期刊文献+
共找到274篇文章
< 1 2 14 >
每页显示 20 50 100
65nm/45nm工艺及其相关技术 被引量:4
1
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期10-14,共5页
介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。
关键词 65 nm/45 nm工艺 157 nm F2光刻机 高k/低k绝缘材料
下载PDF
45nm工艺与关键技术 被引量:4
2
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2007年第9期863-867,共5页
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电... 介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。 展开更多
关键词 45 nm工艺 193 nm ArF光刻技术 低k电介质技术 高k电介质技术 应变硅技术
下载PDF
45nm工艺与先进的光刻设备 被引量:2
3
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第9期1-6,共6页
2006年是65nm芯片量产年和45nm芯片首推年。193nmArF浸没式光刻机将在量产65、45、32nm芯片中大显身手、大展鸿图。
关键词 45 nm工艺 193 nm ArF浸没式光刻机:分辨率
下载PDF
28nm多晶硅硬掩模刻蚀中的棒状颗粒缺陷与对策分析
4
作者 许进 《红外》 CAS 2023年第7期26-33,共8页
在摩尔定律的影响下,半导体制造的线宽尺寸逐步到达极限。当前28 nm及以下工艺制程中,多晶硅栅极刻蚀普遍采用双层联动的硬掩模刻蚀加多晶硅刻蚀的方法,可以实现关键尺寸的有效控制,但同时也增加了颗粒缺陷的发生率。针对多晶硅硬掩模刻... 在摩尔定律的影响下,半导体制造的线宽尺寸逐步到达极限。当前28 nm及以下工艺制程中,多晶硅栅极刻蚀普遍采用双层联动的硬掩模刻蚀加多晶硅刻蚀的方法,可以实现关键尺寸的有效控制,但同时也增加了颗粒缺陷的发生率。针对多晶硅硬掩模刻蚀(Polysilicon Hard Mask Etch,P1HM-ET)过程中出现的棒状颗粒缺陷,分析了缺陷的来源和形成机理。通过精准调控刻蚀结束后静电卡盘(Electrostatic-Chuck,ESC)对晶圆的释放时间和自身电荷的释放时间来加强刻蚀腔体内颗粒的清除和减小晶背静电吸附作用。结果显示,当晶圆释放时间增加2 s,ESC电荷释放时间增加6 s后,减少了约80%的棒状颗粒缺陷。通过调控相关联的工艺参数来减少缺陷,可以有效减少消耗性零件的使用,从而降低生产成本。 展开更多
关键词 28 nm工艺 多晶硅硬掩模刻蚀 棒状颗粒
下载PDF
193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术 被引量:1
5
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2007年第4期17-18,共2页
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
关键词 32 nm工艺 22 nm工艺 193 nm ArF浸没式光刻技术 EUV光刻技术
下载PDF
45nm工艺及材料的最新动态 被引量:1
6
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第11期9-12,共4页
介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变... 介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层。 展开更多
关键词 45 nm芯片 45 nm工艺 45 nm设备 应变硅技术
下载PDF
90nm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计 被引量:1
7
作者 易兴勇 李海军 陈杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期812-815,共4页
为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阈值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法。以COSTAR II芯片为实例,利用90 nm多阈值单元库进行低静态功耗设计。结果表明,利用... 为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阈值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法。以COSTAR II芯片为实例,利用90 nm多阈值单元库进行低静态功耗设计。结果表明,利用多阈值技术设计来降低功耗是可行的,并对各种实现方法进行比较分析,可作为低静态功耗设计的参考。 展开更多
关键词 90 nm工艺 多阈值 低静态功耗设计
下载PDF
基于CMOS集成温度传感器的电路设计与仿真 被引量:3
8
