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题名氧化限制结构940 nm垂直腔面发射激光器
被引量：2
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作者
颜伟年
王秋华
周亨杰
邱平平
赵玲娟
阚强
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机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
低维半导体材料与器件北京市重点实验室
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出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第15期223-230,共8页
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基金
国家自然科学基金(62134008)。
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文摘
为研究氧化限制结构孔径对940 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)特性的影响,制备了不同氧化孔径的940 nm VCSEL,并进行了测试分析。通过PICS3D软件对不同量子阱势垒材料的增益进行仿真计算,选取具有较高有源区材料增益的InGaAs/AlGaAs作为量子阱,并开展了增益-腔模失配设计。在设计优化的基础上,制备了6种氧化孔径的940 nm VCSEL,对其光电输出特性进行测试。结果表明:氧化孔径为4μm的VCSEL,室温下斜率效率为0.93 W/A,最大功率转换效率为40.1%;氧化孔径为7μm的VCSEL,室温下最大输出功率为12.24 mW;氧化孔径为2μm的VCSEL,室温下最大基横模功率为2.67 mW。该器件在2 mA连续驱动电流下,在10~80℃的范围内均可实现边模抑制比大于45 dB的基横模输出。
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关键词
激光器
垂直腔面发射激光器
氧化限制结构
基横模
孔径
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Keywords
lasers
vertical cavity surface emitting laser
oxide-confined structure
fundamental transverse mode
aperture diameter
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名AlGaAs湿法氧化特性实验研究
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作者
曾丽娜
赵英杰
钟景昌
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机构
长春理工大学机电工程学院
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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出处
《大气与环境光学学报》
CAS
2006年第4期73-76,共4页
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文摘
研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关,并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响,实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系。
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关键词
氧化物限制
湿法氧化
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Keywords
oxide-confined structure
wet oxidation
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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