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光学浮区法生长技术及其在晶体生长中的应用 被引量：5
1
作者 武安华 申慧 +2 位作者 徐家跃 小川贵代 和田智之 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4036-4039,共4页
光学浮区法是近些年来倍受关注的晶体生长的新方法，具有无需坩埚、无污染、生长速度快等优点，十分适合于晶体生长研究。介绍了光学浮区法晶体生长炉的构造以及技术原理，并阐述了该生长法在晶体生长领域的应用情况。
关键词 光学浮区法 晶体生长 应用
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光学浮区法制备定向生长Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金 被引量：1
2
作者 胡轶嵩 金浩 +3 位作者 刘荣华 崔玉友 线全刚 杨锐 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期45-48,共4页
在无籽晶的生长条件下,利用光学浮区定向凝固炉制备了Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金定向试棒。从试棒中切取择优取向的晶粒作为籽晶,引晶自身并成功得到片层界面平行生长方向的定向试棒。结果表明,该试棒的室温屈服强度约为722 MPa,伸... 在无籽晶的生长条件下,利用光学浮区定向凝固炉制备了Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金定向试棒。从试棒中切取择优取向的晶粒作为籽晶,引晶自身并成功得到片层界面平行生长方向的定向试棒。结果表明,该试棒的室温屈服强度约为722 MPa,伸长率约为3.9%。SEM观察发现,大量条形硅化物在片层组织中析出。实验结果表明:该合金片层组织具有较好的热稳定性,具备引晶功能,但硅化物的存在使得合金室温塑性略低。 展开更多
关键词 Ti-44.5Al-3Nb-0.8Si-0.2C合金 光学浮区炉 引晶生长 硅化物
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氧气压对光学浮区法自旋梯子化合物Sr_(14-x)Ca_xCu_(24)O_(41)单晶制备和组分的影响(英文)
3
作者 王清波 周翠 +1 位作者 陶前 许祝安 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1897-1900,共4页
利用光学浮区法制备了自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41(SCCO)系列单晶样品,研究了氧气压对晶体生长的影响和制备条件对晶体性质的影响程度。发现在常压氧气氛下可以制备出Ca含量x小于8的大块高质量的SCCO晶体,但更高Ca含量的样品仍然必... 利用光学浮区法制备了自旋梯子化合物Sr14-xCaxCu24O41(SCCO)系列单晶样品,研究了氧气压对晶体生长的影响和制备条件对晶体性质的影响程度。发现在常压氧气氛下可以制备出Ca含量x小于8的大块高质量的SCCO晶体,但更高Ca含量的样品仍然必须在高压氧气氛下(0.9MPa)下进行。采用XRD,EDX能谱和电阻率测量实验手段对不同条件制备的SCCO单晶样品进行的分析测试表明,不同氧气压制备出的SCCO单晶样品的性质差别较小,但是高压氧气氛更有利于高Ca含量样品的晶体生长。 展开更多
关键词 晶体生长 光学浮区法 氧气压 自旋梯子化合物
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