以精馏环氧作为树脂基体,制备了不同掺杂量的纳米SiO_2/环氧树脂浸渍漆,经高温固化后得到环氧树脂复合材料。利用透射电子显微镜(TEM)表征纳米粒子在复合材料中的分散情况,通过击穿电压测试仪、数字高阻计和介损及介电常数测量系统对复...以精馏环氧作为树脂基体,制备了不同掺杂量的纳米SiO_2/环氧树脂浸渍漆,经高温固化后得到环氧树脂复合材料。利用透射电子显微镜(TEM)表征纳米粒子在复合材料中的分散情况,通过击穿电压测试仪、数字高阻计和介损及介电常数测量系统对复合材料的介电性能进行测试,研究纳米SiO_2的掺杂量对复合材料介电性能的影响。结果表明,纳米SiO_2在环氧树脂基体中分布均匀,大多数颗粒直径分布在60 nm左右;加入SiO_2纳米粒子至8%后复合材料击穿场强可达23.46 k V/mm,比未掺杂的复合材料提高了5.4%;对体积电阻率的影响不大;当纳米质量分数小于20%时,工频下的介电常数(ε)在常温下变化不大,在155℃下,当质量分数大于15%以后才随掺杂量有明显变化;工频下的介质损耗(tanδ)在常温下几乎不变,在155℃下随掺杂量的增大而增大。展开更多
文摘以精馏环氧作为树脂基体,制备了不同掺杂量的纳米SiO_2/环氧树脂浸渍漆,经高温固化后得到环氧树脂复合材料。利用透射电子显微镜(TEM)表征纳米粒子在复合材料中的分散情况,通过击穿电压测试仪、数字高阻计和介损及介电常数测量系统对复合材料的介电性能进行测试,研究纳米SiO_2的掺杂量对复合材料介电性能的影响。结果表明,纳米SiO_2在环氧树脂基体中分布均匀,大多数颗粒直径分布在60 nm左右;加入SiO_2纳米粒子至8%后复合材料击穿场强可达23.46 k V/mm,比未掺杂的复合材料提高了5.4%;对体积电阻率的影响不大;当纳米质量分数小于20%时,工频下的介电常数(ε)在常温下变化不大,在155℃下,当质量分数大于15%以后才随掺杂量有明显变化;工频下的介质损耗(tanδ)在常温下几乎不变,在155℃下随掺杂量的增大而增大。
