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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究
被引量：
4
1
作者
吕蓬
郭亨群
+1 位作者
申继伟
王启明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期44-47,共4页
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采...
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。
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关键词
nc
-
si
/
sinx
薄膜
射频磁控反应溅射
光学非线性
量子限域效应
Z扫描
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职称材料
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
2
作者
王燕飞
王加贤
+2 位作者
张培
杨先才
沈海波
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期88-91,共4页
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输...
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
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关键词
激光技术
纳米
si
/
si
N
超晶格薄膜
被动调Q
1
342
nm激光
双光子吸收
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职称材料
题名
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究
被引量：
4
1
作者
吕蓬
郭亨群
申继伟
王启明
机构
华侨大学信息科学与工程学院
中国科学院半导体研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期44-47,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60678053,60336010)
文摘
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。
关键词
nc
-
si
/
sinx
薄膜
射频磁控反应溅射
光学非线性
量子限域效应
Z扫描
Keywords
nc
-
si
/
sinx
films
radio
freque
nc
y
magnetron
reaction
sputtering
optical
nonlinearity
quantum
confinement
effect
Z-scan
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
2
作者
王燕飞
王加贤
张培
杨先才
沈海波
机构
华侨大学信息科学与工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期88-91,共4页
基金
福建省自然科学基金项目(2009J01291)
文摘
采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
关键词
激光技术
纳米
si
/
si
N
超晶格薄膜
被动调Q
1
342
nm激光
双光子吸收
Keywords
laser
technique；
nc
-
si
/
sinx
superlattice
thin
films
；
pas
si
vely
Q-switch；
1
342
nm
laser；
two-photon
absorption
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究
吕蓬
郭亨群
申继伟
王启明
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
2
纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
王燕飞
王加贤
张培
杨先才
沈海波
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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