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多晶硅薄膜的表面处理工艺
被引量:
4
1
作者
曾祥斌
Johnny K O Sin
+1 位作者
徐重阳
饶瑞
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期693-696,共4页
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的 p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理 TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能...
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的 p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理 TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
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关键词
NH3
N2O
表面钝化
p
-
sitft
多晶硅薄膜
表面处理工艺
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职称材料
多晶硅薄膜的激光晶化技术
被引量:
1
2
作者
邵喜斌
《光机电信息》
2008年第4期7-10,共4页
1引言 多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中,a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场,尤其在大尺寸液晶电视和液晶显示器等方面,p-SiTFT LCD只是在中小尺寸中要求高分辨率的应用领域占据了一部分...
1引言 多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中,a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场,尤其在大尺寸液晶电视和液晶显示器等方面,p-SiTFT LCD只是在中小尺寸中要求高分辨率的应用领域占据了一部分市场。对于有源OLED而言,p-Si TFT的重要性要高于有源LCD,因为OLED是电流型器件,
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关键词
多晶硅薄膜晶体管
激光晶化
有源OLED
A-
sitft
p
-
sitft
技术
LCD
液晶显示器
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职称材料
基于改善AMOLED TFT均匀性和稳定性像素补偿电路
3
作者
谢莉
王永
《电子科技》
2010年第12期20-23,共4页
有机发光二极管显示器(OLED)正越来越多地用于中小尺寸的显示,但在大尺寸方面进展缓慢,因为在有源大尺寸方面对OLED的稳定性和均匀性要求较高,需要设计像素补偿电路。各研究机构提出了像素补偿电路用于改善OLED的均匀性和稳定性等问题,...
有机发光二极管显示器(OLED)正越来越多地用于中小尺寸的显示,但在大尺寸方面进展缓慢,因为在有源大尺寸方面对OLED的稳定性和均匀性要求较高,需要设计像素补偿电路。各研究机构提出了像素补偿电路用于改善OLED的均匀性和稳定性等问题,文中对目前采用有源OLED的α-SiTFT和p-SiTFT的各种像素补偿电路进行了分析。分析结果表明,文中设计方案取得了一定的效果,但尚存不足。
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关键词
α-
sitft
p
-
sitft
像素补偿电路
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职称材料
低温多晶硅薄膜晶体管(p—SiTFT)制作新技术
被引量:
1
4
作者
季旭东
《光电技术》
2003年第1期49-53,共5页
制作低温多晶硅薄膜晶体管层是制作高性能液晶显示器件技术的一个重要组成部分。本文对制作液晶显示器件的多晶硅薄膜晶体管层工艺及其改进进行了讨论。
关键词
低温多晶硅
液晶显示
薄膜晶体管
技术制造
p
—
sitft
物理蒸镀-溅射法
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职称材料
题名
多晶硅薄膜的表面处理工艺
被引量:
4
1
作者
曾祥斌
Johnny K O Sin
徐重阳
饶瑞
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港科技大学电气与电子工程系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期693-696,共4页
基金
与香港科技大学电气与电子工程系合作项目
文摘
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的 p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理 TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
关键词
NH3
N2O
表面钝化
p
-
sitft
多晶硅薄膜
表面处理工艺
Keywords
NH3
N2O
surface
p
assivation
p
oly-Si TFT
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.055
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职称材料
题名
多晶硅薄膜的激光晶化技术
被引量:
1
2
作者
邵喜斌
机构
京东方科技集团股份有限公司
出处
《光机电信息》
2008年第4期7-10,共4页
文摘
1引言 多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)在有源LCD和有源OLED中都有重要应用。在有源LCD中,a-SiTFT LCD目前占据绝大部分市场,尤其在大尺寸液晶电视和液晶显示器等方面,p-SiTFT LCD只是在中小尺寸中要求高分辨率的应用领域占据了一部分市场。对于有源OLED而言,p-Si TFT的重要性要高于有源LCD,因为OLED是电流型器件,
关键词
多晶硅薄膜晶体管
激光晶化
有源OLED
A-
sitft
p
-
sitft
技术
LCD
液晶显示器
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
TN304.12
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职称材料
题名
基于改善AMOLED TFT均匀性和稳定性像素补偿电路
3
作者
谢莉
王永
机构
南京信息职业技术学院微电子学院
出处
《电子科技》
2010年第12期20-23,共4页
基金
江苏省科技支撑计划基金资助项目:工业部分(BE2009171)
文摘
有机发光二极管显示器(OLED)正越来越多地用于中小尺寸的显示,但在大尺寸方面进展缓慢,因为在有源大尺寸方面对OLED的稳定性和均匀性要求较高,需要设计像素补偿电路。各研究机构提出了像素补偿电路用于改善OLED的均匀性和稳定性等问题,文中对目前采用有源OLED的α-SiTFT和p-SiTFT的各种像素补偿电路进行了分析。分析结果表明,文中设计方案取得了一定的效果,但尚存不足。
关键词
α-
sitft
p
-
sitft
像素补偿电路
Keywords
α-Si TFT
p
-Si TFT
p
ixel com
p
ensation circuit
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
低温多晶硅薄膜晶体管(p—SiTFT)制作新技术
被引量:
1
4
作者
季旭东
机构
华东电子集团公司
出处
《光电技术》
2003年第1期49-53,共5页
文摘
制作低温多晶硅薄膜晶体管层是制作高性能液晶显示器件技术的一个重要组成部分。本文对制作液晶显示器件的多晶硅薄膜晶体管层工艺及其改进进行了讨论。
关键词
低温多晶硅
液晶显示
薄膜晶体管
技术制造
p
—
sitft
物理蒸镀-溅射法
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶硅薄膜的表面处理工艺
曾祥斌
Johnny K O Sin
徐重阳
饶瑞
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
下载PDF
职称材料
2
多晶硅薄膜的激光晶化技术
邵喜斌
《光机电信息》
2008
1
下载PDF
职称材料
3
基于改善AMOLED TFT均匀性和稳定性像素补偿电路
谢莉
王永
《电子科技》
2010
0
下载PDF
职称材料
4
低温多晶硅薄膜晶体管(p—SiTFT)制作新技术
季旭东
《光电技术》
2003
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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