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封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
1
作者
王达鹏
李佳
+1 位作者
吕怡凡
陈立红
《电声技术》
2023年第6期141-143,147,共4页
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chip...
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chips on Board,COB)封装激光器、导电胶同轴(Transistor Outline,TO)封装激光器、金锡同轴封装激光器的功率、波长、脉宽以及寄生电感等数据,得出CaN MOSFET驱动下的导电胶COB封装激光器性能最佳的结论。
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关键词
CaN
MOSFET驱动
905
nm
边
发射
激光器
封装
窄脉冲
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职称材料
题名
封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
1
作者
王达鹏
李佳
吕怡凡
陈立红
机构
河北杰微科技有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《电声技术》
2023年第6期141-143,147,共4页
文摘
905 nm大功率窄脉冲激光在激光雷达测距领域有广阔的应用前景。当激光器工作速率逐渐提高时,封装带来的寄生参数对激光器输出特性的影响不容忽略。文章以905 nm边发射激光器为研究对象,在CaN MOSFET驱动下测试并对比导电胶板上芯片(Chips on Board,COB)封装激光器、导电胶同轴(Transistor Outline,TO)封装激光器、金锡同轴封装激光器的功率、波长、脉宽以及寄生电感等数据,得出CaN MOSFET驱动下的导电胶COB封装激光器性能最佳的结论。
关键词
CaN
MOSFET驱动
905
nm
边
发射
激光器
封装
窄脉冲
Keywords
CaN MOSFET driver
905
nm
edge-emitting laser,packaging
narrow pulses
分类号
TN29 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
封装对905 nm大功率窄脉冲激光发光特性的影响
王达鹏
李佳
吕怡凡
陈立红
《电声技术》
2023
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