作者 吴梦维 王振铎 《电子科技》 2018年第8期86-88,共3页
为提高温度传感器的测量精度,同时缩小其面积和功耗,文中设计了一种使用NPN晶体管进行温度测量的完全集成互补型金属氧化物半导体传感器。该传感器主要由偏置电路,运算放大器和热传感器电路组成。偏置电路为传感器提供偏置条件,其由启... 为提高温度传感器的测量精度,同时缩小其面积和功耗,文中设计了一种使用NPN晶体管进行温度测量的完全集成互补型金属氧化物半导体传感器。该传感器主要由偏置电路,运算放大器和热传感器电路组成。偏置电路为传感器提供偏置条件,其由启动电路和β乘法器电路组成。文中采用LTspice and Matlab进行电路设计,并在50 nm工艺下对传感器电路进行仿真,得到所设计的温度传感器在-30~125℃范围内,温度系数为5.9 m V/℃。 展开更多
关键词 CMOS技术 集成温度传感器 50 nm工艺 温度系数
下载PDF
基于28nm工艺的芯片时钟树研究 被引量:3
9
作者 刘健 杨雨婷 +1 位作者 江燕 张艳飞 《电子与封装》 2020年第7期44-47,共4页
随着工艺的不断发展,芯片集成规模增大,工作频率不断增加,给传统的IC设计带来巨大的挑战。基于UMC 28 nm工艺,采用Innovus工具布局布线,重点描述了时钟树绕线方法、early clock方法以及useful skew的应用。研究表明,采用early clock方... 随着工艺的不断发展,芯片集成规模增大,工作频率不断增加,给传统的IC设计带来巨大的挑战。基于UMC 28 nm工艺,采用Innovus工具布局布线,重点描述了时钟树绕线方法、early clock方法以及useful skew的应用。研究表明,采用early clock方法可以有效地解决绕线拥塞问题,最终short数量从219减少到5,并且当时钟绕线采用双倍宽度、双倍间距,应用useful skew可以将setup最差违例从-0.088 ns优化为0 ns,减少eco迭代过程。 展开更多
关键词 28 nm工艺 useful skew early clock 时钟树综合 布局布线 Innovus工具
下载PDF
32nm工艺及其设备 被引量:1
10
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2008年第12期34-36,共3页
2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。... 2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。 展开更多
关键词 32 nm工艺 193 nm浸没式光刻 双重图形 光刻设备
下载PDF
一种用于直接射频采样ADC的多模式数字下变频器设计
11
作者 彭庆尧 吴旦昱 +2 位作者 周磊 武锦 刘新宇 《电子器件》 CAS 北大核心 2021年第6期1314-1321,共8页
为满足直接射频采样ADC对数字下变频器(digital down converter, DDC)抽取模式数量的需求,提出了一种多模式DDC设计。首先研究和分析了AD采样原理、DDC原理和高速高精度数控振荡器原理,建立了基于多模式抽取滤波器组的DDC模型,并进行了... 为满足直接射频采样ADC对数字下变频器(digital down converter, DDC)抽取模式数量的需求,提出了一种多模式DDC设计。首先研究和分析了AD采样原理、DDC原理和高速高精度数控振荡器原理,建立了基于多模式抽取滤波器组的DDC模型,并进行了行为级仿真和分析;之后采用Verilog HDL完成了RTL设计与仿真,利用Synopsys数字后端工具链完成了基于28 nm工艺的版图设计与后仿。仿真显示,该设计可工作在1 GHz时钟下,实现了14种模式,最低阻带衰减大于100 dB,在抽取系数为2的条件下,-3 dB带宽达到478.867 MHz。包含ADC所需的其他数字电路的总面积为1 300μm×1 370μm(DDC约占67%),总仿真功耗为301.7 mW。该设计具有抽取模式多、功耗低、消耗资源少的优点,能够满足直接射频采样ADC对多模式DDC的需求。 展开更多
关键词 数字下变频器 有限冲激响应数字滤波器 坐标旋转数字计算方法 28 nm工艺
下载PDF
90nm工艺及其相关技术 被引量:11
12
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期40-44,共5页
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变... ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。 展开更多
关键词 90nm工艺 ArF光刻机 高k/低k绝缘材料 铜互连技术 应变硅技术 电压隔离技术 193nm光刻技术
下载PDF
EUV微影技术与7nm工艺 被引量:8
13
作者 麦利 《集成电路应用》 2016年第4期24-25,共2页
集成电路的制造技术下一步将进入7nm节点,业界期待极紫外光(EUV)微影技术的成熟并广泛推广应用,期望EUV能用来制造更小、更便宜的晶片。数据表明,EUV仍然缺少具有高功率,足够可靠的光源来保证目前晶圆厂每天所要求的晶圆产能。
关键词 集成电路制造 微影技术 EUV 7nm工艺
下载PDF
