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利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸 被引量:1
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作者 薛清 李冠成 王秉坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期20-21,26,共3页
报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。
关键词 纳米硅 快速退火 非晶硅薄膜 尺寸
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简单温和的置换途径制备锂离子电池纳米硅负极材料
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作者 阳海林 梁逵 +2 位作者 杜建龙 田凌云 文晓峰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第7期43-47,共5页
硅被认为是一种很有前景的锂离子电池负极材料,因为它理论比容量高达3580 mAh/g(Li_(3.75)Si,室温下形成)。分别以四氯化硅和锌粉作为硅源与还原剂,通过简单有效的置换反应在500℃的条件下制备出了纳米级硅,该方法制备工艺简单,并且原... 硅被认为是一种很有前景的锂离子电池负极材料,因为它理论比容量高达3580 mAh/g(Li_(3.75)Si,室温下形成)。分别以四氯化硅和锌粉作为硅源与还原剂,通过简单有效的置换反应在500℃的条件下制备出了纳米级硅,该方法制备工艺简单,并且原料成本低廉。所得到的纳米级硅颗粒为150~200 nm的球状,并对其进行电化学性能测试,该材料在0.2 A/g的电流密度下首次脱锂比容量能够达到1 747.7 mAh/g。然后以蔗糖为碳源通过高温热解法合成了硅碳复合材料,其50次循环后的脱锂容量保持率为82%。 展开更多
关键词 纳米级硅 复合材料 温和的温度 置换反应 负极材料 锂离子电池
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富纳米硅氮化硅薄膜光致发光机制 被引量:1
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作者 曾友华 郭亨群 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第2期147-150,共4页
对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结... 对于富纳米硅氮化硅薄膜的光致发光,其电子-空穴对存在3类光激发-光发射过程.通过对富纳米硅氮化硅薄膜光致发光模型的数值模拟对比分析,提出富纳米硅氮化硅薄膜光致发光是量子限制模型和能隙态模型发光机制共同作用的结果.利用得到的结论,讨论一些已报道的富纳米硅氮化硅薄膜光致发光实验结果. 展开更多
关键词 纳米硅 氮化硅薄膜 光致发光 发光机制
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硅纳米薄膜法向热导率的进一步分析
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作者 王增辉 李志信 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期179-182,共4页
应用非平衡分子动力学方法进一步研究了平均温度为300K、厚度为2.715nm-43.44nm的单晶硅薄膜的法向热导率,模拟结果表明,薄膜热导率低于同温度下单晶硅的实验值,存在显著的尺寸效应,当膜厚度在20nm以下时,法向热导率随尺度减小而线性减... 应用非平衡分子动力学方法进一步研究了平均温度为300K、厚度为2.715nm-43.44nm的单晶硅薄膜的法向热导率,模拟结果表明,薄膜热导率低于同温度下单晶硅的实验值,存在显著的尺寸效应,当膜厚度在20nm以下时,法向热导率随尺度减小而线性减小,当膜厚度大于20nm时法向热导率随尺度呈现二阶多项式变化。法向热导率的变化规律与面向热导率的变化规律类似,表明薄膜厚度和表面晶格结构对声子传热影响的复杂性。 展开更多
关键词 纳米薄膜 分子动力学 法向热导率
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激光诱导晶化技术制备纳米硅的研究
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作者 薛清 《大学物理实验》 2007年第3期11-13,共3页
利用电子束蒸发技术在硅衬底上镀一层2.5μm厚的含氢非晶硅薄膜,用氩离子激光器的488nm谱线作激发光线,对a-Si-H薄膜进行辐照,使a-Si-H晶化。其拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明,经激光辐照后,在a-Si-H薄膜中形成纳米硅粒。
关键词 薄膜 激光 纳米硅
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球状纳米硅氧化物的制备
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作者 裴立宅 《稀有金属快报》 CSCD 2008年第12期18-21,共4页
以硅、二氧化硅为原料,采用水热沉积法制备了球状纳米硅氧化物。用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量色散谱仪、荧光光度计等测试手段观测了样品的形貌,分析了样品的成分、结构及光致发光(PL)特性。扫描电镜、透射电镜的研究结果表... 以硅、二氧化硅为原料,采用水热沉积法制备了球状纳米硅氧化物。用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量色散谱仪、荧光光度计等测试手段观测了样品的形貌,分析了样品的成分、结构及光致发光(PL)特性。扫描电镜、透射电镜的研究结果表明,所得样品为高纯、直径较均匀的球状纳米硅氧化物。选区电子衍射结果表明,所得纳米硅氧化物球为无定形结构。PL测试表明,样品具有较强的蓝光发射能力。 展开更多
关键词 纳米硅氧化物 球状结构 光致发光 水热沉积
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