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n-nc-Si:H低温制备工艺及其在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
1
作者
靳果
王记昌
闫奇
《河南科技》
2024年第9期83-87,共5页
【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输...
【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输层与钙钛矿层界面处理工艺和结构。【结果】得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件,经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%。【结论】在低温工艺下制备出了高性能的电子传输层及柔性钙钛矿太阳电池,对进一步开展叠层钙钛矿太阳电池的研究具有指导意义。
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关键词
柔性钙钛矿太阳电池
n
-
nc
-
si
:
h
衬底温度
薄膜性能
界面优化
下载PDF
职称材料
n型氢化纳米晶硅薄膜在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
2
作者
靳果
王记昌
闫奇
《金属功能材料》
CAS
2024年第4期67-75,共9页
柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的低温制备工艺是影响其光电转换效率和大规模应用的关键因素。将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究射频功率、掺杂浓度等制备参数对薄膜性能的影响,得到暗电导率、光透过率、表...
柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的低温制备工艺是影响其光电转换效率和大规模应用的关键因素。将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究射频功率、掺杂浓度等制备参数对薄膜性能的影响,得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件。经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%,推动了柔性钙钛矿太阳电池的发展,为制备高性能的柔性钙钛矿太阳电池提供了新的研究思路和方法。
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关键词
柔性钙钛矿太阳电池
电子传输层
n
型氢化纳米晶硅
低温
原文传递
纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性
被引量：
3
3
作者
徐刚毅
王天民
王金良
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2001年第1期45-50,共6页
利用高真空 PECVD系统在 p型单晶硅上沉积掺磷 n型纳米硅薄层 (nc-Si:H)，形成纳米硅 /单晶硅 Np异质结二极管 ,通过 C-V和 J-V测试研究了二极管的电学性质。 C-V特性指出该异质结为突变型。 J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和...
利用高真空 PECVD系统在 p型单晶硅上沉积掺磷 n型纳米硅薄层 (nc-Si:H)，形成纳米硅 /单晶硅 Np异质结二极管 ,通过 C-V和 J-V测试研究了二极管的电学性质。 C-V特性指出该异质结为突变型。 J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（ <0.8V）二极管电流由耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（ >1.0V）时电输运符合电荷限制电流（ SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
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关键词
纳米硅/单晶硅
异质结二极管
输运机制
电学特性
原文传递
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
被引量：
3
4
作者
彭英才
徐刚毅
+2 位作者
何宇亮
刘明
李月霞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第12期2466-2471,共6页
采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异...
采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结 ,并在 2 30— 42 0K温度范围内实验研究了该异质结的I V特性 .结果表明 ,(n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结为一典型的突变异质结构 ,具有良好的温度稳定性和整流特性 .正向偏压下 ,该异质结的电流输运机理为复合 隧穿模型 .当正向偏压VF<0 .8V时 ,电流输运过程由复合机理所支配 ;而当VF>1.0V时由隧穿机理决定 .反向偏压下 ,该异质结具有良好的反向击穿特性 .
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关键词
半导体
c-硅异质结
载流子
输运性质
原文传递
题名
n-nc-Si:H低温制备工艺及其在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
1
作者
靳果
王记昌
闫奇
机构
河南工业职业技术学院
国网南阳供电公司
出处
《河南科技》
2024年第9期83-87,共5页
基金
河南省科技攻关项目(242102241024)
河南省科技攻关项目(232102240031)。
文摘
【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输层与钙钛矿层界面处理工艺和结构。【结果】得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件,经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%。【结论】在低温工艺下制备出了高性能的电子传输层及柔性钙钛矿太阳电池,对进一步开展叠层钙钛矿太阳电池的研究具有指导意义。
关键词
柔性钙钛矿太阳电池
n
-
nc
-
si
:
h
衬底温度
薄膜性能
界面优化
Keywords
flexible perovskite solar cells
n
-type
h
ydroge
n
ated
n
a
n
ocrystalli
n
e
si
lico
n
substrate tem⁃perature
t
h
i
n
film properties
i
n
terface optimizatio
n
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
n型氢化纳米晶硅薄膜在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
2
作者
靳果
王记昌
闫奇
机构
河南工业职业技术学院自动化工程学院
国网南阳供电公司
出处
《金属功能材料》
CAS
2024年第4期67-75,共9页
基金
河南省科技攻关项目(242102241024)
河南省科技攻关项目(232102240031)。
文摘
柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的低温制备工艺是影响其光电转换效率和大规模应用的关键因素。将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究射频功率、掺杂浓度等制备参数对薄膜性能的影响,得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件。经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%,推动了柔性钙钛矿太阳电池的发展,为制备高性能的柔性钙钛矿太阳电池提供了新的研究思路和方法。
关键词
柔性钙钛矿太阳电池
电子传输层
n
型氢化纳米晶硅
低温
Keywords
flexible perovskite solar cells
electro
n
ic tra
n
sport layer
n
-
nc
-
si
:
h
low temperature
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性
被引量：
3
3
作者
徐刚毅
王天民
王金良
机构
兰州大学材料科学系
北京航空航天大学理学院
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2001年第1期45-50,共6页
文摘
利用高真空 PECVD系统在 p型单晶硅上沉积掺磷 n型纳米硅薄层 (nc-Si:H)，形成纳米硅 /单晶硅 Np异质结二极管 ,通过 C-V和 J-V测试研究了二极管的电学性质。 C-V特性指出该异质结为突变型。 J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制：小偏压时（ <0.8V）二极管电流由耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定，纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度，这是该二极管温度稳定性好的根本原因；大偏压（ >1.0V）时电输运符合电荷限制电流（ SCLC）模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。
关键词
纳米硅/单晶硅
异质结二极管
输运机制
电学特性
Keywords
(
n
)
nc
-
si
:
h
/(p) c-
si
h
eteroju
nc
tio
n
diodes
Tra
n
sport mec
h
a
n
ism
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
被引量：
3
4
作者
彭英才
徐刚毅
何宇亮
刘明
李月霞
机构
河北大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
中国科学院上海冶金研究所
南京大学物理系
中国科学院微电子中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第12期2466-2471,共6页
文摘
采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺 ,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源和PH3 作为磷原子的掺杂剂 ,在 p型 ( 10 0 )单晶硅 ( (p)c -Si)衬底上 ,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜 ( (n)nc Si:H) ,进而制备了 (n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结 ,并在 2 30— 42 0K温度范围内实验研究了该异质结的I V特性 .结果表明 ,(n)nc Si:H/ ( p)c Si异质结为一典型的突变异质结构 ,具有良好的温度稳定性和整流特性 .正向偏压下 ,该异质结的电流输运机理为复合 隧穿模型 .当正向偏压VF<0 .8V时 ,电流输运过程由复合机理所支配 ;而当VF>1.0V时由隧穿机理决定 .反向偏压下 ,该异质结具有良好的反向击穿特性 .
关键词
半导体
c-硅异质结
载流子
输运性质
Keywords
n
)
nc
\|
si
:
h
/(p)c\|
si
h
eteroju
nc
tio
n
, ba
n
d model, carrier tra
n
sport mec
h
a
n
isms, temperature properties
分类号
O472 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n-nc-Si:H低温制备工艺及其在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
靳果
王记昌
闫奇
《河南科技》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
n型氢化纳米晶硅薄膜在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
靳果
王记昌
闫奇
《金属功能材料》
CAS
2024
0
原文传递
3
纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性
徐刚毅
王天民
王金良
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2001
3
原文传递
4
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
彭英才
徐刚毅
何宇亮
刘明
李月霞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
原文传递
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