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P型覆盖层生长温度和厚度对LED可靠性的研究
1
作者 张文燕 《中国照明电器》 2024年第10期15-20,共6页
随着半导体材料的不断发展,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料GaN具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性。广泛应用于高亮度发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池以及高温、高频和高功率电子器件制... 随着半导体材料的不断发展,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料GaN具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性。广泛应用于高亮度发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池以及高温、高频和高功率电子器件制造等领域。GaN基发光二极管(LED)市场的高速增长,对LED产品的质量要求越来越高,目前由于晶格失配、膜层应力、穿透位错或缺陷等因素的影响,会在外延结构的MQW多量子阱层中形成V-pits缺陷,V-pits在一定程度上可以抑制载流子非辐射复合,提升发光效率。但是如果单方面追求V-pits,会导致P型覆盖层(本文提到的P型覆盖层含P-GaN和P-AlGaN)很难将其填充好,容易导致外延结构出现反向漏电的情况,进一步影响器件的抗静电能力。因此本文主要研究P型覆盖层的生长条件对LED器件可靠性的影响,从P型覆盖层的生长温度和生长厚度两方面来展开讨论。 展开更多
关键词 V一pits p型覆盖层 可靠性
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InGaN基蓝光激光器p型覆盖层和波导层优化
2
作者 马雯 翟智超 李书平 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期595-602,共8页
[目的]为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,研究了p型覆盖层和波导层对InGaN基边发射蓝光激光器性能的综合影响.[方法]将p型覆盖层优化为多层Al组分渐变的结构,以降低p型覆盖层与电子阻挡层的Al组分差值;优化波导层的In... [目的]为了进一步提升蓝光激光器的性能,基于实验样品结构,研究了p型覆盖层和波导层对InGaN基边发射蓝光激光器性能的综合影响.[方法]将p型覆盖层优化为多层Al组分渐变的结构,以降低p型覆盖层与电子阻挡层的Al组分差值;优化波导层的In组分浓度,以提高波导层的光限制能力.利用PICS3D软件模拟计算其光输出功率、能带结构、光场分布、载流子电流密度分布等特性.[结果]随着p型覆盖层层数的增加,以及p型覆盖层与电子阻挡层之间Al组分差值的减小,光输出功率和斜率效率不断提高;随着上波导层In组分的增加,光输出功率提升明显.同时优化两者得到的最终优化结构,光输出功率可达到0.421 W,相较标准结构提升了65.75%.[结论]降低p型覆盖层与电子阻挡层之间的Al组分差值,可以有效降低两者之间的晶格失配和势垒差,进而提高有源区的空穴注入;增加p型覆盖层的层数可降低晶格失配,进而降低载流子的传输损耗.增加波导层的In组分浓度可以提高有效提高光限制因子,尤其是上波导的In组分增加对提高光限制因子非常明显. 展开更多
关键词 蓝光激光器 InGaN基 p型覆盖层 线性渐变 波导层 光限制因子
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具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件
3
作者 李春来 段宝兴 +2 位作者 马剑冲 袁嵩 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第16期377-383,共7页
为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMO... 为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS).这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题,使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿,而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用,提高N型缓冲层浓度,从而降低了器件的比导通电阻.利用三维仿真软件ISE分析表明,在漂移区长度均为10μm的情况下,P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右,较文献提出的N型缓冲层SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右. 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体器件 超级结 比导通电阻 p型覆盖层
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