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碱性纳米SiO_2溶胶在化学机械抛光中的功能
被引量：
10
1
作者
刘效岩
刘玉岭
+3 位作者
梁艳
赵之雯
胡轶
赵东磊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1903-1906,共4页
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的...
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的。综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理。
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关键词
纳米
sio
2
溶胶
化学机械抛光
表面效应
PH值
化学反应模型
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职称材料
纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响
被引量：
4
2
作者
胡轶
刘玉岭
+2 位作者
刘效岩
王立冉
何彦刚
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第B11期852-854,共3页
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光...
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。
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关键词
低介电常数材料
纳米二氧化硅抛光液
介电常数
漏电流
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职称材料
SiO_2抛光液对AlN基片抛光性能的影响
被引量：
3
3
作者
尹青
张国玲
+1 位作者
唐会明
孙涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第6期376-380,共5页
针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳...
针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1∶5稀释后,在压力1.8MPa、转速60r/min、流速340mL/min条件下,对AlN基片进行抛光,抛光速率为0.5μm/min。抛光1.5h后,AlN基片的表面粗糙度可达28nm,表面无划痕。
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关键词
CMP抛光
纳米
sio
2
溶胶
抛光液
PH值
AlN基片
表面粗糙度
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职称材料
纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究
被引量：
1
4
作者
宋晓岚
刘宏燕
+2 位作者
杨海平
岳汉威
邱冠周
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期435-440,共6页
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒...
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。
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关键词
n(111)硅片
纳米
sio
2
浆料
电化学
腐蚀
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职称材料
题名
碱性纳米SiO_2溶胶在化学机械抛光中的功能
被引量：
10
1
作者
刘效岩
刘玉岭
梁艳
赵之雯
胡轶
赵东磊
机构
河北工业大学信息工程学院
河北化工医药职业技术学院制药工程系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1903-1906,共4页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
文摘
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识。但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提。纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的。综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理。
关键词
纳米
sio
2
溶胶
化学机械抛光
表面效应
PH值
化学反应模型
Keywords
nano
-
sio
2
slurry
chemical
mechanical
polishing（CMP）
surface
effect
pH
value
chemical
reaction
mechanism
分类号
TG146.4 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN305.2 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响
被引量：
4
2
作者
胡轶
刘玉岭
刘效岩
王立冉
何彦刚
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第B11期852-854,共3页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
文摘
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。
关键词
低介电常数材料
纳米二氧化硅抛光液
介电常数
漏电流
Keywords
low-k
material
nano
-
sio
2
slurry
dielectric
constant
leakage
current
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SiO_2抛光液对AlN基片抛光性能的影响
被引量：
3
3
作者
尹青
张国玲
唐会明
孙涛
机构
南通海迅天恒纳米科技有限公司
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010年第6期376-380,共5页
文摘
针对AlN基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响。通过对AlN基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分数纳米SiO2溶胶作为磨料,有利于抛光速率的提高。利用纳米SiO2溶胶、去离子水、pH调节剂和稳定剂自主配制抛光液A,与纯水按质量比1∶5稀释后,在压力1.8MPa、转速60r/min、流速340mL/min条件下,对AlN基片进行抛光,抛光速率为0.5μm/min。抛光1.5h后,AlN基片的表面粗糙度可达28nm,表面无划痕。
关键词
CMP抛光
纳米
sio
2
溶胶
抛光液
PH值
AlN基片
表面粗糙度
Keywords
CMP
polishing
nano
sio
2
sol
slurry
pH
AlN
substrate
surface
roughness
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.23
下载PDF
职称材料
题名
纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究
被引量：
1
4
作者
宋晓岚
刘宏燕
杨海平
岳汉威
邱冠周
机构
中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期435-440,共6页
基金
科技部国际科技合作项目(No.2005DFBA028)
中南大学大学生创新教育项目(LB06103)资助
文摘
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。
关键词
n(111)硅片
纳米
sio
2
浆料
电化学
腐蚀
Keywords
n（
111
）
silicon
wafers
nano
-size
sio
2
slurry
electrochemical
corro
sio
n
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碱性纳米SiO_2溶胶在化学机械抛光中的功能
刘效岩
刘玉岭
梁艳
赵之雯
胡轶
赵东磊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
10
下载PDF
职称材料
2
纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响
胡轶
刘玉岭
刘效岩
王立冉
何彦刚
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
3
SiO_2抛光液对AlN基片抛光性能的影响
尹青
张国玲
唐会明
孙涛
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
4
纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究
宋晓岚
刘宏燕
杨海平
岳汉威
邱冠周
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
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