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热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响
被引量：
1
1
作者
蔡雅楠
崔灿
+3 位作者
沈洪磊
梁大宇
李培刚
唐为华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第15期494-499,共6页
采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结果表明,在硅含量为～42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中,三种热处理均能形成10^(12)/cm^2量级的硅纳米晶.其...
采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结果表明,在硅含量为～42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中,三种热处理均能形成10^(12)/cm^2量级的硅纳米晶.其中在两步热处理中,硅纳米晶的密度最高,达到2.2×10^(12)/cm^2,并且尺寸均匀、结晶完整性好;一步热处理后的样品中,硅纳米晶密度较低,并且部分纳米晶结晶不充分;快速热处理后的样品中,硅纳米晶密度最低、尺寸分布不均匀,并且存在孪晶结构.分析认为,热处理初始阶段的形核过程对纳米晶的密度及微观结构有着重要的影响,两步热处理中的低温段促进了纳米晶的成核,有助于形成高密度高质量硅纳米晶.
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关键词
硅纳米晶
氧化硅薄膜
热处理
原文传递
题名
热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响
被引量：
1
1
作者
蔡雅楠
崔灿
沈洪磊
梁大宇
李培刚
唐为华
机构
浙江理工大学理学院物理系
北京邮电大学理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第15期494-499,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:60806045
11074220
+3 种基金
51072182)
浙江省自然科学基金(批准号:Y4100310
R4090058)
浙江省大学生科技创新项目(批准号:2009R406063)资助的课题~~
文摘
采用磁控溅射法制备了富硅氧化硅薄膜,然后分别经过一步热处理、两步热处理和快速热处理制备了镶嵌有硅纳米晶的氧化硅薄膜.实验结果表明,在硅含量为～42.63 at.%的富硅氧化硅薄膜中,三种热处理均能形成10^(12)/cm^2量级的硅纳米晶.其中在两步热处理中,硅纳米晶的密度最高,达到2.2×10^(12)/cm^2,并且尺寸均匀、结晶完整性好;一步热处理后的样品中,硅纳米晶密度较低,并且部分纳米晶结晶不充分;快速热处理后的样品中,硅纳米晶密度最低、尺寸分布不均匀,并且存在孪晶结构.分析认为,热处理初始阶段的形核过程对纳米晶的密度及微观结构有着重要的影响,两步热处理中的低温段促进了纳米晶的成核,有助于形成高密度高质量硅纳米晶.
关键词
硅纳米晶
氧化硅薄膜
热处理
Keywords
nanocrystalline
si
；
silicon
rich
oxide
films
；
thermal
treatment
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热处理对富硅氧化硅薄膜中硅纳米晶形成的影响
蔡雅楠
崔灿
沈洪磊
梁大宇
李培刚
唐为华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
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