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Nd:Gd_3Ga_5O_(12)多晶原料合成及单晶生长研究 被引量：10
1
作者 孙晶 刘景和 +4 位作者 关效贤 李建利 曾繁明 万玉春 张亮 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期585-589,共5页
通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd... 通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd∶GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061 54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。 展开更多
关键词 掺钕钆镓石榴石晶体 原料挥发 激光晶体 提拉法 晶体生长
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掺钕钆镓石榴石晶体的激光性能 被引量：1
2
作者 曾繁明 孙晶 +4 位作者 郭丹 朱忠丽 李建利 万玉春 刘景和 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1339-1343,共5页
采用提拉法生长了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)晶体。切割后的样品经过端面抛光,测试了荧光光谱、吸收光谱和激光性能。荧光光谱表明:晶体的最强的荧光发射峰位于1 062 nm,是Nd3+的4F3/2—4I11/2谱项导致的荧光发射。由吸收光谱发现:Nd∶GGG... 采用提拉法生长了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)晶体。切割后的样品经过端面抛光,测试了荧光光谱、吸收光谱和激光性能。荧光光谱表明:晶体的最强的荧光发射峰位于1 062 nm,是Nd3+的4F3/2—4I11/2谱项导致的荧光发射。由吸收光谱发现:Nd∶GGG晶体的最强吸收峰位于808 nm,表明该晶体适合于激光二极管泵浦,并且吸收峰强度随掺杂离子浓度的增加而增加。激光性能测试结果表明:激光二极管泵浦时光光转换效率为33.8%,斜效率为57.8%。 展开更多
关键词 掺钕钆镓石榴石晶体 荧光光谱 吸收光谱 激光性能
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