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砷化镓热氧化法制备β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜
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作者 刁肇悌 陈威 +2 位作者 董鑫 焦腾 李政达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1095-1101,共7页
通过对p型砷化镓(p-GaAs)单晶衬底高温热氧化方法制备了β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜。探讨了高温氧化过程中O2流量对β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜形貌的影响。通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析,可以发现在高温高氧环... 通过对p型砷化镓(p-GaAs)单晶衬底高温热氧化方法制备了β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜。探讨了高温氧化过程中O2流量对β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜形貌的影响。通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析,可以发现在高温高氧环境下GaAs转变为β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜的过程与Langmuir蒸发相关。当O_(2)流量较低时(0.2 L/min),GaAs衬底处于缺氧状态,所制备样品呈现纳米线状形貌;而当通入O_(2)流量超过0.4 L/min时,GaAs衬底被完全氧化为具有纳米岛状结构的β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜,且晶体质量得到显著提高。本文提出的砷化镓单晶热氧化工艺可以高效、低成本地获得较高结晶质量的纳米结构β-Ga_(2)O_(3)体块薄膜,对于β-Ga_(2)O_(3)材料的应用具有极大的丰富作用。 展开更多
关键词 热氧化 纳米岛状体块薄膜 β-Ga_(2)O_(3) 氧气流量
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