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p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电导性能
1
作者 薛雅 叶志镇 +1 位作者 陈凌翔 叶春丽 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期632-634,共3页
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试。两种光照下,光电流均瞬间上升... 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试。两种光照下,光电流均瞬间上升,且光响应度与外加偏压具有线性相关性。紫外光照下p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电流变化比红色激光照射下要显著。 展开更多
关键词 Na掺杂 p型znmgo 光电导
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用PLD方法制备Li掺杂的p型ZnMgO
2
作者 仇明侠 叶志镇 +2 位作者 顾修全 何海平 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期326-328,共3页
在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3... 在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电阻率为6.58Ω·cm,霍尔迁移率为0.189cm2/(V·s),且制备出的薄膜在可见光区具有90%的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625eV. 展开更多
关键词 Li掺杂 pLD方法 p型znmgo
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