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Er,Zr共掺杂对(K0.16Na0.84)0.5Bi4.5Ti4O15压电陶瓷电学和上转换发光性能的影响 被引量:2
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作者 江亚林 江向平 +3 位作者 陈超 涂娜 江兴安 陈云婧 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1270-1275,共6页
采用固相法制备Er、Zr共掺铋层状结构陶瓷(K0.16Na0.84Bi)0.47Er0.02Bi4Ti4–xZrxO15(KNBET–Zr–x,0≤x≤0.12,x为摩尔分数),研究了不同Zr含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的正交相铋层状结构... 采用固相法制备Er、Zr共掺铋层状结构陶瓷(K0.16Na0.84Bi)0.47Er0.02Bi4Ti4–xZrxO15(KNBET–Zr–x,0≤x≤0.12,x为摩尔分数),研究了不同Zr含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。结果表明:所有样品均为单一的正交相铋层状结构,无其他杂相出现。随着Zr掺入量的增加,晶格常数a、b、c不断增大,正交畸变(b/a)的值逐渐减小;适量Zr掺杂使样品的介电损耗降低,剩余极化强度2Pr和压电常数d33得到提高;当x=0.04时,样品具有最佳的综合电学性能:介电损耗tanδ=0.61%、压电性能d33=24 p/CN、剩余极化强度2Pr=3.02μC/cm2。在980 nm近红外光源激发下,所有样品均呈现出较强的绿光发射,对应于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2的跃迁。随着Zr离子掺入量增加,正交畸变(b/a)减少,荧光强度逐渐下降。 展开更多
关键词 正交畸变 上转换发光 介电性能 压电陶瓷
原文传递
锰掺杂诱导正交相SnO_2的生长行为
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作者 王利军 陈琛 +1 位作者 刘延雨 陈志文 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期459-464,共6页
通过一种简单的共沉淀方法制备了Mn掺杂二氧化锡(SnO_2)颗粒,对前驱体在不同温度下热处理,并通过X射线衍射(X-my diffraction,XRD)和高分辨电子显微学(high-resolution transmission electron microscopy,HRTEM)对样品的微纳米结构进行... 通过一种简单的共沉淀方法制备了Mn掺杂二氧化锡(SnO_2)颗粒,对前驱体在不同温度下热处理,并通过X射线衍射(X-my diffraction,XRD)和高分辨电子显微学(high-resolution transmission electron microscopy,HRTEM)对样品的微纳米结构进行了表征.结果表明:样品中除了四方相Sn02外,还存在正交相SnO_2.XRD测试结果显示,随着退火温度的增加,正交相SnO_2的峰强减弱,四方相的峰强增加.HRTEM分析表明:样品中可以同时找到四方相和正交相SnO_2的晶格像,进一步证实了正交相SnO_2的存在.Mn掺杂SnO_2后,Mn离子进入SnO_2晶胞,替代了Sn离子,因此引起晶格扭曲畸变,对正交相SnO_2的形成起着重要的作用. 展开更多
关键词 二氧化锡(SnO2) 四方相 正交相 晶格畸变 微纳米结构
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Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的相变研究
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作者 周正国 卢志红 +2 位作者 李江鹏 章煜 黄良安 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第3期327-331,共5页
用变温X射线及热分析等方法研究Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜... 用变温X射线及热分析等方法研究Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变点附近未观察到潜热的产生。 展开更多
关键词 铁电薄膜 相变 BI4TI3O12 铁电体 钙钛矿型
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