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下一代光学掩模制造技术
被引量:
3
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作者
谢常青
《微电子技术》
2000年第6期1-4,共4页
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模...
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。
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关键词
光学光刻
光学邻近效应
移相掩模
光学掩模
制造技术
下载PDF
职称材料
深亚微米光学光刻设备制造技术
被引量:
2
2
作者
谢常青
《电子工业专用设备》
2000年第2期15-19,共5页
相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技...
相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。
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关键词
193
nm
光学光刻
157
nm
光学光刻
透镜
步进扫描
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职称材料
题名
下一代光学掩模制造技术
被引量:
3
1
作者
谢常青
机构
中国科学院微电子中心三室
出处
《微电子技术》
2000年第6期1-4,共4页
文摘
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。
关键词
光学光刻
光学邻近效应
移相掩模
光学掩模
制造技术
Keywords
nm
optical
lithography
157um
optical
lithography
optical
proximity
correction
Phase
-
shift
mask
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
深亚微米光学光刻设备制造技术
被引量:
2
2
作者
谢常青
机构
中国科学院微电子中心三室
出处
《电子工业专用设备》
2000年第2期15-19,共5页
文摘
相对于其它“后光学”光刻技术 ,在 0 1 3μm甚至 0 1 3μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然具有强大的吸引力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高 ,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战。论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难 ,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析。
关键词
193
nm
光学光刻
157
nm
光学光刻
透镜
步进扫描
Keywords
193
nm
optical
lithography
157
nm
optical
lithography
Lens
Step-and-scan
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
下一代光学掩模制造技术
谢常青
《微电子技术》
2000
3
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职称材料
2
深亚微米光学光刻设备制造技术
谢常青
《电子工业专用设备》
2000
2
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