设计并实现了一种适用于X波段（11-12 GHz）的高性能低噪声放大器（LNA）,该低噪声放大器选用Ga As FET（MGF4941AL）低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的...设计并实现了一种适用于X波段（11-12 GHz）的高性能低噪声放大器（LNA）,该低噪声放大器选用Ga As FET（MGF4941AL）低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11-12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比（VSWR）小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。展开更多
文摘设计并实现了一种适用于X波段（11-12 GHz）的高性能低噪声放大器（LNA）,该低噪声放大器选用Ga As FET（MGF4941AL）低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11-12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比（VSWR）小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。
