期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析
被引量：
5
1
作者
白晓宇
郭群超
+3 位作者
柳琴
庞红杰
张滢清
李红波
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2013年第8期923-929,共7页
采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致...
采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致复合中心密度上升,开路电压下降;能带失配的增大可以降低界面处少子浓度,起到场钝化效果,提高开路电压.短路电流和填充因子受到界面处的影响较小,与P层的工艺条件有比较大的关系.
展开更多
关键词
p-a-
si
n
-
c
-
si
异质
结
太阳电池
缓冲层
界面态密度
能带失配
原文传递
题名
缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析
被引量：
5
1
作者
白晓宇
郭群超
柳琴
庞红杰
张滢清
李红波
机构
上海太阳能工程技术研究中心
出处
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2013年第8期923-929,共7页
基金
国家科技支撑计划资助项目(编号:2010BAK69B25)
文摘
采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致复合中心密度上升,开路电压下降;能带失配的增大可以降低界面处少子浓度,起到场钝化效果,提高开路电压.短路电流和填充因子受到界面处的影响较小,与P层的工艺条件有比较大的关系.
关键词
p-a-
si
n
-
c
-
si
异质
结
太阳电池
缓冲层
界面态密度
能带失配
Keywords
p-a-
si
/
n
-
c
-
si
heteroju
n
c
tio
n
solar
c
ells buffer layer de
n
si
ty of i
n
terfa
c
e state e
n
ergy ba
n
d offsets
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析
白晓宇
郭群超
柳琴
庞红杰
张滢清
李红波
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2013
5
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
