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Optical cross-talk reduction in a quantumdot-based full-color micro-light-emitting-diode display by a lithographic-fabricated photoresist mold 被引量:28
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作者 HUANG-YU LIN CHIN-WEI SHER +7 位作者 DAN-HUA HSIEH XIN-YIN CHEN HUANG-MING PHILIP CHEN TENG-MING CHEN KEI-MAY LAU CHYONG-HUA CHEN CHIEN-CHUNG LIN HAO-CHUNG KUO 《Photonics Research》 SCIE EI 2017年第5期411-416,共6页
In this study, a full-color emission red–green–blue(RGB) quantum-dot(QD)-based micro-light-emitting-diode(micro-LED) array with the reduced optical cross-talk effect by a photoresist mold has been demonstrated. The ... In this study, a full-color emission red–green–blue(RGB) quantum-dot(QD)-based micro-light-emitting-diode(micro-LED) array with the reduced optical cross-talk effect by a photoresist mold has been demonstrated. The UV micro-LED array is used as an efficient excitation source for the QDs. The aerosol jet technique provides a narrow linewidth on the micrometer scale for a precise jet of QDs on the micro-LEDs. To reduce the optical cross-talk effect,a simple lithography method and photoresist are used to fabricate the mold, which consists of a window for QD jetting and a blocking wall for cross-talk reduction. The cross-talk effect of the well-confined QDs in the window is confirmed by a fluorescence microscope, which shows clear separation between QD pixels. A distributed Bragg reflector is covered on the micro-LED array and the QDs' jetted mold to further increase the reuse of UV light.The enhanced light emission of the QDs is 5%, 32%, and 23% for blue, green, and red QDs, respectively. 展开更多
关键词 QDs optical cross-talk reduction in a quantumdot-based full-color micro-light-emitting-diode display by a lithographic-fabricated photoresist mold
原文传递
SDH光接收模块及其接口电路的高速板设计 被引量:4
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作者 缪庆元 黄德修 +1 位作者 唐义兵 张新亮 《光通信研究》 北大核心 1999年第2期36-42,共7页
SDH光接收模块具有高速高增益的特点,电路板设计的好坏是模块的性能指标能否实现的关键环节之一。为此,本文结合光接收模块的制作,从多个方面对高速板设计技术进行了详细的分析。并在充分运用高速板设计方法的基础上研制出高灵敏度... SDH光接收模块具有高速高增益的特点,电路板设计的好坏是模块的性能指标能否实现的关键环节之一。为此,本文结合光接收模块的制作,从多个方面对高速板设计技术进行了详细的分析。并在充分运用高速板设计方法的基础上研制出高灵敏度小型化SDH光接收模块。 展开更多
关键词 光接收模块 高速板设计 SDH 传输线 光纤通信
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双波段芯片集成封装组件的低温光谱定量化 被引量:2
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作者 徐勤飞 刘大福 +6 位作者 龚海梅 吴家荣 蒋梦蝶 张亚妮 季鹏 王仍 张麟 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第6期744-751,共8页
在同一组件中多芯片多波段的应用中,由于芯片的中心距越来越小,导致某些相邻波段通常被集成制备到一个芯片上。为减小波段串扰,本文针对一体化双波段芯片集成封装组件的低温光谱定量化展开研究,通过制备一体化双波段芯片集成封装组件,... 在同一组件中多芯片多波段的应用中,由于芯片的中心距越来越小,导致某些相邻波段通常被集成制备到一个芯片上。为减小波段串扰,本文针对一体化双波段芯片集成封装组件的低温光谱定量化展开研究,通过制备一体化双波段芯片集成封装组件,并通过波段间物理隔离、金属区物理遮盖等措施将两波段的光束隔离。测试结果表明隔离前后,芯片间光谱串光现象有了明显改善,波段间串扰从8%降到了4%以内,光谱带外响应从6.5%降低至0.78%。为了避免低温工况下物理隔离条与芯片的热失配问题,隔离条采用与芯片衬底完全一致材料。双波段芯片集成封装组件的高低温冲击试验表明,其在有效抑制组件内串扰的同时,也解决了组件内关键部件的热失配问题。 展开更多
关键词 光谱定量化 探测器组件 低温光谱 物理隔离 光学串扰
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光纤松耦合型传感器特性研究 被引量:2
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作者 陈尧生 《光子学报》 EI CAS CSCD 1992年第3期247-253,共7页
本文介绍一种实用的光纤传感器,它由二根光纤或多根光纤紧靠一起,并在同一位置除去局部包层,成为松耦合状态,在这种状态下,研究了它的特性和应用。 当耦合间隙中充满某种液体介质时,耦合效率明显增大,因此可以方便地判别该介质是否存在... 本文介绍一种实用的光纤传感器,它由二根光纤或多根光纤紧靠一起,并在同一位置除去局部包层,成为松耦合状态,在这种状态下,研究了它的特性和应用。 当耦合间隙中充满某种液体介质时,耦合效率明显增大,因此可以方便地判别该介质是否存在。并且实验证明了一种光纤只能有一种相近于光纤芯子折射率的介质具有最大的灵敏度。当间隙内的介质不变时,耦合功率的大小决定于耦合距离d和耦合长度l,l一旦决定以后,d的调节精度为0.1mm量级,易于在机械结构上实现线性检测。 展开更多
关键词 光纤传感器 松耦合 传感器
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受激喇曼散射效应对DWDM光通信系统性能的影响
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作者 刘毓 孙亚尼 +1 位作者 方立杰 李世杰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期121-125,135,共6页
在DWDM系统中,当输入光功率足够大时,会产生信道间功率转移的受激喇曼散射(SRS)效应。建立了在"时域分步法"存在衰减、色散"走离"和SRS效应作用条件下的N信道SRS效应计算模型,在此基础之上,使用Matlab软件进行仿真... 在DWDM系统中,当输入光功率足够大时,会产生信道间功率转移的受激喇曼散射(SRS)效应。建立了在"时域分步法"存在衰减、色散"走离"和SRS效应作用条件下的N信道SRS效应计算模型,在此基础之上,使用Matlab软件进行仿真,通过大量的数据仿真分析了SRS耦合效应对DWDM光通信传输系统质量造成的影响以及输入功率、信道数与SRS耦合效应的关系,对进一步研究SRS效应对DWDM光通信系统性能的影响有着十分重要的意义。 展开更多
关键词 DWDM SRS 输入功率 信道数 Raman串话 信噪比
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InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器 被引量:1
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作者 马晓乐 郭杰 +4 位作者 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 GaSb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰
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