微流通池pH－ISFET集成传感器

17

作者 丁辛芳 《电子器件》 CAS 1996年第3期154-158,共5页

设计与制备了带Ｔｉ／Ａｕ膜参考电极的长臂式ｐＨ－ＩＳＦＥＴ集成传感器与微流通池。在静态和流动分析系统测量中表明：由蠕动泵驱动的待测液流动极畅，且试样量极少，响应速度快。

关键词 ph-isfet集成传感器 微流通池 FIA系统

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pH-ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法 被引量：1

18

作者 牛蒙年 丁辛芳 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第4期443-448,共6页

本文提出用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系、瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。

关键词 ph-isfet传感器 电路 SPICE模拟 CAD

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半导体场效晶体管型pCO_2传感器研究

19

作者 张福海 牛文成 《传感技术学报》 CAS CSCD 1989年第4期22-27,共6页

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。

关键词 氢离子敏感场效应晶体管(ph-isfet) 场效应晶体管型溶二氧化碳传感器(FET型pCO₂传感器)

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背面引线的新型集成pH－ISFET传感器的研制

20

作者 丁辛芳 牛蒙年 +1 位作者 俞海明 丁耘 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期433-436,共4页

背面引线的新型集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的研制丁辛芳，牛蒙年，俞海明，丁耘（东南大学微电子中心）０引言ｐＨ－ＩＳＦＥＴ同传统的离子选择电极相比更具吸引力［１～５］，因为ＩＳＦＥＴ适于硅工艺大批量生产，降低了单个器件的... 背面引线的新型集成ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的研制丁辛芳，牛蒙年，俞海明，丁耘（东南大学微电子中心）０引言ｐＨ－ＩＳＦＥＴ同传统的离子选择电极相比更具吸引力［１～５］，因为ＩＳＦＥＴ适于硅工艺大批量生产，降低了单个器件的成本及器件性能的不均匀性；用半导体... 展开更多

关键词 ph-isfet芯片 集成传感器 传感器 研制

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