300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势 被引量:7
14
作者 翁寿松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期27-29,55,共4页
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。
关键词 300MM晶圆 芯片制造技术 发展趋势 90nm工艺 光刻 铜互连 低k绝缘层 应变硅
下载PDF
基于TSMC180nm工艺的8位电压型数模转换器设计
15
作者 胡含涛 高超嵩 +1 位作者 孙向明 朴红光 《中阿科技论坛(中英文)》 2024年第8期96-102,共7页
基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析... 基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析。测试结果表明,在1.8V电源供电下,总版图面积为820μm×820μm,DAC总功耗为91.8μW,其最大转换速率达250M采样次数/s,微分非线性误差(D_(NL))和积分非线性误差(I_(NL))的最大绝对值分别为0.32LSB和0.52LSB。 展开更多
关键词 数模转换器 8位分辨率 180nm工艺 R-2R阶梯型
下载PDF
基于SMIC 180nm工艺的内插延时链型TDC芯片
16
作者 汪炯 马毅超 +2 位作者 蒋俊国 庄建 滕海云 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1108-1114,共7页
在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计... 在高能同步辐射光源的高分辨谱学线站系统(HEPS-B5)的核共振散射实验中,为满足测试样品对时间数字转换皮秒级的高分辨率时间测量要求,基于SMIC 180 nm工艺设计了一款内插延时链型的四通道时间数字转换器(TDC)芯片。该TDC芯片采用“粗计数”和“细计数”相结合的链状结构,通过内插延时链法来提高测量分辨率,并结合时钟计数器以实现较大的动态测量范围。为了阻止亚稳态的传递,使用两级反相器作为基本延时单元,另外通过异步先进先出(FIFO)缓冲器实现数据在不同时钟域之间的安全传递。实验测试结果表明,该TDC芯片的时间分辨率可达到56.3 ps,动态测量范围为0~262μs,能够满足核共振散射实验的高精度时间测量要求。 展开更多
关键词 高能同步辐射光源(HEPS) 内插延时链 时间数字转换器(TDC) 高分辨率 180nm工艺
下载PDF
65nm工艺及其设备 被引量:3
17
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第2期18-20,48,共4页
介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。
关键词 65nm工艺 设备 芯片
下载PDF
28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计 被引量:4
18
作者 宋圣宇 陈建军 +3 位作者 文溢 邢海源 李梦姿 郭阳 《计算机与数字工程》 2019年第11期2738-2745,共8页
随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参... 随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标。最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 带隙基准电路 28nm工艺 温度系数 低功耗低噪声
下载PDF
集成电路迈向90nm新工艺 被引量:1
19
作者 朱良辰 胡越黎 冉峰 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期42-44,共3页
介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。
关键词 集成电路 90nm工艺 应变硅 工艺 晶体管 多层铜线互连工艺
下载PDF
Xilinx FPGA的功耗优化设计 被引量:2
20
作者 Matt Klein 《世界电子元器件》 2009年第4期47-49,共3页
对于FPGA来说,设计人员可以充分利用其可编程能力以及相关的工具来准确估算功耗,然后再通过优化技术来使FPGA设计以及相应的PCB板在功率方面效率更高。 静态和动态功耗及其变化 在90nm工艺时,电流泄漏问题对AISC和FPGA都变得相当严... 对于FPGA来说,设计人员可以充分利用其可编程能力以及相关的工具来准确估算功耗,然后再通过优化技术来使FPGA设计以及相应的PCB板在功率方面效率更高。 静态和动态功耗及其变化 在90nm工艺时,电流泄漏问题对AISC和FPGA都变得相当严重。在65nm工艺下,这一问题更具挑战性。为获得更高的晶体管性能,必须降低阈值电压,但同时也加大了电流泄漏。 展开更多
关键词 FPGA设计 动态功耗 XILINX 优化设计 90nm工艺 65nm工艺 电流泄漏 编程能力
下载PDF
上一页 1 2 14 下一页 到第
使用帮助 返回顶部