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纳米球刻蚀法制备的二维有序的CdS纳米阵列及其光学性质的研究 被引量：4
1
作者 孙萍 徐岭 +6 位作者 赵伟明 李卫 徐骏 马忠元 吴良才 黄信凡 陈坤基 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期1951-1955,共5页
采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行... 采用纳米球刻蚀(nanosphere lithography)技术,以自组装的聚苯乙烯纳米小球(polystyrene,PS小球)的单层膜为掩模,制备出二维有序的CdS纳米阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)对样品结构进行了表征,用紫外—可见分光光度计对样品光学性质进行了分析.结果表明:制备的二维CdS纳米阵列是高度有序的,且与作为掩模的纳米小球的原始尺寸及排布结构一致;禁带宽度为2.60eV,相对于体材料的2.42eV,向短波长蓝移了0.18eV,表现出CdS材料在纳米结构点阵中的量子尺寸效应;CdS纳米阵列在长波段透光性较好,短波段透光性几乎为零,表现出良好的光透选择性. 展开更多
关键词 纳米球刻蚀 二维cds纳米有序阵列 制备 光学性质 半导体材料
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